hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 %nJo:/  
极紫外光刻 (EUV)   7 @\i5  
严格的 OPC 和源优化 5[g&0  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 6b*xhu\  
可检测性 e R[B0;c  
印刷适性 7j|CWurvq  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) h_-4Q"fb(  
双重图案   )fo0YpE^|  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 .Z]hS7t  
光刻冻结 光刻蚀刻 YuuTLX%3  
侧壁间隔物 #^9bBF/  
晶圆形貌效应 %,$xmoj9O]  
非平面光阻 _an0G?7  
首次接触时的潜在特征   
kjQW9QJ<  
相移掩模版 7r:&%?2:g  
=XYc2.t  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 +DQUL|\  
相位缺陷 7"Nd
a3  
湿法蚀刻/双沟槽 eSIG+{;&  
无铬相光刻 ^$dbyj`  
衰减相移掩模版 6yYjZ<  
脱保护收缩的 NTD v?8i;[  
SEM 诱导收缩 f>xi(0  
EUV 和 DUV 的随机效应 D,*|:i  
PEB 扩散效应 .~ uKr^%  
表面抑制 NHUJ:j@  
温度效应 ;d>n2  
侧壁分析 ,^n&Q'p3  
内外角偏差分析 Dl~(NLM  
拉回 k|>yFc  
最高亏损 4cy,'B  
rYV]<[?~7  
薄膜堆叠分析 )Vy0V=  
{o^tSEN!-
 
BARC 优化 5'DY)s-K  
多层镜反射率 Uufig)6  
抵抗厚度效应