1064/532/355/266nm常用晶体选型速查表

（Δn@对应波长、相位匹配方式、切割角、应用场景、优缺点汇总，工程下料直接使用）。约定：Ⅰ 类 SHG：no(ω)=ne(2ω)；NCPM=90° 非临界温度匹配、走离≈0；AM = 角度临界匹配。 Ve9)?=!

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一、1064nm→532nm SHG 倍频

Jj0:p" 晶体	)l(DtU!E Δn@1064	a;a1>1 匹配类型	g`Q!5WK* 切割角度	yzl}!& E 备注 & 适用
-ert42fN KTP	^} Y}Iz ≈0.080	./zzuKO8XK NCPM 温控 70℃Ⅰ 类	N/#x θ=90°φ=0°	<3ep5`1 中小功率连续绿光、端面泵浦全固态；性价比最高；不能三倍频
Ll%}nti LBO	?Vh#Gr ≈0.042	,*9gy$ NCPM 温控 148℃Ⅰ 类	E:B<_ θ=90°	I\-M`^@ 大功率 532、高重频脉冲、千瓦级绿光；走离＜0.3°
GBBp1i BBO	oV9{{ ≈0.122	@o1#J`rv 角度匹配 Ⅰ 类	A!^r9?< θ=22.8°	NBBR>3nt 高峰值窄脉冲、调 Q 脉冲绿光；走离≈3.1°，不可做大功率连续
(+xT5 2 DKDP	u^i3@JuX ≈0.034	y"8,jm 温控 NCPM	uT=5zu 90°	(["V( $ 大型高能装置、大口径脉冲

二、1064+532→355nm THG 三倍频

U\|QP]6v 晶体	p1.3)=T Δn@532	`SZ-o{ 匹配类型	m$hkmD\| 切割	S !lrnH 说明
PQ;9iv LBO	CQmozh- ≈0.046	r}(mjC"o NCPM 温控	+Y;hVcE9 90°	p/l">d]+ 工业 355 紫外唯一主流，PCB / 晶圆冷加工，走离极小
?\|Z~mE BBO	g-ZXj4Ph! ≈0.138	Y]`o-dV 角度匹配	92C; a5s θ≈42°	rf`xY4I\ 科研小功率 355，走离大、量产不用
dK8dC1@,X; KTP：紫外截止，无法 355；DKDP 大口径高能三倍频。	0DnOO0Nc	=HV${+K=~	u"wWekB	WCk. K

三、532nm→266nm FHG 四倍频

UKTfLh 晶体	MXDCOe~07 Δn@532	}7xcHVO8- 匹配方式	=\MAz[IDj 切角	Q Wc^}#!! 应用
5G`fVsb BBO	M0?%r` ≈0.138	<$Sl%DoS Ⅰ 类角度匹配	FJKlqM5] θ=47.7°	-eD]gm 实验室小功率 266、科研超快；走离≈4.8°
+%WW8OX CLBO	'qG-)2 t ≈0.092	*5hbD-a: Ⅰ 类角度匹配	zMO#CZ t θ=61.7°	~6O~Fth 工业大功率 266DUV，走离≈1.8°（优于 BBO）
vl+bc[ i~ LBO/KTP：Δn 不足 + 紫外截止，做不了 266。	r1}1lJ>7H	9HPwl	MR5[\|kHJT	~J5B?@2hK

四、选型
1. 532 连续 / 大功率 → LBO；小功率经济型绿光 → KTP；高峰值脉冲 → BBO
2. 355 工业量产紫外 → LBO（唯一优选）
3. 266 科研→BBO；266 工业大功率→CLBO
不同功率、波段工况对晶体切割精度、镀膜要求差异较大，呈欣光电可依据该选型表匹配对应非线性晶体毛坯与精加工方案。
五、补充关键配套参数
1. 走离规律：Δn 越大→匹配角越小、光束走离越大；LBO＜KTP＜CLBO＜BBO
2. 接收角：LBO＞KTP≫BBO；光路装配容错 LBO 最优
3. 损伤阈值排序：DKDP＞LBO＞CLBO＞BBO＞KTP
呈欣光电可通过定向、抛光工艺进一步优化元件实际损伤耐受能力。

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