TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真

26n^Dy>}   1. 建模任务 =xianQ<lK   1.1 模拟条件 rx:z#"?I   模拟区域：0~10 y}08~L?2   边界条件：Periodic k8]O65t|   偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） W9zE{)Sc~   单位长度：0.5 c6Q(Ygc   OJb*VtZz5R   kWj \x|E   1.2堆栈结构 V84*0&qOW   #hw/^AaD-   2. 建模过程 Brd,Eg   2.1设置模拟条件 sn{AwF%   %}>dqUyQ   o5aLUWi-   2.2创建堆栈结构，修改各层参数 W}'WA   DW(~Qdk   iwY'4Z e   2.3创建掩膜并生成多畴结构 ~2_lp^Y   C+NF9N   3. 结果分析 vs&8wbS)   3.1 指向矢分布和透过率 &GWkq>   uM(UO,X   !Ngw\@f   3.2所有畴的V-T曲线 m|svQ-/j   dv N<5~   l)+:4N?iVv   3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 sNU}n<J-

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