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2026-08-24 11:23 |
OptiBPM：创建一个多模干涉星型耦合器
在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序： W&LBh% "g
• 生成材料 q"l>`KCG`
• 插入波导和输入平面 2}|vWKej{
• 编辑波导和输入平面的参数 (A|B@a!Y>
• 运行仿真 .yG8B:7N2
• 选择输出数据文件 sFD!7 ;
• 运行仿真 6|i`@|#
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 .8%vd
w0\4 Wa
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上，对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息，可参阅之前课程中提供的操作。 YBeZN98Nt
+:b( %|
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2：创建一个简单多模干涉星型（下文简称为MMI）耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下： (T4k~T`3
• 定义MMI星型耦合器的材料 k\%,xf; x
• 定义布局设置 6J]~A0vsi}
• 创建MMI星形耦合器 0rGj|@+;
• 运行模拟 m_~y
• 查看最大值 vB]3Xb3a
• 绘制输出波导 @s3aR*ny$
• 为输出波导分配路径 ,%.:g65%
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 #<D@3ScC
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 XZ!cW=bqS
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 |\rSa^:5
1. 定义MMI星型耦合器的材料 %oMWcgsdJi
要定义单向弯曲器件的材料，请执行以下步骤。 {W]bU{%.
步骤 操作 TIKEg10I
1) 创建一个介电材料： ~ }Kp
名称：guide ,WzG.3^m
相对折射率(Re)：3.3 ,q/tyGj
2) 创建第二个介电材料 ;}n|, g>
名称： cladding vRq =m8
相对折射率(Re)：3.27 .$n$ %|"H-
3) 点击保存来存储材料 #I bS
4) 创建以下通道： M P_ A<F
名称：channel WFQ*s4 R(
二维剖面定义材料: guide ? hP<@L6K
5 点击保存来存储材料。 :X h_$4~^Y
0@JilGk1u
2. 定义布局设置 jM{(8aUG
要定义布局设置，请执行以下步骤。 YLD-SS[/>
步骤 操作 |;X?">7NW
1) 键入以下设置。 rDK;6H:u{
a. Waveguide属性： A!Knp=Gw
宽度：2.8 H^ ]Nmd8Q)
配置文件：channel "
&_$V@S
b. Wafer尺寸： (R9Q BZP5
长度：1420 N `y}Gs
宽度：60 [u,hc/PL
c. 2D晶圆属性： K'a#M g
材质：cladding pjaiAe!k
2) 点击OK，将此设置应用到布局中。 nNd`]F^U
-G( 3 Y2
3. 创建一个MMI星型耦合器 byEvc[/>Ys
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道，因此需要找到在教程2(教程2：创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述，这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 a3b2nAI l
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度，请执行以下步骤。 /5L' 9e
步骤 操作 tj Bh$)
1) 绘制和编辑第一个波导 n1fE daa7g
a. 起始偏移量： V)_H E
水平：0 !V$6+?2
垂直：0 UrD=|-r`
b. 终止偏移： i*mZi4URN
水平：100 7.w *+Z>z
垂直：0 ]
P:NnKgK
2) 绘制和编辑第二个波导 8MYL XW6
a. 起始偏移量： UE}8Rkt
水平：100 P5yJO97
垂直：0 {[YqGv=fF
b. 终止偏移： yv6Zo0s <J
水平：1420 F[o+p|nF
垂直：0 s0~05{
c. 宽：48 I ?^Q084
3) 单击OK，应用这些设置。 q\ \8b{~
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