hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 SA"4|#3>7  
极紫外光刻 (EUV)   yqJ>Z%)hf  
严格的 OPC 和源优化 uI)z4Z  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 rIyIZWkI  
可检测性 1JS5 LS  
印刷适性 |+-b#Sa9  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) t|&hXh{  
双重图案   ,S}wOjb@  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 .F/l$4CQ  
光刻冻结 光刻蚀刻 )):D&wlq  
侧壁间隔物 #pD=TMefC  
晶圆形貌效应 ) [)1  
非平面光阻 F(U(b_DPM  
首次接触时的潜在特征   kT^`j^Jr  
相移掩模版 n>o=RQ2  
ASS<XNP  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 1"l48NLL|  
相位缺陷 ,]@Sytky  
湿法蚀刻/双沟槽 (^ J2(  
无铬相光刻 >'3nsR  
衰减相移掩模版 3cH^ ,F  
脱保护收缩的 NTD U,<?]h  
SEM 诱导收缩 PywUPsJ  
EUV 和 DUV 的随机效应 4SkCV  
PEB 扩散效应 khP Ub,  
表面抑制 V' sq'XB  
温度效应 ;MO,HdP;  
侧壁分析 e9F+R@8  
内外角偏差分析 _bCIVf`  
拉回 |i(@1 l  
最高亏损 L>`inrpz=w  
b\SB  
薄膜堆叠分析 oC TSV  
7%|HtBXv^  
BARC 优化 m.yt?`  
多层镜反射率 Mn*v&O:  
抵抗厚度效应