hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 w(V?N'[  
极紫外光刻 (EUV)   \2R`q*a+  
严格的 OPC 和源优化 Zc4(tf9  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 z^P* :  
可检测性 t*Vao  
印刷适性 ycrh5*g  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) ?v"K1C1.  
双重图案   *X=@yB*aK  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 Y|m_qB^_  
光刻冻结 光刻蚀刻 IYf
V~+P  
侧壁间隔物 #}/cM2m  
晶圆形貌效应 k+WO &g*|  
非平面光阻 N;C"X4rV  
首次接触时的潜在特征   -[zdX}x.:  
相移掩模版 Ms:KM{T0  
+QI
GR'3u  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 QH7V_#6bKP  
相位缺陷 mh A~eJ  
湿法蚀刻/双沟槽 DMAf^.,S  
无铬相光刻 A*\o c  
衰减相移掩模版 YW?7*go'Z  
脱保护收缩的 NTD Uh3wj|0  
SEM 诱导收缩 j}rgO
z.  
EUV 和 DUV 的随机效应 Q? <-`7  
PEB 扩散效应 lBlSNDs  
表面抑制 i
o9y;S"+  
温度效应 a1 46kq  
侧壁分析 +,&m7L  
内外角偏差分析 }g>dn  
拉回 Vqa5RVnI  
最高亏损 :LZ-da"QR  
iUeV5c
B  
薄膜堆叠分析 WZ^
{zFoZ  
FF%\gJ  
BARC 优化 U6c
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多层镜反射率 /*u#Ba<<  
抵抗厚度效应