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2009-06-05 14:58 |
美科学家发明新型记忆电阻技术
美国标准技术研究所(NIST)最近宣称他们发明了一种新的内存技术:柔性记忆电阻技术。这是一种新型的记忆电阻技术。这种记忆电阻是由钛氧化物制成,钛 氧化物是制作防晒油和牙膏等的常见材料。科学家们用这种氧化物制成柔性透明聚合物薄片,并在上面制出触点,便可将其用于制造记忆电阻。这种记忆体可以在低 于10v的电压下工作,而且断电后也可以保存数据,材料的伸缩寿命是4000次。 Z{8%Cln >6es
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NIST的研究小组把用溶胶-凝胶法制备的液态钛氧化物喷涂在透明薄片上,并在室温下干燥,如此得到的产品可以在掉电状态下将数据保持14天。 l@`k:? ^ u$gO3D 上世纪70年代,人们首次提出了记忆电阻的概念,不过直到2008年惠普才开发出了有关的实际产品。记忆电阻可以在没有电流通过的情况下保存数据,而电阻的阻值会随着电流数值和电流方向的变化而发生明显的变化。 #MC#K{Xd &3vm
@ 正常状态下,这种电阻的阻值很低,而如果改变电流方向则会出现阻值大幅增加的现象。这样就可以被应用在内存中,用来模拟数字信号的“0”和“1”。而这种阻值状态即使长时间掉电也不会发生变化,因此可以随时通过测量电阻的阻值来得到存储在其中的信息。NIST发明的记忆电阻技术则可以在掉电状态下将数据保存14天。 Kz'GAm\ ZCCCuB 柔性记忆电阻技术可以用于制造柔性芯片,后者用途广泛,医学上还可以用于制造心率/血流监视器。
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