hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 _wvSLu<q  
极紫外光刻 (EUV)   Id_?  
严格的 OPC 和源优化 }V@ * :3w8  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 kH&KE5  
可检测性 |ATz<"q>  
印刷适性 u;-_%
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离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) I.V?O}   
双重图案   m*'^*#  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 ui_nvD:  
光刻冻结 光刻蚀刻 j%7N\Vb  
侧壁间隔物 (f
Gmjx  
晶圆形貌效应 d#Hl3]wT  
非平面光阻 ~3,>TV  
首次接触时的潜在特征   OC(S"&D  
相移掩模版 ?zFeP6C  
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'Oz-p.@  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 Zq,[se'nh"  
相位缺陷 N*vBu`  
湿法蚀刻/双沟槽 CJn{tP  
无铬相光刻 c,wYXnJ_t  
衰减相移掩模版 r8
]y1 Om<  
脱保护收缩的 NTD b#h}g>l  
SEM 诱导收缩 0Yh Mwg?  
EUV 和 DUV 的随机效应 ao+lLCr  
PEB 扩散效应 701mf1a  
表面抑制 ,RP"m#l!\  
温度效应 T4 :UJj}  
侧壁分析 @/(\YzQvp]  
内外角偏差分析 8XS_I{}?  
拉回 CxvL!ew  
最高亏损 U%<E9G594  
G=1&:nW'  
薄膜堆叠分析 nTG@=C#  
[:vH_(|  
BARC 优化 8ClOd<I  
多层镜反射率 H<Ne\
zAv  
抵抗厚度效应