| plok531 |
2008-01-03 22:49 |
Macleod 薄膜設計 問題
300~380 T abs <1% ， T=50%@405nm +- 10nm $ %BNoSK
425~680 Tave >90% ， T=50%@720nm +-10nm we;QrS(Hi
780~1200 nm T ave <1% ^4 ?LQ [t'
< k?jt
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) kcN# g- 0
X6<%SJC
H： Ta2O5 L：SiO2 XpU%09K
) 7}f .
該如何設計
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