1064/532/355/266nm常用晶体选型速查表

（Δn@对应波长、相位匹配方式、切割角、应用场景、优缺点汇总，工程下料直接使用）。约定：Ⅰ 类 SHG：no(ω)=ne(2ω)；NCPM=90° 非临界温度匹配、走离≈0；AM = 角度临界匹配。 bzj!d|T`

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一、1064nm→532nm SHG 倍频

iZkW+5( 晶体	7n\j"0z Δn@1064	{'c%#\ 匹配类型	O=#/DM; 切割角度	Vhbj.eX.) 备注 & 适用
9 .&Or4> KTP	`!Ge"JB6 ≈0.080	[!dnm1 NCPM 温控 70℃Ⅰ 类	'QekQ]; θ=90°φ=0°	u\1Wkxj 中小功率连续绿光、端面泵浦全固态；性价比最高；不能三倍频
iu6WGmR LBO	^7s6J{< ≈0.042	$5Y^fwIK NCPM 温控 148℃Ⅰ 类	,# jOf{L* θ=90°	Ng_rb KXC# 大功率 532、高重频脉冲、千瓦级绿光；走离＜0.3°
4\|@FO}rK[l BBO	Nz>E#.++ ≈0.122	8O.:3%D~ t 角度匹配 Ⅰ 类	s:jL/%+COZ θ=22.8°	"-j@GCme 高峰值窄脉冲、调 Q 脉冲绿光；走离≈3.1°，不可做大功率连续
,QHx*~9 DKDP	-B3wRAEt ≈0.034	*F8uu. 温控 NCPM	Vm1c-,)3 90°	Dho^^<`c+ 大型高能装置、大口径脉冲

二、1064+532→355nm THG 三倍频

3]kAb`9[K2 晶体	dS;\|Kl[Om Δn@532	RP@idz 匹配类型	r/q1&*T 切割	\|Qt`p@W 说明
"za*$DU LBO	?j4,^K3 ≈0.046	l&^[cR NCPM 温控	jXDzjt94J 90°	<T.3ZZ% 工业 355 紫外唯一主流，PCB / 晶圆冷加工，走离极小
CO%O<_C BBO	"w\|k\1D ≈0.138	$hE'b9qx 角度匹配	A$"$`)P! θ≈42°	LWb}) #E 科研小功率 355，走离大、量产不用
.&yWHdQC: KTP：紫外截止，无法 355；DKDP 大口径高能三倍频。	o2e h)rtB	rW%'M#! =	8DS5<	f s"V'E2a

三、532nm→266nm FHG 四倍频

k}0 晶体	eUw;!Du Δn@532	K[\|P6J 匹配方式	4#7@KhK} 切角	O"-PNF,J 应用
K?OX BBO	c{4nW\|/W ≈0.138	wsGq>F~ Ⅰ 类角度匹配	%/4_\|@<' θ=47.7°	cSs/XJZ 实验室小功率 266、科研超快；走离≈4.8°
(PrPH/$ CLBO	tAu\|8aL ≈0.092	UUEDCtF) Ⅰ 类角度匹配	zUgkY`]:BJ θ=61.7°	l'{goyf 工业大功率 266DUV，走离≈1.8°（优于 BBO）
p*&LEjaVM4 LBO/KTP：Δn 不足 + 紫外截止，做不了 266。	-I-&<+7v	Sl<-)a:	&fy8,}	;o@`l$O

四、选型
1. 532 连续 / 大功率 → LBO；小功率经济型绿光 → KTP；高峰值脉冲 → BBO
2. 355 工业量产紫外 → LBO（唯一优选）
3. 266 科研→BBO；266 工业大功率→CLBO
不同功率、波段工况对晶体切割精度、镀膜要求差异较大，呈欣光电可依据该选型表匹配对应非线性晶体毛坯与精加工方案。
五、补充关键配套参数
1. 走离规律：Δn 越大→匹配角越小、光束走离越大；LBO＜KTP＜CLBO＜BBO
2. 接收角：LBO＞KTP≫BBO；光路装配容错 LBO 最优
3. 损伤阈值排序：DKDP＞LBO＞CLBO＞BBO＞KTP
呈欣光电可通过定向、抛光工艺进一步优化元件实际损伤耐受能力。

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