TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真

`Q%NSU ?   1. 建模任务 nGa1a   1.1 模拟条件 Lk.h.ST   模拟区域：0~10 0Nr\2|   边界条件：Periodic h<3p8eB   偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） $qm~c[x%   单位长度：0.5 CC8k&u,   b5 Q NEi   (9GbG"    1.2堆栈结构 5py R~+   *not.2+   2. 建模过程 K{L.ZH>7   2.1设置模拟条件 ,sDr9h/'C3   3N<&u    _D-Riu>#J   2.2创建堆栈结构，修改各层参数 -p8e   0IzZKRw   dl D}Ub   2.3创建掩膜并生成多畴结构 zj20;5o>U&   nW5K[/1D   3. 结果分析 <lo`q<q   3.1 指向矢分布和透过率 }gCHQ;U7`   ~:2K#q5C   YIOR$   3.2所有畴的V-T曲线 6tdI6   A&N*F"q   %h+uD^^$   3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 Q!$IQJ]|Y

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