| speos |
2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) LLPbZ9q
g]9A?#GyE
严格的 OPC 和源优化 ;v m$F251
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 4||dc}I "E
可检测性 wZb7 7
印刷适性 "$ U!1
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) /JQY_>@W
s!?T$@a=
双重图案 :xZ^Jq91
u&r+ylbs I
光刻蚀刻 光刻蚀刻 cm`x;[e6l
光刻冻结 光刻蚀刻 7 ;SI=
侧壁间隔物 'Omj-o'tn9
晶圆形貌效应 W$`p ,$ .n
非平面光阻 Pk^W+M_)~
首次接触时的潜在特征 `|e3OCU
c4 iG tW
相移掩模版 b$N& sZ
O[^u<*fi{
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 mH 9_HK.C
相位缺陷 L)3JTNiB
湿法蚀刻/双沟槽 Wo WmmZ
无铬相光刻 J'@`+veE
衰减相移掩模版 Y(C-o[-N
脱保护收缩的 NTD O_^;wey0}?
SEM 诱导收缩 DwI X\9
EUV 和 DUV 的随机效应 5?-@}PL!Y
PEB 扩散效应 e2"gzZ4;g
表面抑制 Qw.j
温度效应 0l2@3}e
侧壁分析 \kG ;T=H
内外角偏差分析 2-_d~~O1N
拉回 c. 06S w*
最高亏损 yc.9CTxx
O_^t u?x
薄膜堆叠分析 b>f{o_
V2IurDE
BARC 优化 s' =w/os
多层镜反射率 ObSRd$M
抵抗厚度效应
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