首页 -> 登录 -> 注册 -> 回复主题 -> 发表主题
光行天下 -> TracePro -> 使用TracePro模擬薄膜厚度改變後之透射率問題 [点此返回论坛查看本帖完整版本] [打印本页]

阿秋 2008-04-03 20:59

使用TracePro模擬薄膜厚度改變後之透射率問題

Dear各位大大................. %XX(x'^4  
&:K!$W  
我在做led模擬,目前遇到些瓶頸,請各位大大為我解答一下....... #le1 ^ <w7  
S}@J4}*u["  
以下是我的模擬資料,其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ q%g!TFMg  
G?p !*7N  
1.LED Chip:由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ }XJA#@  
                        m;p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 3}: (.K  
    (n4\$LdP-  
2.基板:Sapphire substrate (藍寶石基板),Index=1.7。 C`4m#  
    ""0 cw  
3.材料:GaN (氮化鎵),Index=2.4。 X+0+ }S  
    ZDQc_{e{  
4.光源:p-n junction上下面各1 流明,共2流明。 8dgi"/[3  
    0Nvk|uI V[  
5.光束:p-n junction上下面各1000 rays,共2000 rays。 reBAxmt   
    K{]9Yo  
6.監視面:10mm*10mm之正方面。 &7K 4tL  
    i?{cB!7  
7.距離:LED Chip與監視面之間距離為15mm。 z( 00"ei  
e}xx4mYo  
8.模擬光源假設條件: J@ CKgE  
Nk#[~$Q-1  
(1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部無任何設定,下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 pTQ70V3  
$N;Nvp2  
(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部與下部無任何設定。 F gi&CJ8Q  
v(|Arm?  
9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7,設定為不發光,其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm,但我做研究的結果,其厚度改變,但結果卻是不變,也就是說光強度並未改變,我有設important sampling,target center z為15.003,如果薄膜厚度改變,其光強度不變的話,與光學原理不符,請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? U=kP xe  
lifeng513 2008-04-04 10:12
光形应该变的 总的光通量不会变 因为你的观测面相对chip足够大
查看本帖完整版本: [-- 使用TracePro模擬薄膜厚度改變後之透射率問題 --] [-- top --]

Copyright © 2005-2025 光行天下 蜀ICP备06003254号-1 网站统计