hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 " vW4"R6  
极紫外光刻 (EUV)   ")'9:c  
严格的 OPC 和源优化 ma!rZn  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 \gBsAZE  
可检测性 S,ENbP%0r  
印刷适性 eSqKXmH[m  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) <|!?V"`3  
双重图案   s?fO)7ly  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 >1}RiOd3  
光刻冻结 光刻蚀刻
iI!MF1  
侧壁间隔物 FO"sE`  
晶圆形貌效应 6n|R<DO%\  
非平面光阻 SBf8Ipe  
首次接触时的潜在特征   #~_ZG% u  
相移掩模版 GOKca%DT=  
$s2Y,0>I6  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 CFLWo1  
相位缺陷 ~t>i+{JKE  
湿法蚀刻/双沟槽 n(}W[bZ4  
无铬相光刻 9JDdOjqo  
衰减相移掩模版 #j+0jFu  
脱保护收缩的 NTD _Q**4  
SEM 诱导收缩 8h.Dc&V  
EUV 和 DUV 的随机效应 TrYt(F{t  
PEB 扩散效应 #nD]G#>e  
表面抑制 d)R7#HLZ7  
温度效应 \CY_nn|&g  
侧壁分析 >FR;Ux~a  
内外角偏差分析 =tKb7:KU  
拉回 m0}1P]dc  
最高亏损 JO3x#1~;_  
Z\\'0yuY(  
薄膜堆叠分析 z0jF.ub  
QY^v*+lr\  
BARC 优化 7;8#iS/  
多层镜反射率 9'My/A0  
抵抗厚度效应