美科学家发明新型记忆电阻技术

美国标准技术研究所（NIST）最近宣称他们发明了一种新的内存技术：柔性记忆电阻技术。这是一种新型的记忆电阻技术。这种记忆电阻是由钛氧化物制成，钛氧化物是制作防晒油和牙膏等的常见材料。科学家们用这种氧化物制成柔性透明聚合物薄片，并在上面制出触点，便可将其用于制造记忆电阻。这种记忆体可以在低于10v的电压下工作，而且断电后也可以保存数据，材料的伸缩寿命是4000次。

NIST的研究小组把用溶胶-凝胶法制备的液态钛氧化物喷涂在透明薄片上，并在室温下干燥，如此得到的产品可以在掉电状态下将数据保持14天。

上世纪70年代，人们首次提出了记忆电阻的概念，不过直到2008年惠普才开发出了有关的实际产品。记忆电阻可以在没有电流通过的情况下保存数据，而电阻的阻值会随着电流数值和电流方向的变化而发生明显的变化。

正常状态下，这种电阻的阻值很低，而如果改变电流方向则会出现阻值大幅增加的现象。这样就可以被应用在内存中，用来模拟数字信号的“0”和“1”。而这种阻值状态即使长时间掉电也不会发生变化，因此可以随时通过测量电阻的阻值来得到存储在其中的信息。NIST发明的记忆电阻技术则可以在掉电状态下将数据保存14天。

柔性记忆电阻技术可以用于制造柔性芯片，后者用途广泛，医学上还可以用于制造心率/血流监视器。

查看本帖完整版本: [-- 美科学家发明新型记忆电阻技术 --] [-- top --]