hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 &W}6Xg(  
极紫外光刻 (EUV)   :W9a t  
严格的 OPC 和源优化 M0t9`Z9  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 XM)  
可检测性 `PT'Lakf;3  
印刷适性 q8}he~a  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) h!7Lvh`o  
双重图案   tHEZuoi  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 IN,=v+A  
光刻冻结 光刻蚀刻 r%9=75HA  
侧壁间隔物 q<K/q"0-l  
晶圆形貌效应 CY\D.Eow  
非平面光阻 D,()e^o  
首次接触时的潜在特征   "TVmxE%(  
相移掩模版 8v)iOPmDC  
:m<#\!?  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 ,Fn-SrB:  
相位缺陷 T@Z-;
^aV  
湿法蚀刻/双沟槽 xkQT#K=i  
无铬相光刻 /i{V21(%  
衰减相移掩模版 }^ =f%EjV  
脱保护收缩的 NTD \zeuvD  
SEM 诱导收缩 !AG {`[
b  
EUV 和 DUV 的随机效应 @SI,V8i  
PEB 扩散效应 X%T%N;P  
表面抑制 )SJ"IY\P  
温度效应 tNQACM8F;  
侧壁分析 y[zjs^-vCv  
内外角偏差分析 fRHzY?n9;  
拉回 lx7]rkWo|a  
最高亏损 4HpKKhv"  
et/v/Hvw1  
薄膜堆叠分析 j@{B 8  
X6BOB?  
BARC 优化 uDLj*U6L  
多层镜反射率 _j*a5fsPU  
抵抗厚度效应