TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真

.i \wE@v   1. 建模任务 `i{4cT8:   1.1 模拟条件 V?WMj $l<   模拟区域：0~10 K+t];(   边界条件：Periodic $u-lo|   偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） DwC@"i.   单位长度：0.5 m4\g o   R=DPeUy;   O^Dc&w   1.2堆栈结构 =z']s4    s2%0#6c'c   2. 建模过程 T7X!#j"\   2.1设置模拟条件 jS}'cm-   ^$?7H>=_ha   G:){^Z?   2.2创建堆栈结构，修改各层参数 7j{Te )"   rQuOt   5]Z]j[8Y   2.3创建掩膜并生成多畴结构 N+[}Gb"8q   >cSi/a,L   3. 结果分析 +&zb^C`J   3.1 指向矢分布和透过率 *%]+sU   `,Q<YT ~   SSo~.)J   3.2所有畴的V-T曲线 'II vub#q   nN!vgn j   [cY?!Qd0   3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 " -<}C%C

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