| plok531 |
2008-01-03 22:49 |
Macleod 薄膜設計 問題
300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm 0b0.xz\~U 425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm b[3K:ot+ 780~1200 nm T ave <1% )kSE5|:pi
SoY= 用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) .OHjn| iv*Ft.1t H: Ta2O5 L:SiO2 OA??fb,b 9:!<=rk 該如何設計
|
|