408nm InGa N/ Ga N LED的材料生长及器件光学特性

408nm InGa N/ Ga N LED 的材料生长及器件光学特性

摘要: 通过提高InGaN 量子阱结构的生长温度,降低量子阱In 组分的掺入效率,提高InGaN/ GaN 量子阱结构生长质量,缩短L ED 输出波长等手段,实现了紫光L ED 高效率输出. 采用高分辨率X 射线双晶衍射、扫描隧道显微镜和光致发光谱技术研究了高温生长InGaN/ GaN 多量子阱的结构和光学特性. 封装后的300μm ×300μm L ED 器件在20mA 的注入电流下输出功率为512mW ,输出波长为408nm.

关键词: 量子阱; GaN ; L ED

cc2008	2008-06-23 22:47
谢谢。

defeiwang	2008-06-28 11:15
像看看的哦

qianwu01	2008-08-08 10:13
谢谢楼主

jakey421	2008-09-08 08:56
看下先,我很喜欢LED,觉得它很有前景

dddddq	2010-04-14 19:29

寒飞扬	2012-02-06 10:23
先看看

苦命气球	2014-10-17 13:58
谢谢楼主的分享啦！！

chengzheng	2015-10-24 11:52
好资料支持一下

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