| 牟牟 |
2008-07-12 17:26 |
铬金属陶瓷蚀刻剂TFE（Chromium Cermet Etchant TFE）
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ITO蚀刻剂（/养化锡/铟养化锡蚀刻剂 TE-100） H @D;e
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氧化锡/铟氧化锡蚀刻剂TE-100 是应用于微电子行业的氧化锡/铟氧化锡层的选择性蚀刻剂，可高效的对陶瓷，绝缘层，半导体和多种金属底层上的氧化锡/铟氧化锡沉淀膜进行蚀刻，具有边界清晰，蚀刻速度可控的特性，与正负性光刻胶良好兼容。TE-100 不可用于含镍，铜，镍锘合金和铝的材质。 :H?f*aw
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特性： j0x5@1`6G
外观--深琥珀色 & fu z 2xv
蚀刻率（室温25°C）--15-20 Å / sec（浸没） I8u!\F
工作温度--40-50 °C "Zcu[2,
漂洗--去离子水 $mpO?D J~
存储--20-25 °C ARF\f F|<2
有效期--一年（15-25 °C） ]g,lRG
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铬蚀刻剂Chromium Etchants ;iU%Kt
1020 and 1020AC a9l8{ 3
Transene的1020和1020AC铬蚀刻剂是一种高纯度可精确清洁蚀刻铬或氧化铬薄膜的硝酸铵铈产品，1020AC是不含硝酸的低速蚀刻剂，两种产品均可配合正负性光刻胶使用，1020 为渗入型，最小蚀刻尺寸达到0.2微米，1020AC可完成微细凹槽蚀刻，使用后用去离子水清洗即可 m5*[t7@%
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特性 . I==-|
1020 1020AC
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外观： 透明，橙色 透明，橙色 I]R9HGJNlJ
比重 1.127-1.130 1.127-1.130 S!h Xf|*0[
滤透尺寸 0.2 micron ----- ,D p0fauJ
工作温度 可变 可变 rF] +,4
蚀刻率（ 40 °C） 40 Å / sec 32 Å / sec {eQWO.C{
存储 室温 室温 % ;| 0
清洗 去离子水 去离子水 ]Blf9h7
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应用：蚀刻温度根据膜的厚度不同变化，室温下蚀刻时间从15秒到60秒。注意：操作必须在通风罩内进行。 hw=GR_,
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铬金属陶瓷蚀刻剂TFE（Chromium Cermet Etchant TFE） O/b+CSS1
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铬金属陶瓷蚀刻剂TFE是一种应用于微电子行业的选择型铬蚀刻剂，可高效的蚀刻沉积在铜，镍，金底层上的铬薄膜。此种铁氰酸钾为主要成份的蚀刻剂仅可和负性光刻剂融合，另外，在TFE是蚀刻氧化铬，硅化铬和硅铬氧化沉积层的最佳选择。 +Gh7^v|"
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特性： }k7'"`#?"
外观： 琥珀色 N3%*7{X
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蚀刻率： 15-20 Å / sec（50 °C） 3FNT|QF
工作温度： 40-60 °C 3t" 4TjAy
清洗： 去离子水 0L#/lDNk
存储： 室温 VhEka#
光刻胶： 负性 y1pu R7
兼容金属：金，铜，镍 I g \#f
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应用：铬金属陶瓷蚀刻剂TFE是专用于蚀刻铜，金，镍材质感光底层上的铬，氧化铬，硅化铬和硅氧化铬薄膜的蚀刻剂。对于厚度较大的薄膜可以通过加热到40-60 °C以加快蚀刻速度。 nidr\oFUIn
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