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2026-08-24 11:23 |
OptiBPM：创建一个多模干涉星型耦合器
在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序： <aSjK#
• 生成材料 +@G#Z3;l!
• 插入波导和输入平面 XN|[8+#U<@
• 编辑波导和输入平面的参数 P.#@1_:gC
• 运行仿真 o 4P>t2'
• 选择输出数据文件 o=C:=
• 运行仿真 46 [k9T
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 xaI)d/
D qu?mg;L
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上，对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息，可参阅之前课程中提供的操作。 tqk^)c4FF(
Ndmki
7A
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2：创建一个简单多模干涉星型（下文简称为MMI）耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下： 0H!J
• 定义MMI星型耦合器的材料 erlg\-H
• 定义布局设置 o*_arzhA
• 创建MMI星形耦合器 xlIVLv6dO
• 运行模拟 SR>(GQ,m0;
• 查看最大值 L
N S O]\
• 绘制输出波导 zt!)7HBo
• 为输出波导分配路径 4p<c|(f#
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果
W >y >
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 :6T LT-B
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 !:2_y'hA
1. 定义MMI星型耦合器的材料 `}.jH1Fx/m
要定义单向弯曲器件的材料，请执行以下步骤。 bt' lT
步骤 操作 U2G[uDa;
1) 创建一个介电材料： ,Jrm85 oG
名称：guide xcE2hK/+
相对折射率(Re)：3.3 |Ml~_m
2) 创建第二个介电材料 T3bYj|rh=
名称： cladding rczwxWK
相对折射率(Re)：3.27 dt5`UBvUg
3) 点击保存来存储材料 ROi_k4Fj
4) 创建以下通道： & iO53I^r/
名称：channel 6DVHJ+WTV
二维剖面定义材料: guide AB+HyZ*//
5 点击保存来存储材料。 +OaBA>Jh9
c8h71Cr
2. 定义布局设置 eNDc2 20b
要定义布局设置，请执行以下步骤。 h^v+d*R
N
步骤 操作 yYH>~,
1) 键入以下设置。 3w&Z:<
a. Waveguide属性： xey?.2K1A
宽度：2.8 w&e q
*q
配置文件：channel +8}8b_bgH
b. Wafer尺寸： bQ`2ll*(
长度：1420 &SMM<^P.
宽度：60 RPw1i*
c. 2D晶圆属性： I I]-mb
材质：cladding Bo4iX,zu
2) 点击OK，将此设置应用到布局中。 Ow 0( q^H<
<YAs0
3. 创建一个MMI星型耦合器 th|'t}bWV
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道，因此需要找到在教程2(教程2：创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述，这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 eI cIl2
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度，请执行以下步骤。 W~& QcSWqD
步骤 操作 %Vb~}sT:
1) 绘制和编辑第一个波导 E?h'OR@_ L
a. 起始偏移量： aw gS5We|
水平：0 a;f A0_
垂直：0 uCjbb
b. 终止偏移： | MXRNA~
水平：100 PNpH)'C|
垂直：0 LHMA-0$ ?)
2) 绘制和编辑第二个波导 ]Wn=Oc{F
a. 起始偏移量： eB_ M *+^
水平：100 ow9Vj$m
垂直：0 b\vL^\bX8
b. 终止偏移： 8b X?HeYrr
水平：1420 6$G@>QCBS
垂直：0 $-uMWJ)l
c. 宽：48 COL_c<\
3) 单击OK，应用这些设置。 A i~ d
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