TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真

X=S}WKu   1. 建模任务 $i1>?pb3   1.1 模拟条件 :X1`wBu   模拟区域：0~10 :epitpJ   边界条件：Periodic KD[)O7hYC   偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） g7E`;&f   单位长度：0.5 -y7l?N5F>   $g}/T_26   UgOGBj,&5W   1.2堆栈结构 $G^H7|PzdC   f_z2#,g   2. 建模过程 ]ly)z[is"]   2.1设置模拟条件 q\{;_?a   K284R=j -&   bUipp\[aV   2.2创建堆栈结构，修改各层参数 bKZAJLnd   RPScP   ~@a) E+LsF   2.3创建掩膜并生成多畴结构 ( SC7m/   g*"J10hyP   3. 结果分析 AR[M8RA   3.1 指向矢分布和透过率 A_X^k|)T   ]ci|$@V   L@^!(   3.2所有畴的V-T曲线 {kY`X[fvZ   $AL|d[[T[   U3VsMV*Y   3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 6832N3=

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