先进计算光刻
先进计算光刻技术是集成电制造装备和工艺的核心技术。本书主要介绍作者在20余年从事光刻机研发中,建立的先进计算光刻技术,包括矢量计算光刻、快速-全芯片计算光刻、高稳定-高保真计算光刻、光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻等,能够实现快速-高精度-全曝光视场-低误差敏感度的高性能计算光刻。矢量计算光刻包括零误差、全光路严格的矢量光刻成像模型及OPC和SMO技术。快速-全芯片计算光刻包括压缩感知、贝叶斯压缩感知、全芯片压缩感知计算光刻技术。高稳定-高保真计算光刻包括低误差敏感度的SMO技术、全视场多目标SMO技术、多目标标量和矢量光瞳优化技术。光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻包括含偏振像差、工件台振动误差、杂散光误差的光刻设备-掩模-工艺多参数协同优化技术。解决传统计算光刻在零误差假设、局域坐标系、理想远心、单个视场点获得的掩模-光源,无法最佳匹配实际光刻系统之所需,导致增加工艺迭代时间的问题。 F7JF1HfCP
[attachment=134179] nZ#0L`@"Y 目录 OTWp,$YA= 序 P u,JR 前言 b4>1UZGW- 第1章 绪论1 Z (C0+A\ 1.1 光刻机和光刻成像1 D8)6yPwE 1.1.1 光刻机简史1 LDj*~\vsq 1.1.2 光刻成像及其性能指标2 nRheByYm 1.1.3 影响光刻成像性能的主要因素3 'E4}++\ 1.2 传统分辨率增强技术7 @"/:Omh 1.2.1 离轴照明7 '~AR|8q? 1.2.2 相移掩模8 Z4D[nPm$ 1.2.3 基于规则的光学邻近效应校正9 `~2I 1.2.4 偏振照明9 J,t`ilT 1.3 计算光刻技术11 *m[[>wE 1.3.1 光刻成像模型11 "_n})s
f 1.3.2 先进计算光刻目标函数14 J{PNB{v 1.3.3 先进计算光刻算法16 a}'dIDj 参考文献18 }EN-WDJD\ 第2章 矢量计算光刻技术24 WL}XD
Kx 2.1 矢量光刻成像理论基础24 l6pvQ| 2.1.1 二维矢量成像模型24 $[+)N~ 2.1.2 三维严格矢量光刻成像模型31 p4z
thdN[ 2.1.3 二维-三维的矢量光刻成像分析38 HD>UTX`&mc 2.2 零误差矢量计算光刻技术47 Gw+pjSJL` 2.2.1 采用矢量成像模型的OPC技术47 h|OWtf4 2.2.2 采用矢量成像模型的SMO技术68 Er<!8;{?
参考文献88 !iU$-/,1 e 第3章 快速-全芯片计算光刻技术92 X1^Q1?0 3.1 压缩感知计算光刻技术92 OF O,5 3.1.1 压缩感知光源优化技术92 Dh)(?"^9A 3.1.2 非线性压缩感知光源-掩模优化技术104 KDLrt 3.2 贝叶斯压缩感知计算光刻技术113 !Mj28 3.2.1 贝叶斯压缩感知光源优化技术113 8Bx58$xRq 3.2.2 非线性贝叶斯压缩感知光源-掩模优化技术122 q)OCY}QA 3.3 全芯片压缩感知计算光刻技术129 FA}y"I'W 参考文献133 \-r"%@OkW 第4章 高稳定-高保真计算光刻技术137 @81N{tg- 4.1 误差对计算光刻的影响137 kp^q}iS 4.1.1 波像差与偏振像差的定义与表征137 =&WH9IKz |