1064/532/355/266nm常用晶体选型速查表

（Δn@对应波长、相位匹配方式、切割角、应用场景、优缺点汇总，工程下料直接使用）。约定：Ⅰ 类 SHG：no(ω)=ne(2ω)；NCPM=90° 非临界温度匹配、走离≈0；AM = 角度临界匹配。 '5etZ!:

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一、1064nm→532nm SHG 倍频

lvp8{]I< 晶体	~5:-;ZbZ Δn@1064	FR^(1+lx& 匹配类型	3[Z7bhpV 切割角度	UPcx xtC 备注 & 适用
x5(B(V@b KTP	7El:$H ≈0.080	IA~wmOF NCPM 温控 70℃Ⅰ 类	U2CCjAgRs θ=90°φ=0°	l*-$H$ 中小功率连续绿光、端面泵浦全固态；性价比最高；不能三倍频
:9]"4ktoJ LBO	Z(c2F] ≈0.042	x.%x\|6G* NCPM 温控 148℃Ⅰ 类	e)#f`wM θ=90°	oGKk2oP 大功率 532、高重频脉冲、千瓦级绿光；走离＜0.3°
mvXIh"; BBO	chszP{-@X ≈0.122	k.6(Q_TS 角度匹配 Ⅰ 类	dkAY%ztwo θ=22.8°	}%Vx2Q 高峰值窄脉冲、调 Q 脉冲绿光；走离≈3.1°，不可做大功率连续
v%8S:3 DKDP	8m*uT< 5D ≈0.034	!b{7gUjyI 温控 NCPM	ss'`[QhR2 90°	l'FNp 大型高能装置、大口径脉冲

二、1064+532→355nm THG 三倍频

HwxME%w 晶体	!8}x6 Δn@532	hZ~\Z S7 匹配类型	EL:Az~]V 切割	hngdeGa 说明
%y[ t+)!E LBO	f[+N=vr ≈0.046	K!qV82b='{ NCPM 温控	w;]~2$ 90°	V[fcP; 工业 355 紫外唯一主流，PCB / 晶圆冷加工，走离极小
{hi'LA-4@ BBO	IiB"F<&[j{ ≈0.138	-iySU 6 角度匹配	?X~U[dV? θ≈42°	vI0::ah/ 科研小功率 355，走离大、量产不用
n+H);Dg<8 KTP：紫外截止，无法 355；DKDP 大口径高能三倍频。	W?2Z31;7	,+o*>fD	BiI`oCX	,%U'>F?

三、532nm→266nm FHG 四倍频

/5r!Fhx 晶体	3ox 0-+_ Δn@532	gF8n{b 匹配方式	b^C2<' 切角	a6epew!2 应用
MClvmv^ BBO	[O\[,E"K ≈0.138	b5Vn_;V* Ⅰ 类角度匹配	ctT6va θ=47.7°	D/TEx2.=J3 实验室小功率 266、科研超快；走离≈4.8°
v\|#}LQZ CLBO	B,avI&7M;S ≈0.092	2Pic4Z Ⅰ 类角度匹配	nEbJ,#>Z θ=61.7°	_H)>U[ 工业大功率 266DUV，走离≈1.8°（优于 BBO）
h?+bW'm LBO/KTP：Δn 不足 + 紫外截止，做不了 266。	q<>aZ\|r	vY'E+M"+@	Ln@n6*%(/	q}MPl2

四、选型
1. 532 连续 / 大功率 → LBO；小功率经济型绿光 → KTP；高峰值脉冲 → BBO
2. 355 工业量产紫外 → LBO（唯一优选）
3. 266 科研→BBO；266 工业大功率→CLBO
不同功率、波段工况对晶体切割精度、镀膜要求差异较大，呈欣光电可依据该选型表匹配对应非线性晶体毛坯与精加工方案。
五、补充关键配套参数
1. 走离规律：Δn 越大→匹配角越小、光束走离越大；LBO＜KTP＜CLBO＜BBO
2. 接收角：LBO＞KTP≫BBO；光路装配容错 LBO 最优
3. 损伤阈值排序：DKDP＞LBO＞CLBO＞BBO＞KTP
呈欣光电可通过定向、抛光工艺进一步优化元件实际损伤耐受能力。

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