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2008-01-03 22:49 |
Macleod 薄膜設計 問題
300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm dQ*^WNUB 425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm >a975R*g 780~1200 nm T ave <1% Ar)EbGId y{M7kYWtHV 用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) Jj)J5S / 6|=]i-8 H: Ta2O5 L:SiO2 yV`Tw"p T'6`A<`3 該如何設計
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