hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 P+|8MT0  
极紫外光刻 (EUV)   <R8Z[H:bV  
严格的 OPC 和源优化 *U^hwL  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 (dt_
D  
可检测性 :|mkI#P.  
印刷适性 NS~knR\&  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM)
"4AQpD  
双重图案   \uPTk)oaB  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 491I  
光刻冻结 光刻蚀刻 *w,gi.Y3  
侧壁间隔物 "{xv|C<*n  
晶圆形貌效应 [$Bb'],k  
非平面光阻 aM}"DY-_ h  
首次接触时的潜在特征   R51!j>[fqM  
相移掩模版 Cb-E<W&2D  
1}M.}G2u/  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 #iDFGkK/  
相位缺陷 A>2p/iMc  
湿法蚀刻/双沟槽 E,:pIw  
无铬相光刻 j}*+-.YF  
衰减相移掩模版 #Kr.!uD  
脱保护收缩的 NTD OIT;fKl9  
SEM 诱导收缩 sYI':UQe  
EUV 和 DUV 的随机效应 ?0%TE\I8  
PEB 扩散效应 6+z]MT  
表面抑制 GK%ovK  
温度效应 >D#}B1(!  
侧壁分析 E-iBA(H  
内外角偏差分析 1*CWHs  
拉回 6x{IY  
最高亏损 a$O]'}]`  
lhj2u]yU0S  
薄膜堆叠分析 e!Okc*,  
u.FDe2|[)  
BARC 优化 ]<LU NxBR  
多层镜反射率 !c($C  
抵抗厚度效应