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 hyperlith光刻功能 Ra)3+M!x  极紫外光刻 (EUV)   !![DJ
 严格的 OPC 和源优化  ]
{RDV A=]
 嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状  -;s|
 可检测性  >*~L28Fyn
 印刷适性  dyz2.ZY~2
 离轴阴影效应、HV 偏差(包括非常量散射系数)吸收器堆栈分析(EM-Stack)吸收器轮廓(侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC(小面积)多层镜面结构 (PSM)  	W#9BNKL
 双重图案   PCHu#5j_a
 光刻蚀刻 光刻蚀刻  \FQRNj?'_
 光刻冻结 光刻蚀刻  o	|{5M|nD
 侧壁间隔物  kj#?whK6~
 晶圆形貌效应  k^3>Y%^1
 非平面光阻  *'Sd/%8{
 首次接触时的潜在特征   }NHaCG[,
 相移掩模版  p|X"@kuseO
 Qf~vZtJ+J
 交替 PSM:移位和不移位开场之间的强度不平衡  <GS^
 相位缺陷  %P;lv*v.
 湿法蚀刻/双沟槽  :KQ~Cb
 无铬相光刻  b6c Bg
 衰减相移掩模版  [owWiN4`s
 脱保护收缩的 NTD  /hr7NT{e%v
 SEM 诱导收缩  e(]!GA
 EUV 和 DUV 的随机效应  }*M6x;t
 PEB 扩散效应  2%DSUv:H%
 表面抑制  xgwY@'GN
 温度效应  X&tF;<m^
 侧壁分析  i?p$H0bn
 内外角偏差分析  Fco`^kql.D
 拉回  Rvqq.I8aC
 最高亏损  -o^7r@6
 5bRJS70M
 薄膜堆叠分析  |XaIx#n
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 BARC 优化  \\iQEy<i
 多层镜反射率  FvaUsOy"
 抵抗厚度效应
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