先进计算光刻
先进计算光刻技术是集成电制造装备和工艺的核心技术。本书主要介绍作者在20余年从事光刻机研发中,建立的先进计算光刻技术,包括矢量计算光刻、快速-全芯片计算光刻、高稳定-高保真计算光刻、光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻等,能够实现快速-高精度-全曝光视场-低误差敏感度的高性能计算光刻。矢量计算光刻包括零误差、全光路严格的矢量光刻成像模型及OPC和SMO技术。快速-全芯片计算光刻包括压缩感知、贝叶斯压缩感知、全芯片压缩感知计算光刻技术。高稳定-高保真计算光刻包括低误差敏感度的SMO技术、全视场多目标SMO技术、多目标标量和矢量光瞳优化技术。光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻包括含偏振像差、工件台振动误差、杂散光误差的光刻设备-掩模-工艺多参数协同优化技术。解决传统计算光刻在零误差假设、局域坐标系、理想远心、单个视场点获得的掩模-光源,无法最佳匹配实际光刻系统之所需,导致增加工艺迭代时间的问题。 X voo=
[attachment=134179] BqD'8zLD 目录 Gn ~6X-l 序 56zL"TF` 前言 B9NWW6S 第1章 绪论1 $5ak_@AC 1.1 光刻机和光刻成像1 qz0;p=$8Z 1.1.1 光刻机简史1 {^\+iK4bS 1.1.2 光刻成像及其性能指标2 jRJn+ 1.1.3 影响光刻成像性能的主要因素3 W-?()dX{ 1.2 传统分辨率增强技术7 i36eBjT 1.2.1 离轴照明7
h*w%jdQ6 1.2.2 相移掩模8 DAcQz4T` 1.2.3 基于规则的光学邻近效应校正9 mID"^NOi# 1.2.4 偏振照明9 ]yK7PH-{L 1.3 计算光刻技术11 '>cKH$nVC} 1.3.1 光刻成像模型11 _B/dWA,P 1.3.2 先进计算光刻目标函数14 <<+\X:, 1.3.3 先进计算光刻算法16 3%E }JU?MM 参考文献18 BJM.iXU)[ 第2章 矢量计算光刻技术24 eYN5;bx)W 2.1 矢量光刻成像理论基础24 g#Sl %Y 2.1.1 二维矢量成像模型24 VF?<{F 2.1.2 三维严格矢量光刻成像模型31 "alyfyBu'M 2.1.3 二维-三维的矢量光刻成像分析38 '98VYCL 2.2 零误差矢量计算光刻技术47 pTPi@SBaP{ 2.2.1 采用矢量成像模型的OPC技术47 fI{&#~f4C 2.2.2 采用矢量成像模型的SMO技术68 Sjvdirr 参考文献88 ==3dEJS 第3章 快速-全芯片计算光刻技术92 jbVECi- 3.1 压缩感知计算光刻技术92 ~<_2WQ/$ 3.1.1 压缩感知光源优化技术92 ADDSCY=, 3.1.2 非线性压缩感知光源-掩模优化技术104 r'^Hg/Jzt 3.2 贝叶斯压缩感知计算光刻技术113 nqI@Y) 3.2.1 贝叶斯压缩感知光源优化技术113 i;/5Y'KZ 3.2.2 非线性贝叶斯压缩感知光源-掩模优化技术122 Y9uC&/_C 3.3 全芯片压缩感知计算光刻技术129 YH vLGc% 参考文献133 fGUE<l 第4章 高稳定-高保真计算光刻技术137 3Z5D)zuc 4.1 误差对计算光刻的影响137 kCR_tn
4 4.1.1 波像差与偏振像差的定义与表征137 *=]&&< 4.1.2 波像差对计算光刻的影响138 ^@3sT,M,S 4.1.3 偏振像差对计算光刻的影响141 Nl^;A><u 4.1.4 光源非均匀性与杂散光对计算光刻的影响142 9$cWU_q{ 4.2 高稳定-高保真光源-掩模优化技术145 WY?[,_4U 4.2.1 低误差敏感度的光源-掩模优化技术145 NdMb)l)m 4.2.2 全视场多目标光源-掩模优化技术168 7gj4j^a^]{ 4.3 高稳定-高保真光瞳优化技术183 *5%d XixN 4.3.1 多目标标量光瞳优化技术184 _P0T)-X\( 4.3.2 多目标矢量光瞳优化技术200 +x0!*3q 参考文献212 _ FpTFfB 第5章 光源-掩模-工艺多参数协同计算光刻技术215 1_9<3,7 5.1 多参数协同优化技术基础215 }& cu/o4 5.1.1 工艺参数对图形保真的影响215 yE:+Lo`> 5.1.2 多目标函数构建219 c3jx+Q
5.1.3 多参数协同优化方法219 c0,0`+2~ 5.2 多参数协同优化技术及应用222 ?[@J8 5.2.1 零误差光刻系统的多参数协同优化技术及应用222 /t+f{VX$ 5.2.2 非零误差光刻系统的多参数协同优化技术及应用227 B"h#C!E 参考文献231 ED=V8';D
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