| plok531 |
2008-01-03 22:49 |
Macleod 薄膜設計 問題
300~380 T abs <1% ， T=50%@405nm +- 10nm X)9|ZF2`
425~680 Tave >90% ， T=50%@720nm +-10nm 2PSv3?".
780~1200 nm T ave <1% ' xM\txZ;
E/ku VZX
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) &hh xp1B
DshRH>7s8
H： Ta2O5 L：SiO2 N9 f; X{
U:IeMf-;
該如何設計
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