hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 107SXYdhI  
极紫外光刻 (EUV)   wwz<c5  
严格的 OPC 和源优化 q[lqEc  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 8:bNFgJD  
可检测性 &V L<Rx  
印刷适性 0a5P@;"a  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) XA68H!I  
双重图案   I uDk9<[b:  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 =k z;CS+  
光刻冻结 光刻蚀刻 |%}?*|-  
侧壁间隔物 Z[VKB3Pb8  
晶圆形貌效应 "yumc5kt  
非平面光阻 (@Bm2gH  
首次接触时的潜在特征   2_Qzc&"[ 4  
相移掩模版 03PVbDq-  
%M`&}'6'  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 pFuQ!7Uk  
相位缺陷 -uZ^UG!K  
湿法蚀刻/双沟槽 [*(MI 9WM  
无铬相光刻 %j,Ny}a  
衰减相移掩模版 ;&!l2UB%  
脱保护收缩的 NTD @tA.^k0`  
SEM 诱导收缩 ZI1RB fR  
EUV 和 DUV 的随机效应 tkmW\  
PEB 扩散效应 ,\M'jV"SK  
表面抑制 gM8eO-d  
温度效应 SO%5ts  
侧壁分析 ?cJ$=  
内外角偏差分析 lc#H%Qlg  
拉回 )UeG2dXx7  
最高亏损 ?/\;K1c p  
e0TnA N  
薄膜堆叠分析 =cQwR:):  
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BARC 优化 B
.|vmq,u  
多层镜反射率 Dj|S  
抵抗厚度效应