1064/532/355/266nm常用晶体选型速查表

（Δn@对应波长、相位匹配方式、切割角、应用场景、优缺点汇总，工程下料直接使用）。约定：Ⅰ 类 SHG：no(ω)=ne(2ω)；NCPM=90° 非临界温度匹配、走离≈0；AM = 角度临界匹配。 >'n[B

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一、1064nm→532nm SHG 倍频

Dj= {% 晶体	0aq{Y7sYU Δn@1064	?taC !{ 匹配类型	'`tFZfT 切割角度	!pfpT\i]N: 备注 & 适用
zvN7aG KTP	FoE}j ≈0.080	'RwfW\|~6 NCPM 温控 70℃Ⅰ 类	PL"=> θ=90°φ=0°	((?"2 }1r 中小功率连续绿光、端面泵浦全固态；性价比最高；不能三倍频
1/bTwzR.g LBO	\|5(CzXR] ≈0.042	2K3j3\|T NCPM 温控 148℃Ⅰ 类	QlVj#Jv;~ θ=90°	G;u 6p 大功率 532、高重频脉冲、千瓦级绿光；走离＜0.3°
"z6p=B"?3 BBO	l_((3e[) ≈0.122	Mmgm6{ 角度匹配 Ⅰ 类	uJ\|,-"~F θ=22.8°	?gu!P:lZS 高峰值窄脉冲、调 Q 脉冲绿光；走离≈3.1°，不可做大功率连续
Rhlm DKDP	`?^<r%*F. ≈0.034	MF$Dx\| Tcj 温控 NCPM	io"NqR#"v 90°	'xEomo# 大型高能装置、大口径脉冲

二、1064+532→355nm THG 三倍频

Ur[ai6LNG 晶体	Lcg1X3$G Δn@532	rD6NUS 匹配类型	2/ )~$0 切割	>;G7ty[RX7 说明
j0F& WKk LBO	&~<i" W ≈0.046	-0'<7FSQ NCPM 温控	%U<lS.i 90°	xhCNiYJ\| 工业 355 紫外唯一主流，PCB / 晶圆冷加工，走离极小
U_9\|ED: BBO	?mi}S${g ≈0.138	(RUc>Qi 角度匹配	_x-2tnIxXv θ≈42°	u3cg&lEgT 科研小功率 355，走离大、量产不用
ko{&~ KTP：紫外截止，无法 355；DKDP 大口径高能三倍频。	zzC{I@b	eZL!Z!	C9Cl$yZ	2#R0Bd

三、532nm→266nm FHG 四倍频

t}K8{ V 晶体	<e\|B7<. Δn@532	Sw{rNzh%$ 匹配方式	;M+~e~ 切角	\*fXPJ4 应用
}PMlG BBO	fTy{`}> ≈0.138	j<?k$8H Ⅰ 类角度匹配	:p1_ij]ND θ=47.7°	9y\Ik/ 实验室小功率 266、科研超快；走离≈4.8°
HS.eK#:N CLBO	9)F$){G]vs ≈0.092	,]@Sytky Ⅰ 类角度匹配	(^ J2( θ=61.7°	.L)j ql% 工业大功率 266DUV，走离≈1.8°（优于 BBO）
>)`*:_{ LBO/KTP：Δn 不足 + 紫外截止，做不了 266。	-t*P=V\|@	![[:Z	u\K`TWb%	H'@@%nO(

四、选型
1. 532 连续 / 大功率 → LBO；小功率经济型绿光 → KTP；高峰值脉冲 → BBO
2. 355 工业量产紫外 → LBO（唯一优选）
3. 266 科研→BBO；266 工业大功率→CLBO
不同功率、波段工况对晶体切割精度、镀膜要求差异较大，呈欣光电可依据该选型表匹配对应非线性晶体毛坯与精加工方案。
五、补充关键配套参数
1. 走离规律：Δn 越大→匹配角越小、光束走离越大；LBO＜KTP＜CLBO＜BBO
2. 接收角：LBO＞KTP≫BBO；光路装配容错 LBO 最优
3. 损伤阈值排序：DKDP＞LBO＞CLBO＞BBO＞KTP
呈欣光电可通过定向、抛光工艺进一步优化元件实际损伤耐受能力。

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