1064/532/355/266nm常用晶体选型速查表

（Δn@对应波长、相位匹配方式、切割角、应用场景、优缺点汇总，工程下料直接使用）。约定：Ⅰ 类 SHG：no(ω)=ne(2ω)；NCPM=90° 非临界温度匹配、走离≈0；AM = 角度临界匹配。 Cg^:jd

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一、1064nm→532nm SHG 倍频

F<gMUDB 晶体	n$xszuNJ` Δn@1064	>uHb ^ 匹配类型	B$j' /e-Zk 切割角度	5VZjDg? 备注 & 适用
%4/xH9 KTP	tpZ->)1 ≈0.080	"[.ne)/MC NCPM 温控 70℃Ⅰ 类	d#8e~ θ=90°φ=0°	7f* RM 中小功率连续绿光、端面泵浦全固态；性价比最高；不能三倍频
7O$ & LBO	^7^2D2[ ≈0.042	b`zET^F NCPM 温控 148℃Ⅰ 类	.`+yo0O: θ=90°	%/!+(7 D 大功率 532、高重频脉冲、千瓦级绿光；走离＜0.3°
O"iak BBO	-K^41W71 ≈0.122	t#~XLCE 角度匹配 Ⅰ 类	SiR\a!,C θ=22.8°	*uU4^E( 高峰值窄脉冲、调 Q 脉冲绿光；走离≈3.1°，不可做大功率连续
[8z&-'J= DKDP	+q-c8z ≈0.034	sG1BNb_ 温控 NCPM	d- kZt@DL= 90°	t\%%d)d9 大型高能装置、大口径脉冲

二、1064+532→355nm THG 三倍频

6]ZO'Nwo 晶体	GXYj+ qJ Δn@532	#9,=Owup 匹配类型	}I'^./za 切割	5*1#jiq 说明
x`L+7,&n LBO	'kEG.Oq7 ≈0.046	uY]T:UVk NCPM 温控	ckWkZ 78\ 90°	sv`"\3N[ 工业 355 紫外唯一主流，PCB / 晶圆冷加工，走离极小
Bq{]Eh0% BBO	Fv@tD4I> ≈0.138	'kQ~ 角度匹配	&?r*p0MQC θ≈42°	,5w]\z 科研小功率 355，走离大、量产不用
~#4~_d.=L KTP：紫外截止，无法 355；DKDP 大口径高能三倍频。	e96#2A5f	O4!9{	3a^)u-9,x	1a*6ZGk.

三、532nm→266nm FHG 四倍频

Kr]W o8dWy 晶体	&~ y{'zoL Δn@532	M}KZG'7 匹配方式	1!1DuQ 切角	+`Fb_m)f 应用
)mG0g@qOK BBO	6Hl<,(vn ≈0.138	<p/MyqZf Ⅰ 类角度匹配	Ko+al{2 θ=47.7°	m_$JWv\\|\ 实验室小功率 266、科研超快；走离≈4.8°
dE GX3 - CLBO	+N8aq<l ≈0.092	xl9(ze Ⅰ 类角度匹配	Uuz?8/w}# θ=61.7°	Q.1XP 工业大功率 266DUV，走离≈1.8°（优于 BBO）
]LVnt-q LBO/KTP：Δn 不足 + 紫外截止，做不了 266。	I{EIHD<	OW#_ty_ul	LyV#j>gD	1J&#&\,f&

四、选型
1. 532 连续 / 大功率 → LBO；小功率经济型绿光 → KTP；高峰值脉冲 → BBO
2. 355 工业量产紫外 → LBO（唯一优选）
3. 266 科研→BBO；266 工业大功率→CLBO
不同功率、波段工况对晶体切割精度、镀膜要求差异较大，呈欣光电可依据该选型表匹配对应非线性晶体毛坯与精加工方案。
五、补充关键配套参数
1. 走离规律：Δn 越大→匹配角越小、光束走离越大；LBO＜KTP＜CLBO＜BBO
2. 接收角：LBO＞KTP≫BBO；光路装配容错 LBO 最优
3. 损伤阈值排序：DKDP＞LBO＞CLBO＞BBO＞KTP
呈欣光电可通过定向、抛光工艺进一步优化元件实际损伤耐受能力。

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