OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器
主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: ^ d\SPZ • 定义MMI耦合器的材料; w0Ij'=: • 定义布局设定; 25em[Q:
• 创建一个MMI耦合器; 5"=:#zN • 插入输入面; bK=c@GXS • 运行模拟; xzikD,FV • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 - ]Y wl 6P+DnS[] 1. 定义MMI耦合器的材料 >saI+u'o 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: )%mAZk-*;^ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ M#M?1(O/NE tWk{1IL
图1.初始性能对话框 y8?t-Pp]1 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” yGEb7I$h _T]>/}}p
图2.轮廓设计窗口 -P#nT 2 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 ~3=2=Uf "DjU:*' 9#@Zz4Ww
图3.电介质材料创建窗口 ma]?
)1<{ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: 295w.X(J − Name : Guide cU+>|'f& − Refractive Index (Re) : 3.3 YzV(nEW − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 t _\MAK yWHne~!
图4.创建Guide材料 :]c=pH 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: >&hX&,hG − Name : Cladding ;$;rD0i| − Refractive Index (Re) : 3.27 |s|/]aD}o − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 263*: Y Taasi`
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图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 }ywi"k4> 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: AZwa4n}" − Name : Guide_Channel RgGA$HN/ − 2D profile definition: Guide 1nB@zBQu- − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 `Bu9Nq F5IZ"Itu(
图6.构建通道 Wk[)+\WQ? 2. 定义布局设定 _?b;0{93u 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: $L&BT 0 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 H[BYE
− Width:2.8 -S$$/sR 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 m!Af LSlwm − Profile:Channel-Guide \)R-A
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图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置 QUp?i
D rTM$) 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: a#QByP − Length:5300 P6we(I`"2 − Width:60 )E`+BH 图8.设置晶圆尺寸 DMMLzS0A [&daG |