| speos |
2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) WncHgz
K9Onjs% U
严格的 OPC 和源优化 xFJT&=Af W
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 X"mPRnE330
可检测性 xA<-'8ST
印刷适性 ,% 'r:@'
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) =[[I<[BZq
T!Tp:&O-
双重图案 9Y2.ob!$}
xwW(WHdC]
光刻蚀刻 光刻蚀刻 etUfdZ
光刻冻结 光刻蚀刻 :;TF_S v
侧壁间隔物 |eg8F$WU
晶圆形貌效应 L@jpid95
非平面光阻
_|4QrZ$n(
首次接触时的潜在特征 P.g./8N`z
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相移掩模版 vl6|i )D
j=G
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 7h2/8YUgQ
相位缺陷 gwsOw [;k
湿法蚀刻/双沟槽 ;8f)p9vE
无铬相光刻 O2yD{i#l*#
衰减相移掩模版 <AiE~l| D
脱保护收缩的 NTD dd;rne v+
SEM 诱导收缩 ?R4u>AHS@
EUV 和 DUV 的随机效应 V$:%CIn
PEB 扩散效应 f}KV4'n
表面抑制 Tr4\ `a-i
温度效应 ~IPA TG
侧壁分析 _VM}]A
内外角偏差分析 UUM: *X
拉回 :Ig9n :
最高亏损 \VI0/G)L
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薄膜堆叠分析 `Fe/=]< $
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BARC 优化 %KN 2iNq
多层镜反射率 ] /3!t=La
抵抗厚度效应
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