| 阿秋 |
2008-04-03 20:59 |
使用TracePro模擬薄膜厚度改變後之透射率問題
Dear各位大大................. idGkX
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我在做led模擬，目前遇到些瓶頸，請各位大大為我解答一下....... 4S 2I]d
K).X=2gjY
以下是我的模擬資料，其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ R" 5/
0vS%m/Zi-
1.LED Chip：由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ Xa*52Q`_
m；p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 4I"Q T(;
Mb\~WUWI
2.基板：Sapphire substrate (藍寶石基板)，Index=1.7。 L45&O
*%
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3.材料：GaN (氮化鎵)，Index=2.4。 2-o,4EfHVO
e WqJ 2Tt
4.光源：p-n junction上下面各1 流明，共2流明。 j!mI9*hP
20^F -,z
5.光束：p-n junction上下面各1000 rays，共2000 rays。 BRQ9kK20
1kio.9NIp
6.監視面：10mm*10mm之正方面。 9`dQ7z.8t
)pr pG !
7.距離：LED Chip與監視面之間距離為15mm。 Y4@~NC U/
TT .EQv5
8.模擬光源假設條件： O~{Zs\u9
)#ic"UtR
(1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部無任何設定，下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 G8QJM0VpS
UbC)X iO
(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部與下部無任何設定。 |xQj2?_z*
m
oFK/5cJ
9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7，設定為不發光，其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm，但我做研究的結果，其厚度改變，但結果卻是不變，也就是說光強度並未改變，我有設important sampling，target center z為15.003，如果薄膜厚度改變，其光強度不變的話，與光學原理不符，請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? A!fjw
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