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2026-08-24 11:23 |
OptiBPM：创建一个多模干涉星型耦合器
在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序： W#7c` nm
• 生成材料 Sr IynO
• 插入波导和输入平面 vr$ [
• 编辑波导和输入平面的参数 1|- -Xnv
• 运行仿真 qI9 BAs1~}
• 选择输出数据文件 XT)@)c7j
• 运行仿真 PQ" Dl =,
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 fqxMTTg@
~Q5HM
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上，对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息，可参阅之前课程中提供的操作。 ?uQ pt(
umk[\}Ip+P
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2：创建一个简单多模干涉星型（下文简称为MMI）耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下： Zr3KzY9
• 定义MMI星型耦合器的材料 wbTw\b=
• 定义布局设置 %y'#@%kO:S
• 创建MMI星形耦合器 kq+L63fZ
• 运行模拟 }/=_
• 查看最大值 1QThA FN
• 绘制输出波导 y7JJ[:~~
• 为输出波导分配路径 yd $y\pN=<
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 cOSUe_S0w[
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 : 0 /I2:
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 K=V)"v5o3
1. 定义MMI星型耦合器的材料 yfj<P/aA+
要定义单向弯曲器件的材料，请执行以下步骤。 0oD? 4gn
步骤 操作 c8h
9
1) 创建一个介电材料： >5\rU[H>
名称：guide r>V go):s
相对折射率(Re)：3.3 O: 4.xe
2) 创建第二个介电材料 >354O6
名称： cladding
W<t,Ivg
相对折射率(Re)：3.27 Q!c *2hI
3) 点击保存来存储材料 >Py=H +d!j
4) 创建以下通道： <S<(wFE@4
名称：channel X=lOwPvP
二维剖面定义材料: guide #8cY,%<S]
5 点击保存来存储材料。 ;L|%H/SH
M^a QH/=:"
2. 定义布局设置 dAR):ZKq?
要定义布局设置，请执行以下步骤。 _jp8;M~Z
步骤 操作 d+$a5 [^9
1) 键入以下设置。 3eD#[jkAI;
a. Waveguide属性： ]*?qaIdqu
宽度：2.8 V#zDYrp
配置文件：channel S Bs_rhe
b. Wafer尺寸： :Fm)<VN"
长度：1420 ?Yxk1Y4ig)
宽度：60 x,pzX(
c. 2D晶圆属性： <^{ |5u
材质：cladding p \1-.
2) 点击OK，将此设置应用到布局中。 1 %K^( J;
h5>JBLawQP
3. 创建一个MMI星型耦合器 D3N\$ D
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道，因此需要找到在教程2(教程2：创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述，这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 (bY#!16C:
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度，请执行以下步骤。 Vv#|% ^0
步骤 操作 +Ccj @#M;
1) 绘制和编辑第一个波导 va[@XGaC3
a. 起始偏移量： *%bQ p
水平：0 4vQ]7`I.f
垂直：0 ,SNN[a
b. 终止偏移： l.Iov?e1S
水平：100 kO>F , M
垂直：0
Lj`MFZ
2) 绘制和编辑第二个波导 )OpB\k
a. 起始偏移量： PRa #; Wb
水平：100 &;I=*B~kE$
垂直：0 [oqb@J2
b. 终止偏移： w ,f1F;!q1
水平：1420 kqdF)Wa am
垂直：0 9M8 n
c. 宽：48 @
W[LA<
3) 单击OK，应用这些设置。 G;Jqby8d
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