1064/532/355/266nm常用晶体选型速查表

（Δn@对应波长、相位匹配方式、切割角、应用场景、优缺点汇总，工程下料直接使用）。约定：Ⅰ 类 SHG：no(ω)=ne(2ω)；NCPM=90° 非临界温度匹配、走离≈0；AM = 角度临界匹配。 jLVG=rOn

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一、1064nm→532nm SHG 倍频

~f(5l. 晶体	u\Ylo.)b Δn@1064	#\|ts1lD#ah 匹配类型	(^35cj{s 切割角度	^hiY6N & 备注 & 适用
0\{dt4nW&O KTP	w8w0:@0( ≈0.080	0-S.G38{ NCPM 温控 70℃Ⅰ 类	*qm\|A{FQR θ=90°φ=0°	A4!X{qUT- 中小功率连续绿光、端面泵浦全固态；性价比最高；不能三倍频
DPjs?M< LBO	3fhY+$tq ≈0.042	J<;io! NCPM 温控 148℃Ⅰ 类	*:@KpYWx" θ=90°	[M[<'+^* 大功率 532、高重频脉冲、千瓦级绿光；走离＜0.3°
Ik$$Tn&; BBO	lG\uJxV ≈0.122	=S`h/fru 角度匹配 Ⅰ 类	BV B2$&eJ θ=22.8°	7DJEx~"!2- 高峰值窄脉冲、调 Q 脉冲绿光；走离≈3.1°，不可做大功率连续
} +}nrJv DKDP	@W>@6E ≈0.034	@01.Pd 温控 NCPM	B18BwY 90°	bRxI7 ' 大型高能装置、大口径脉冲

二、1064+532→355nm THG 三倍频

7]vmtlL 晶体	e'.BTt58Y Δn@532	\|@u2/U9 匹配类型	ZLT?G 切割	6}TunR 说明
E+lR&~mK= LBO	T;92M}\ ≈0.046	KVa{;zBwl NCPM 温控	yMz#e0k 90°	N.JR($N$ 工业 355 紫外唯一主流，PCB / 晶圆冷加工，走离极小
}#FV{C] BBO	'#f<wfn ≈0.138	$&as5z8 角度匹配	@KTuG ?. θ≈42°	^YLC{V 科研小功率 355，走离大、量产不用
ojy^A KTP：紫外截止，无法 355；DKDP 大口径高能三倍频。	B?z2@,	FMVAXOO	`q-+r1u	B-MS@<2

三、532nm→266nm FHG 四倍频

i!%bz 晶体	{ LvD\4h" Δn@532	eL}w{Hlk T 匹配方式	W~ ~' 切角	7 ~~ug 应用
XGB\rfvS BBO	D5lQ0_IeW ≈0.138	@wR3L:@ Ⅰ 类角度匹配	X<L=*r^C,= θ=47.7°	]bY\|>q 实验室小功率 266、科研超快；走离≈4.8°
OT 0c5x CLBO	F@u7Oel@m ≈0.092	u}iuf_ Ⅰ 类角度匹配	k_7m[o θ=61.7°	qPQIcJ 工业大功率 266DUV，走离≈1.8°（优于 BBO）
=P(*j7= LBO/KTP：Δn 不足 + 紫外截止，做不了 266。	CVfV	JY"jj}H]\|	sUG!dwqqd	?@rd,:'dE

四、选型
1. 532 连续 / 大功率 → LBO；小功率经济型绿光 → KTP；高峰值脉冲 → BBO
2. 355 工业量产紫外 → LBO（唯一优选）
3. 266 科研→BBO；266 工业大功率→CLBO
不同功率、波段工况对晶体切割精度、镀膜要求差异较大，呈欣光电可依据该选型表匹配对应非线性晶体毛坯与精加工方案。
五、补充关键配套参数
1. 走离规律：Δn 越大→匹配角越小、光束走离越大；LBO＜KTP＜CLBO＜BBO
2. 接收角：LBO＞KTP≫BBO；光路装配容错 LBO 最优
3. 损伤阈值排序：DKDP＞LBO＞CLBO＞BBO＞KTP
呈欣光电可通过定向、抛光工艺进一步优化元件实际损伤耐受能力。

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