OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器
主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: Ftv8@l • 定义MMI耦合器的材料; [$a<b/4 • 定义布局设定; rg5]&<Vq8 • 创建一个MMI耦合器; M=y0PCD • 插入输入面; *
OsU Y=; • 运行模拟; '<@=vGsye • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 &Y7C0v *7" L]6 1. 定义MMI耦合器的材料 B9X8 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: S#8>ZwQ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ {J]-<:XD E'c%d[:H,
图1.初始性能对话框 -2i\G .,J 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” l#bAl/c` IfV
3fJ7
图2.轮廓设计窗口 Ct]A%=cZW 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
/\=MBUN 0{) $SY v-`h>J!Nx
图3.电介质材料创建窗口 jm3G?Vnq 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: 0^~\COa − Name : Guide 6EJVD!#[K − Refractive Index (Re) : 3.3 1S$h<RIPAc − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 (/h5zCc/v w([$@1]
图4.创建Guide材料 [@"wd_f{l 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: H4<Nnd\ − Name : Cladding *P2[qhP2 − Refractive Index (Re) : 3.27 Qw)9r{f − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 K: r\{#9 ~kKrDLW+
图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 fgF;&(b 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: .px:e)iW − Name : Guide_Channel ~]uZy=P? 5 − 2D profile definition: Guide ?m;;D'1j − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 mBk5+KyT !/I0i8T
图6.构建通道 V#83! 2. 定义布局设定 \#dl6:" 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: l1+[ 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 G&9#*<F$c − Width:2.8 IA*KaX2S< 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 ZR3nK0 − Profile:Channel-Guide MZv\ C
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置 ?tYpc_p# 1BTIJ G w 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: "x*-PFT − Length:5300 uS5o?fg\e − Width:60 KMjg;!y 图8.设置晶圆尺寸 dpzw.Z & |