| plok531 |
2008-01-03 22:49 |
Macleod 薄膜設計 問題
300~380 T abs <1% ， T=50%@405nm +- 10nm g
mWwlkf9
425~680 Tave >90% ， T=50%@720nm +-10nm y?cN
780~1200 nm T ave <1% RKrNmD*rk*
-[N9"Z,
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) 1q=Q/L4P
@?s>oSyV
H： Ta2O5 L：SiO2 ,e|"p[z ~T
'<,Dz=
該如何設計
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