TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真

D"x;/I   1. 建模任务 z}>q/!q   1.1 模拟条件 WInfn f+'   模拟区域：0~10 ws!pp\F   边界条件：Periodic fwe4f   偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） pX5#!)   单位长度：0.5 4CUzp.S`h   UcZ20inj0   _$g2;X >   1.2堆栈结构 LHQ$0LVt>T   KaEL*   2. 建模过程 v}vwk8   2.1设置模拟条件 rb"J{^   ?pE)K<+Zkf   nY]5pOF:   2.2创建堆栈结构，修改各层参数 ?Xdb%.    #qx$ p   zEHX:-f8   2.3创建掩膜并生成多畴结构 z|pC*1A\   C;mcb$@   3. 结果分析 Pdq}~um3{   3.1 指向矢分布和透过率 ,~z*V;y)   %T~3xQ   c#-o@`Po   3.2所有畴的V-T曲线 {`-f<>N3   ><t4 f(d   /6K9? /   3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 V8Lp%*(3

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