hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 ^k!u  
极紫外光刻 (EUV)   ,km`-6.2?  
严格的 OPC 和源优化 Ev&aD  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 +b{tk=Q:  
可检测性 `>`{DEDx{5  
印刷适性 Zy6>i2f4f  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) ))J#t{X/8v  
双重图案   ZMch2 U8  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 ;(LC{jY  
光刻冻结 光刻蚀刻 "=0JYh)%_  
侧壁间隔物 gn[h:+H
&  
晶圆形貌效应 wA6<BujD  
非平面光阻 JwUz4  
首次接触时的潜在特征   8HdjZ!  
相移掩模版 7] 17?s]t,  
KPa&P:R3  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 MUp{2_RA  
相位缺陷 Gdlx0i  
湿法蚀刻/双沟槽 ae] hCWK  
无铬相光刻 u~2
7\oj,  
衰减相移掩模版 QC+BEN$  
脱保护收缩的 NTD d C6t+  
SEM 诱导收缩 h8HA^><Xr  
EUV 和 DUV 的随机效应 <2PO3w?Z  
PEB 扩散效应 bd`}2vr  
表面抑制 tEllkHyef  
温度效应 {^Q1b.=  
侧壁分析 o]0\Km  
内外角偏差分析 \05 n$.  
拉回 PL
7_j  
最高亏损 y;tX`5(fe  
u]t#Vf-$u  
薄膜堆叠分析 YGkk"gFIA  
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BARC 优化 WO{9S%ck  
多层镜反射率 50`<[w<J q  
抵抗厚度效应