hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 ~ra#UG\Y8  
极紫外光刻 (EUV)   eA3`]XP.`b  
严格的 OPC 和源优化 ,Zf :R  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 ;9 =}_h)]  
可检测性 xc:`}4  
印刷适性 ~gSF@tz@  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) n0Qh9*h  
双重图案   GGFar\ EzW  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 COxZ
Q  
光刻冻结 光刻蚀刻 p,M3#^ q  
侧壁间隔物 p~v2XdR  
晶圆形貌效应 Fh*q]1F
 
非平面光阻 >w%d'e$  
首次接触时的潜在特征   yfRUTG  
相移掩模版 ;m2"cL>{l  
~(Ih~/5\^  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 8=ukS_?Vy  
相位缺陷 +?4*,8Tmmz  
湿法蚀刻/双沟槽 *K0j5dx  
无铬相光刻 jQH5$  
衰减相移掩模版 R#[QoyJ  
脱保护收缩的 NTD ;]l{D}  
SEM 诱导收缩 {9m!UlTtw  
EUV 和 DUV 的随机效应 < -@,  
PEB 扩散效应 )<H 91:.  
表面抑制 mGMinzf  
温度效应 b#/V;  
侧壁分析 4iL.4Uj{N  
内外角偏差分析 (;Dn%kK  
拉回 Zu [?'  
最高亏损 h4$OXKme?  
SopNtcu!  
薄膜堆叠分析 c(_oK ?  
N9>'/jgZX  
BARC 优化 v4Fnh`{  
多层镜反射率 #J<`p  
抵抗厚度效应