| speos |
2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) b4^ a
zY
G* mLb1
严格的 OPC 和源优化 ZCuh^
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 (>D{"}
可检测性 [:Odb?+ `F
印刷适性 ]N'4q}<5o
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) +Y~,1ai 5^
h 7\EN
双重图案 Y%rC\Ij/i
%]DJ-7 xE
光刻蚀刻 光刻蚀刻 +DT)7 koA
光刻冻结 光刻蚀刻 b |Ed@C
侧壁间隔物 9hwn,=Vh)
晶圆形貌效应 ``?Z97rH
非平面光阻 () HIcu*i
首次接触时的潜在特征 \ U `rF
Cvs4dd%)i
相移掩模版 9T;l*
yw ?UA
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 M\9p- %"L
相位缺陷 `WU"*HqW
湿法蚀刻/双沟槽 W$Z""
无铬相光刻 rFv=j :8
衰减相移掩模版 iGeuO[ ^
脱保护收缩的 NTD z I>,A|yy
SEM 诱导收缩 ^nL_*+V`f
EUV 和 DUV 的随机效应 !U+X Ir
PEB 扩散效应 8J7<7Sx
表面抑制 m>?{flO
温度效应 c/}bx52>u
侧壁分析 H"g
p
内外角偏差分析 b!|c:mE9|
拉回 r`'n3#O*
最高亏损 i% _nH"h
4THGHS^
薄膜堆叠分析 93N:? B9
;,]Wtmu)7
BARC 优化 PT`gAUCw
多层镜反射率 #$>m` r
抵抗厚度效应
|
|