hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 "ESc^28  
极紫外光刻 (EUV)   !*]i3 ,{7v  
严格的 OPC 和源优化 rKgl:sj+  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 ?%3dgQB'  
可检测性 E/cV59  
印刷适性 @a9.s  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) Y0(4]X \ey  
双重图案   LR=Ji7  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 7O1MC 8{  
光刻冻结 光刻蚀刻 AJyNlQ  
侧壁间隔物 7z?;z<VJ  
晶圆形貌效应 Gz&}OO  
非平面光阻 [8T{=+k  
首次接触时的潜在特征   !!\}-r^y%  
相移掩模版 X]y:uD{  
C0N :z.)4  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 C1^%!)  
相位缺陷 b8K]>yDAh  
湿法蚀刻/双沟槽 Jc":zR@
5  
无铬相光刻 @gN"Q\;F  
衰减相移掩模版 \2@J^O1,  
脱保护收缩的 NTD o
`f^m  
SEM 诱导收缩 96w2qgc2  
EUV 和 DUV 的随机效应 !Cgj >=  
PEB 扩散效应 hs7!S+[.$$  
表面抑制 ZR1U&<0c@  
温度效应 "Z&.m..gc  
侧壁分析 eN
])qw{  
内外角偏差分析 V'9.l6l   
拉回 gqS9{K(f  
最高亏损 L-+g`  
+/[M Ex=   
薄膜堆叠分析 QIiy\E%  
Y w0,K&  
BARC 优化 M\{n+r-m  
多层镜反射率 ZiUb+;
JA  
抵抗厚度效应