hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 PY+4OZ$  
极紫外光刻 (EUV)   }iUpBn  
严格的 OPC 和源优化 1FT3d  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 wAL}c(EHO  
可检测性 H_aG\  
印刷适性 h7o.RRhK  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) }EJ/H3<  
双重图案   (zk/>Ou  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 9E[==2TO  
光刻冻结 光刻蚀刻 &$l#0?Kc^  
侧壁间隔物 F'B0\v=  
晶圆形貌效应 _]eyt_  
非平面光阻 dI!/H&`B]  
首次接触时的潜在特征   <jM { <8-  
相移掩模版 G68@(<
<Z  
#nAq~@X  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 #ZP;] W  
相位缺陷 3Y&4yIx  
湿法蚀刻/双沟槽 &H+n0v  
无铬相光刻 B$hog_=s  
衰减相移掩模版 &rl;
+QS  
脱保护收缩的 NTD Zp9kxm'  
SEM 诱导收缩 Bx5kqHp^1  
EUV 和 DUV 的随机效应 OkCAvRg  
PEB 扩散效应 f"zmNG'  
表面抑制 k*Aee7  
温度效应 K%Bz6 ~  
侧壁分析 ovDPnf(  
内外角偏差分析 Y4_xV&  
拉回 <z>oY2%  
最高亏损 'G>9iw  
KCH`=lX  
薄膜堆叠分析 pUW7
p  
:-$8u;!M  
BARC 优化 t%<y^Wa=  
多层镜反射率 Tf?`_jL  
抵抗厚度效应