TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真

\h,S1KmIBD   1. 建模任务 i|)<#Ywl   1.1 模拟条件 wh[XJ_xY   模拟区域：0~10 )&;?|X+p   边界条件：Periodic bL]*K$   偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） W`C2zbC   单位长度：0.5 nO,<`}pV   u-f_,],p   ZlUd^6|:3   1.2堆栈结构 Gt2NUGU   1|q$Wn:*   2. 建模过程 0[H'l",~   2.1设置模拟条件 BD\xUjd?)Q   t+|c)"\5h   `Q' 0 l},   2.2创建堆栈结构，修改各层参数 E#Smi507p   Y2"X;`<   v\'Eo*4   2.3创建掩膜并生成多畴结构 Z455g/=ye   Ma2sQW\   3. 结果分析 _qR1M):yJ   3.1 指向矢分布和透过率 b$l@Z&[]   ^%VMp>s   V{HP8f91   3.2所有畴的V-T曲线 J/: 9;{R   T&H[JQ/h   Nv{r`J.   3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 ogtKj"a

4. 7m*

C{`+h163\