| 阿秋 |
2008-04-03 20:59 |
使用TracePro模擬薄膜厚度改變後之透射率問題
Dear各位大大................. 6TP
/0o) `YNzcn0x 我在做led模擬,目前遇到些瓶頸,請各位大大為我解答一下....... "#1 \ uoH z`{sD] 以下是我的模擬資料,其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ 4^F[Gp? UB$}`39@ 1.LED Chip:由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ -xn-Af!v m;p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 j4$nr=d.6 IMf|/a9- 2.基板:Sapphire substrate (藍寶石基板),Index=1.7。 %_(vSpk
^^a6 (b 3.材料:GaN (氮化鎵),Index=2.4。 3&hR#;,"X IZZAR 4.光源:p-n junction上下面各1 流明,共2流明。 5YY5t^T sxNf"C=-. 5.光束:p-n junction上下面各1000 rays,共2000 rays。 Y2`sL,'h _.5{vGyxr 6.監視面:10mm*10mm之正方面。 KF%BX~80C }z`x-(V 7.距離:LED Chip與監視面之間距離為15mm。 67j kU! .S
k+"iH5 8.模擬光源假設條件: V(';2[) .n8R%|C5 (1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部無任何設定,下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 ,^/Wv!uPE ..N6]u (2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部與下部無任何設定。 PmuG(qg #(^<qr 9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7,設定為不發光,其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm,但我做研究的結果,其厚度改變,但結果卻是不變,也就是說光強度並未改變,我有設important sampling,target center z為15.003,如果薄膜厚度改變,其光強度不變的話,與光學原理不符,請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? `B%%2p&
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