首页 -> 登录 -> 注册 -> 回复主题 -> 发表主题
光行天下 -> 光学薄膜设计,工艺与设备 -> 随便聊聊离子源 [点此返回论坛查看本帖完整版本] [打印本页]

ouyuu 2025-08-10 23:06

随便聊聊离子源

近几年国内兴起来很多镀膜机制造厂家，老牌的国外镀膜机厂家日渐衰微。 W}0cM9 g  
国外厂家以前值得夸耀的离子源系统和光控系统国内也基本攻克了，也就是稳定性上有点优势。 gfU@`A_N"  
>x0)  
国内镀膜机上常见的离子源应该是霍尔源和射频源。 W, YYL(L  
这两种源都利用了磁场--电子在磁场做圆周（螺旋）运动， ^{+,j}V_H  
从而增加了电子在空间的行程，增加了和工作气体碰撞的几率。 A."]6R<  
不同的是霍尔源一般是永磁铁，磁场没有变化； I4RUXi 5  
而射频源是震荡磁场，磁场会周期变化，电子也会周期振荡。 K H&o`U(}  
霍尔源一般没有栅极，所以离子的能量（电压）比较小，但是数量（电流）可以很大； x } X1 O)  
射频源有栅极，所以离子能量（电压）可以加的很高，但是数量（电流）有限制。 X`' @ G  
一般镀膜时候离子电压在1kv水平就够了； -s5>GwZt  
离子能量增大到10kv水平，这个能量能把基材表面的颗粒打飞，一般用于离子溅射； DM[gjfMXu  
离子能量加大到几百万电子伏特时，能把离子直接打进基材里面，这个就用在离子注入机上。 FM=- ^l,  
27CVAX ghV  
射频源的难点在于栅网和射频匹配， [e.@Yx_}  
栅网受热会膨胀变形，而栅网之间通常离得很近，受热变形后就容易接触打火。 tg|7\Z7i  
新的栅网还好说，随着栅网越用越薄，变形的几率就越来越大。 J\fu6Ti  
进口栅网一般是整块钼块掏制的，就是为了克服受热变形。 IJzPWs5W:  
用钼板旋压则制作成本较低，但是变形量比掏制的要大很多。 @Y| %  
\[MQJX,dn  
射频匹配就是调整可变电容来匹配射频震荡回路，使得反射电流最小化。 {CH *?|t  
一般只要接触良好，线圈不发生变形，LC震荡回路的匹配值只和真空度和气体有关， *v6 j7<H  
离子源本体因为会要切换气体（一般是Ar和O2），所以必须自动匹配， %!HBPLk  
中和器只用Ar，所以匹配好了基本上不会变化。 z pV+W-j]  
如果发生反射很高的情况，要么就是接触产生问题了，要么就是线圈变形了， c!20(( 2|I  
或者就是哪里对地短路了。
quan6658 2025-08-16 13:54
那如果射频离子源报加速电流异常一般是什么原因造成的？栅网也没有发现有破损或掉渣，但是栅网中间部分会有局部出现与其它地方不一致颜色的扭曲线条，像个W Z7:TPY$b  
ouyuu 2025-08-23 17:57
是哪家的离子源，不同厂家的离子源加速极位置不一样。 j 5{ "j  
有照片最好发一下，有可能是打火。 gPYF2m  
栅网之间位置过近或者孔位偏差会造成打火。 9d8bh4[  
+GDT@,/  
有可能是没装好，也有可能是本身栅网的问题。
囊中蓄乾坤 2025-08-27 17:12
学习了。之前有个一直反射电流高，后面就是换了那个电容才OK。今天看了这个好像明白了一点。谢谢分享。
quan6658 2025-08-30 16:40
ouyuu:是哪家的离子源，不同厂家的离子源加速极位置不一样。 CpG]g>]L&[  
有照片最好发一下，有可能是打火。 ;kv/(veQ1<  
栅网之间位置过近或者孔位偏差会造成打火。 f:_mrzz  
有可能是没装好，也有可能是本身栅网的问题。 (2025-08-23 17:57)  K[/sVaPZ  
3|qT.QR`Z  
没有拍照，网子已经打磨了
quan6658 2025-08-30 16:44
镀红外膜用霍尔源是比射频源更好吗？我们用霍尔源镀红外膜料，怕膜料氧化，离子源充气都是氩气，结果气体分配片消耗好大，感觉气体分配片的金属都镀到膜里面去了，气体分配片用不了40小时就穿孔了，这个该怎么去设置气体？是不是还是要充一些氧或者改用特殊材质的气体分配片，现在用的气体分配片是不锈钢的
ouyuu 2025-09-03 01:30
quan6658:镀红外膜用霍尔源是比射频源更好吗？我们用霍尔源镀红外膜料，怕膜料氧化，离子源充气都是氩气，结果气体分配片消耗好大，感觉气体分配片的金属都镀到膜里面去了，气体分配片用不了40小时就穿孔了，这个该怎么去设置气体？是不是还是要充一些氧或者改用特殊材质的气体分配片，现在 .. (2025-08-30 16:44)  CR KuN  
FK~FC:K  
射频源因为离子速度高（加速电压高），所以对折射率的提高比较大， Rfuq(DwD6  
也就是说折射率的稳定性来讲，射频源不如霍尔源。（因为霍尔源提高不多） GI ~<clhf  
红外膜因为厚度大，如果没有直控的话，确实霍尔源要比射频源更容易控制。 yi-S^  
因为折射率来讲霍尔源更稳定。 V < ;vy&&  
ZBX,4kxK7  
红外膜料是硫化锌吗？硫化锌只能用氩气。 sb^%eUU])  
气体分配片你可以选用一些高熔点的金属做，不过成本会很高。 D;RZE  
比如说钨、钼、石墨……
quan6658 2025-09-09 14:54
ouyuu:射频源因为离子速度高（加速电压高），所以对折射率的提高比较大， '&<T;V%  
也就是说折射率的稳定性来讲，射频源不如霍尔源。（因为霍尔源提高不多） \@ j YY~  
红外膜因为厚度大，如果没有直控的话，确实霍尔源要比射频源更容易控制。 ^/k`URQ  
因为折射率来讲霍尔源更稳定。 9*"Ae0ok1  
....... (2025-09-03 01:30)  :Jz@`s1n  
Mr8r(LGY  
谢谢版主解答
恶魔拉小手 2025-11-19 15:52
quan6658:镀红外膜用霍尔源是比射频源更好吗？我们用霍尔源镀红外膜料，怕膜料氧化，离子源充气都是氩气，结果气体分配片消耗好大，感觉气体分配片的金属都镀到膜里面去了，气体分配片用不了40小时就穿孔了，这个该怎么去设置气体？是不是还是要充一些氧或者改用特殊材质的气体分配片，现在 .. (2025-08-30 16:44)  @y#QHJ.j  
7xmyjy%c  
我们做红外用的都是考夫曼源
查看本帖完整版本: [-- 随便聊聊离子源 --] [-- top --]

Copyright © 2005-2026 光行天下 蜀ICP备06003254号-1 网站统计