hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 x]4>f[>*>  
极紫外光刻 (EUV)   kN 0N18E  
严格的 OPC 和源优化 VAe[x `  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 F4ylD5Y!  
可检测性 
1Cw$^jd  
印刷适性 K;>9K'n  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) Fw#1?/K
~  
双重图案   E[BM0.#bZ  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 lB!M;2^)X  
光刻冻结 光刻蚀刻 @iB
mOt>3  
侧壁间隔物 %:OX^^i;  
晶圆形貌效应 0}'/3Q  
非平面光阻 t5P8?q\  
首次接触时的潜在特征   dh%
DALZ8t  
相移掩模版 TpdYU*z_Br  
u EERNo&  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 hb9HVj  
相位缺陷 u7 <VD  
湿法蚀刻/双沟槽 vjA!+_I6  
无铬相光刻 ]!s@FKC{;  
衰减相移掩模版 :%+9y @%  
脱保护收缩的 NTD en6;I[\  
SEM 诱导收缩 SQ'%a-Mct  
EUV 和 DUV 的随机效应 BaMF5f+  
PEB 扩散效应 ,4;'s  
表面抑制 Zb'a+8[  
温度效应 %:sP#BQM  
侧壁分析 gtqtFrleG  
内外角偏差分析 Oh,Xjel  
拉回 A.RG8"  
最高亏损 ^ q3H  
/)?qD
 
薄膜堆叠分析 `P$X`;SwE  
,kl``w|1M  
BARC 优化 |qU~({=b  
多层镜反射率 9hJ  a K  
抵抗厚度效应