hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 wUj#ACqB  
极紫外光刻 (EUV)   {?zBc E:  
严格的 OPC 和源优化 RdirEH*H  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 [T<Z?  
可检测性 bRhc8#kw)  
印刷适性 4dgo*9  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) \a.^5g  
双重图案   &Se!AcvKF  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 BKfkB[*F  
光刻冻结 光刻蚀刻 G|h@O'  
侧壁间隔物 c=52*&  
晶圆形貌效应 [`]h23vRW  
非平面光阻 hbOyrjanx  
首次接触时的潜在特征   lQ]8PR t8  
相移掩模版 @uJ^k >B  
a#k
=! W  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 
#AN]mH  
相位缺陷 ?c;T4@mB  
湿法蚀刻/双沟槽 TJhzyJ
"t  
无铬相光刻 n$03##pf  
衰减相移掩模版 +pefk+  
脱保护收缩的 NTD 'Wv`^{y <^  
SEM 诱导收缩 dP7nR1GS  
EUV 和 DUV 的随机效应 43HZ)3!me  
PEB 扩散效应 Ul`~d !3zH  
表面抑制 'PBuf:9lN  
温度效应 0&@pD`K e  
侧壁分析 :=J^"c  
内外角偏差分析 uYu/0fQD  
拉回 R'Uw
17I  
最高亏损 '20
SoVp  
I/&uiC{l@  
薄膜堆叠分析 4L`<xX;:{  
0Gr^#`  
BARC 优化 $}TK,/W  
多层镜反射率 p3L0'rY|+  
抵抗厚度效应