| plok531 |
2008-01-03 22:49 |
Macleod 薄膜設計 問題
300~380 T abs <1% ， T=50%@405nm +- 10nm / {Is0+)
425~680 Tave >90% ， T=50%@720nm +-10nm {vs
uPY
780~1200 nm T ave <1%
Id*Ce2B
*F WMn.
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) }pDqe;a{
r=Gks=NX"
H： Ta2O5 L：SiO2 v0ujdp,B
a@8v^G
該如何設計
|
|
