hyperlith光刻软件

hyperlith光刻功能 AF>J8V  
极紫外光刻 (EUV)   \IbGNV`q  
严格的 OPC 和源优化 Ua)ARi %  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 VlXUrJ9&  
可检测性 DZ |0CB~  
印刷适性 K 38e,O  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) c=K .|g,  
双重图案   +ZEj(fd9  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 iF?4G^  
光刻冻结 光刻蚀刻 %Iw6oG  
侧壁间隔物 ,8nu%zcVn  
晶圆形貌效应 (PE x<r1   
非平面光阻 nxkbI:+t  
首次接触时的潜在特征   >}%  
相移掩模版 1WRQjT=o  
*Fb]lM7D  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 j BS$xW  
相位缺陷 }9<pLk  
湿法蚀刻/双沟槽 Pk!RgoWF  
无铬相光刻 d`q<!qFZh  
衰减相移掩模版 lM~ 3yBy  
脱保护收缩的 NTD HKbyi~8N=  
SEM 诱导收缩 A}v!vVg  
EUV 和 DUV 的随机效应 z'Atw"kA  
PEB 扩散效应 $8vZiB!"  
表面抑制 U,Ya^2h%  
温度效应 SKt&]H  
侧壁分析 iqm]sC`  
内外角偏差分析 bfcQ(m5  
拉回 gQMcQV]C$  
最高亏损 >M=_:52.+  
Jw3VWc ]]  
薄膜堆叠分析 ZxLdh8v.  
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BARC 优化 o{7wPwQ;*  
多层镜反射率 lKWe=xY\B  
抵抗厚度效应