先进计算光刻
先进计算光刻技术是集成电制造装备和工艺的核心技术。本书主要介绍作者在20余年从事光刻机研发中,建立的先进计算光刻技术,包括矢量计算光刻、快速-全芯片计算光刻、高稳定-高保真计算光刻、光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻等,能够实现快速-高精度-全曝光视场-低误差敏感度的高性能计算光刻。矢量计算光刻包括零误差、全光路严格的矢量光刻成像模型及OPC和SMO技术。快速-全芯片计算光刻包括压缩感知、贝叶斯压缩感知、全芯片压缩感知计算光刻技术。高稳定-高保真计算光刻包括低误差敏感度的SMO技术、全视场多目标SMO技术、多目标标量和矢量光瞳优化技术。光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻包括含偏振像差、工件台振动误差、杂散光误差的光刻设备-掩模-工艺多参数协同优化技术。解决传统计算光刻在零误差假设、局域坐标系、理想远心、单个视场点获得的掩模-光源,无法最佳匹配实际光刻系统之所需,导致增加工艺迭代时间的问题。 EZ;"'4;W
[attachment=134179] _5
^I.5Z3 目录 Sq\(pfvo 序 3DgsI7-F 前言 wr(*?p]R 第1章 绪论1 ev1 W6B-a 1.1 光刻机和光刻成像1 FGWN}&K 1.1.1 光刻机简史1 'y]\-T 1.1.2 光刻成像及其性能指标2
HB+|WW t> 1.1.3 影响光刻成像性能的主要因素3 YOr:sb 1.2 传统分辨率增强技术7 ]?O2:X 1.2.1 离轴照明7 j>uj=B@ 1.2.2 相移掩模8 X$%4$ 1.2.3 基于规则的光学邻近效应校正9 !-`Cp3gqHr 1.2.4 偏振照明9 qy)_wM 1.3 计算光刻技术11 $$b
9&mTl# 1.3.1 光刻成像模型11 ;Gx)Noo/> 1.3.2 先进计算光刻目标函数14 /sM~Uq? 1.3.3 先进计算光刻算法16 e:H26 SW 参考文献18 i%e7LJ@5AW 第2章 矢量计算光刻技术24 No]~jnqDM 2.1 矢量光刻成像理论基础24 8UC xnf# 2.1.1 二维矢量成像模型24 toN^0F?Qm 2.1.2 三维严格矢量光刻成像模型31 ,p(<+6QZ 2.1.3 二维-三维的矢量光刻成像分析38 RrUBpqA 2.2 零误差矢量计算光刻技术47 1f",}qe; 2.2.1 采用矢量成像模型的OPC技术47 s,#>m*Rh 2.2.2 采用矢量成像模型的SMO技术68 |@NiW\O 参考文献88 (=D&A<YX 第3章 快速-全芯片计算光刻技术92 t!Sq A(-V 3.1 压缩感知计算光刻技术92 lL1k.&|5m 3.1.1 压缩感知光源优化技术92 !*- >;:9B 3.1.2 非线性压缩感知光源-掩模优化技术104 bR@p<;G| 3.2 贝叶斯压缩感知计算光刻技术113
:Gm/ 3.2.1 贝叶斯压缩感知光源优化技术113 ()&~@1U 3.2.2 非线性贝叶斯压缩感知光源-掩模优化技术122 2 41*! 3.3 全芯片压缩感知计算光刻技术129 iq(
)8nxi 参考文献133 L
"sO+4w 第4章 高稳定-高保真计算光刻技术137 BIuK @$ 4.1 误差对计算光刻的影响137 W9NX=gE4 4.1.1 波像差与偏振像差的定义与表征137 L(&&26Y 4.1.2 波像差对计算光刻的影响138 &0f5:M{P 4.1.3 偏振像差对计算光刻的影响141 ;WR,eI.. 4.1.4 光源非均匀性与杂散光对计算光刻的影响142 F:x [ 4.2 高稳定-高保真光源-掩模优化技术145 H"A7Zo 4.2.1 低误差敏感度的光源-掩模优化技术145 tcxcup% 4.2.2 全视场多目标光源-掩模优化技术168 II6CHjW`; 4.3 高稳定-高保真光瞳优化技术183 mI 74x3 [ 4.3.1 多目标标量光瞳优化技术184 pz"0J_xDM 4.3.2 多目标矢量光瞳优化技术200 <&C]sb 参考文献212 e7wSOs 第5章 光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻技术215 E>l~-PaZY 5.1 多参数协同优化技术基础215 98^V4maR: 5.1.1 工艺参数对图形保真的影响215 13taFVdU 5.1.2 多目标函数构建219 kc0E%odF.v 5.1.3 多参数协同优化方法219 #%DE; 5.2 多参数协同优化技术及应用222 6Ybg^0m 5.2.1 零误差光刻系统的多参数协同优化技术及应用222 (o`{uj{! 5.2.2 非零误差光刻系统的多参数协同优化技术及应用227 UFMA:o, 参考文献231 |\pbir
|