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阿秋 2008-04-03 20:59

使用TracePro模擬薄膜厚度改變後之透射率問題

Dear各位大大................. X%YZQc9  
> SZ95@Oh  
我在做led模擬,目前遇到些瓶頸,請各位大大為我解答一下....... <.ZIhDiEl  
X"TL'"?fo  
以下是我的模擬資料,其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ C1;uAw?\  
MGF !ZZ\  
1.LED Chip:由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ Z?eTjkNS#  
                        m;p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 fz|*Plv  
    'l/l]26rO4  
2.基板:Sapphire substrate (藍寶石基板),Index=1.7。 <#:iltO  
    cIO/8D#zU  
3.材料:GaN (氮化鎵),Index=2.4。 j0L%jz  
    Vx!ZF+  
4.光源:p-n junction上下面各1 流明,共2流明。 )j8'6tk)Z  
    %1{S{FB  
5.光束:p-n junction上下面各1000 rays,共2000 rays。 NN7KwVg  
    ?*~ ~Ok  
6.監視面:10mm*10mm之正方面。 s>DFAu!  
    r3Ol?p  
7.距離:LED Chip與監視面之間距離為15mm。 YMw,C:a4  
>7WT4l)7!b  
8.模擬光源假設條件: d[h=<?E5  
OFo hyy(  
(1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部無任何設定,下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 Ue9d0#9  
OkRb3}  
(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部與下部無任何設定。 QHv]7&^rlj  
I]HYqI  
9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7,設定為不發光,其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm,但我做研究的結果,其厚度改變,但結果卻是不變,也就是說光強度並未改變,我有設important sampling,target center z為15.003,如果薄膜厚度改變,其光強度不變的話,與光學原理不符,請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? 2_Lu 0Yrg  
lifeng513 2008-04-04 10:12
光形应该变的 总的光通量不会变 因为你的观测面相对chip足够大
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