hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 g~ZvA(`  
极紫外光刻 (EUV)   Bs13^^hu
 
严格的 OPC 和源优化 g
=39C
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嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 5k!g%sZ  
可检测性 xRJ\E }/7  
印刷适性 J{'>uD.@  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) LE&RY[  
双重图案   ={_C&57N1  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 qJ;jfh!  
光刻冻结 光刻蚀刻 vY4\59]P  
侧壁间隔物 7[w,:9& }  
晶圆形貌效应 ?b*s. ^  
非平面光阻 B,<da1(a  
首次接触时的潜在特征   ]"J~:{, d  
相移掩模版 b+,';bW  
O|\J}rm'  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 "*($cQ$v  
相位缺陷 YT8vP~  
湿法蚀刻/双沟槽 9K
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无铬相光刻 h xSKG  
衰减相移掩模版 =V-A@_^!c  
脱保护收缩的 NTD mN~ci 0  
SEM 诱导收缩 Mx&&0#;r  
EUV 和 DUV 的随机效应 %kv0Wefs  
PEB 扩散效应 -
!q:p&c  
表面抑制 |h-QP#]/  
温度效应 3cFf#a#  
侧壁分析 q_TRq:&.  
内外角偏差分析 FQm`~rA~zt  
拉回 9G9fDG#F\I  
最高亏损 ahuGq'  
SFO({w(  
薄膜堆叠分析 --PtZ]Z  
?sab*$wG  
BARC 优化 esHg'8?U  
多层镜反射率 l%[EXZ  
抵抗厚度效应