| plok531 |
2008-01-03 22:49 |
Macleod 薄膜設計 問題
300~380 T abs <1% ， T=50%@405nm +- 10nm ~t:b<'/
425~680 Tave >90% ， T=50%@720nm +-10nm $CmX
&%L=
780~1200 nm T ave <1% +2 zuIW.
4 Z}bw#
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) Q@2tT&eL
mei_aN 7zW
H： Ta2O5 L：SiO2 &Bn; Vi
k, 7+=.6
該如何設計
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