hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 U[;ECw@  
极紫外光刻 (EUV)   PJKY$s.  
严格的 OPC 和源优化 6flO;d/v  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 R-n%3oh  
可检测性 P[H`]q|  
印刷适性 9VaSCB  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) lbIW1z%:sy  
双重图案   :.H@tBi*E  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 _`QMEr?  
光刻冻结 光刻蚀刻 G2[2y-Rv  
侧壁间隔物 HWoMzp5="3  
晶圆形貌效应 < :eKXH2  
非平面光阻 Jnt r"a-4  
首次接触时的潜在特征   bU}!bol  
相移掩模版 Q!~1Xc0S`p  
z&GGa`T"  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 m|cR
j{xZF  
相位缺陷 0~<t :q!  
湿法蚀刻/双沟槽 35-FD{  
无铬相光刻 /Jk.b/t.*S  
衰减相移掩模版 Q(8W5Fb?  
脱保护收缩的 NTD u_WW uo  
SEM 诱导收缩 TKw>eGe  
EUV 和 DUV 的随机效应 T^xp2cZ  
PEB 扩散效应 Vyx&MU.-J  
表面抑制 0\$Lnwp_  
温度效应 mn<ea&  
侧壁分析 71&`6#  
内外角偏差分析 WFeaX7\b  
拉回 mOjl0n[To]  
最高亏损 ";0-9*I  
Q%GLT,f1.  
薄膜堆叠分析 SR)@'-Wd  
|("5 :m  
BARC 优化 78b9Sdi&  
多层镜反射率 &zP\K~Nt  
抵抗厚度效应