hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 Ra)
3+M!x  
极紫外光刻 (EUV)   !![DJ  
严格的 OPC 和源优化 ] {RDVA=]  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 -;s|  
可检测性 >*~L28Fyn  
印刷适性 dyz2.ZY~2  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) W#9BNKL  
双重图案   PCHu#5j_a  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 \FQRNj?'_  
光刻冻结 光刻蚀刻 o |{5M|nD  
侧壁间隔物 kj#?whK6~  
晶圆形貌效应 k^3>Y%^1  
非平面光阻 *'
Sd/%8{  
首次接触时的潜在特征   }NHaCG[,  
相移掩模版 p|X"@kuseO  
Qf~vZtJ+J  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 <GS^  
相位缺陷 %P;lv*v.  
湿法蚀刻/双沟槽 :
KQ~Cb  
无铬相光刻 b6cBg  
衰减相移掩模版 [owWiN4`s  
脱保护收缩的 NTD /hr7NT{e%v  
SEM 诱导收缩 e(]!GA  
EUV 和 DUV 的随机效应 }*M6x;t  
PEB 扩散效应 2%DSUv:H%  
表面抑制 xgwY@'GN  
温度效应 X&tF;<m^  
侧壁分析 i?p$H0bn  
内外角偏差分析 Fco`^kql.D  
拉回 Rvqq.I8aC  
最高亏损 -o^7r@6  
5bRJS70M  
薄膜堆叠分析 |XaIx#n  
pj\u9 L_  
BARC 优化 \\iQEy<i  
多层镜反射率 FvaUsOy
"  
抵抗厚度效应