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2026-08-24 11:23 |
OptiBPM：创建一个多模干涉星型耦合器
在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序： rlznwfr7 +
• 生成材料 RB3 zHk%
• 插入波导和输入平面 pvXcLR)L+3
• 编辑波导和输入平面的参数 5^)_B;.f
• 运行仿真 Jfg7\&|
• 选择输出数据文件 hRTMFgO
• 运行仿真 ^abD !8
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 .`C
V^\
;rBp1[qVe
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上，对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息，可参阅之前课程中提供的操作。 =ak7ld A=2
[>w%CY<Fd
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2：创建一个简单多模干涉星型（下文简称为MMI）耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下： !E& MBAKy
• 定义MMI星型耦合器的材料 fnH3 CE
• 定义布局设置 %AR^+*Nu
• 创建MMI星形耦合器 x,Y 5U+]E
• 运行模拟 :%tuNJjj
• 查看最大值 %cW;}Y[?P
• 绘制输出波导 .2 X2b<%)
• 为输出波导分配路径 VO`"<
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 [B Xyi
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 d bO#
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 yr4ou
1. 定义MMI星型耦合器的材料 W^xZ+ ]
要定义单向弯曲器件的材料，请执行以下步骤。 9 qH[o?]
步骤 操作 C+l?k2
1) 创建一个介电材料： vg^Myn
名称：guide ')nnWlK
相对折射率(Re)：3.3 AQ@v>wr}
2) 创建第二个介电材料 Gc;B[/:
名称： cladding !A[S6-18%-
相对折射率(Re)：3.27 jp m#hH{R
3) 点击保存来存储材料 k!E"wJkpz
4) 创建以下通道： 3Xdn62[&
名称：channel #AncOo
二维剖面定义材料: guide o =9'
5 点击保存来存储材料。 oBw}hH,hp
:dDxxrs"
2. 定义布局设置 )vHi|~(
要定义布局设置，请执行以下步骤。 (2%>jg0M
步骤 操作 2z-$zB<vyw
1) 键入以下设置。 .Z5[_'T
a. Waveguide属性： UB&2f>
宽度：2.8 C
ktX0
配置文件：channel p\+6"28{_~
b. Wafer尺寸： $- w5o`e
长度：1420 [. U^Wrd
宽度：60 ]<X2AO1
c. 2D晶圆属性： 46dc.Y i
材质：cladding I*c;hfu
2) 点击OK，将此设置应用到布局中。 g8Aj `O
@ta?&Qf)
3. 创建一个MMI星型耦合器 l"L+e! B~
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道，因此需要找到在教程2(教程2：创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述，这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 6S_y%8Fv&[
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度，请执行以下步骤。 AP
;*iyQ[
步骤 操作 S.]MOB dt
1) 绘制和编辑第一个波导 B"[{]GP BY
a. 起始偏移量： h,hL?imD
水平：0 2[BA( B
垂直：0 Ps 7_-cH
b. 终止偏移： 'Q`C[*c
水平：100 lE a W7j
垂直：0 % 1Jd ^[W
2) 绘制和编辑第二个波导 "VQ|E d
a. 起始偏移量： uTw| Q{ f
水平：100 s*+ZY Pk
垂直：0 8GW ut=D
b. 终止偏移： 5m 3'Gt4
水平：1420 CKN8z
垂直：0 z'e1"Y.
c. 宽：48 zf7rF}
3) 单击OK，应用这些设置。 ?w8p LE~E
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