hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 %t([  
极紫外光刻 (EUV)   :5L9tNr{_  
严格的 OPC 和源优化 Be68 Fu0  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 exiCy1[+  
可检测性 CSN]k)\N(  
印刷适性 N32!*TsWs  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) Sy6Y3 ~7  
双重图案   O'Lgb9  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 j,K]TJ  
光刻冻结 光刻蚀刻 iN %kF'&9  
侧壁间隔物 po}Jwx!  
晶圆形貌效应 21O!CvX  
非平面光阻  O3bo3Cm$  
首次接触时的潜在特征   <T>C}DGw  
相移掩模版 f\nF2rlu  
L%# #U'e3  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 il(dVW  
相位缺陷 v/ dSz/<]  
湿法蚀刻/双沟槽 u7=`u/  
无铬相光刻 QmvhmsDL  
衰减相移掩模版 >)YaWcI  
脱保护收缩的 NTD gI~Ru8  
SEM 诱导收缩 t|0Zpp;  
EUV 和 DUV 的随机效应 ,]gYy00w0s  
PEB 扩散效应 t4R=$ km  
表面抑制 ypM0}pdvTp  
温度效应 lEL&tZ}  
侧壁分析 IP~*_R"bM  
内外角偏差分析 ^vS+xq|4"  
拉回 tY-{uHW&h  
最高亏损 \Bg;}\8X  
=B@owx  
薄膜堆叠分析 v@_b"w_TY  
UIc )]k%  
BARC 优化 ak 94"<p  
多层镜反射率 `rzgC \  
抵抗厚度效应