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infotek 2025-04-02 08:13

TechWiz LCD 2D应用:多畴IPS仿真

';\gR/L  
1. 建模任务 eQVPxt2N  
1.1 模拟条件 62l0 Z-  
模拟区域:0~10 '#i]SU&*  
边界条件:Periodic ^=Ct Aa2  
偏移角度:12°(Domain A),-12°(Domain B) XH:gQ9FD  
单位长度:0.5 FNm6/_u3  
!8@rK$DB  
Y `7#[g  
1.2堆栈结构
rK QASRF5*  
&<V_[Wh"  
2. 建模过程 ,Q=)$ `%  
2.1设置模拟条件 :n4:@L<%H  
@ZkAul0@  
)*K<;WI WH  
2.2创建堆栈结构,修改各层参数 n *i'vtQ8  
QYTTP6 Gz+  
"-Q Rkif  
2.3创建掩膜并生成多畴结构
u:uSsAn0$  
g{W6a2  
3. 结果分析 $JhZ'Z  
3.1 指向矢分布和透过率 8f,'p}@!d  
'ztL3(|X6  
nKh%E-c  
3.2所有畴的V-T曲线 V4eng "  
Wz-3?EQ  
@nx}6?p\,  
3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围 8PoHBOxpc  
[+ 'B Q  
ikY]8BCc  

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