阿秋 |
2008-04-03 20:59 |
使用TracePro模擬薄膜厚度改變後之透射率問題
Dear各位大大................. %XX(x'^4 &:K!$W 我在做led模擬,目前遇到些瓶頸,請各位大大為我解答一下....... #le1
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<w7 S}@J4}*u[" 以下是我的模擬資料,其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ q%g!TFMg G?p !*7N 1.LED Chip:由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ }XJA#@ m;p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 3}:(.K (n4\$LdP- 2.基板:Sapphire substrate (藍寶石基板),Index=1.7。 C`4m# ""0 cw 3.材料:GaN (氮化鎵),Index=2.4。 X+0+}S ZDQc_{e{ 4.光源:p-n junction上下面各1 流明,共2流明。 8dgi"/[3 0Nvk|uI
V[ 5.光束:p-n junction上下面各1000 rays,共2000 rays。 reBAxmt K{]9Yo 6.監視面:10mm*10mm之正方面。 &7K 4tL i?{cB!7 7.距離:LED Chip與監視面之間距離為15mm。 z(00"ei e}xx4mYo 8.模擬光源假設條件: J@CKgE Nk#[~$Q-1 (1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部無任何設定,下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 pTQ70V3 $N; Nvp2 (2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部與下部無任何設定。 F
gi&CJ8Q v(|Arm? 9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7,設定為不發光,其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm,但我做研究的結果,其厚度改變,但結果卻是不變,也就是說光強度並未改變,我有設important sampling,target center z為15.003,如果薄膜厚度改變,其光強度不變的話,與光學原理不符,請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? U=kPxe
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