| speos |
2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) ;UDd4@3`S"
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严格的 OPC 和源优化 4ROuy+Ms '
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 $"6O92G(hJ
可检测性 2<8JY4]!]
印刷适性 N3QDPQ
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) #u<n .
6,UW5389
双重图案 q, XRb
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光刻蚀刻 光刻蚀刻
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光刻冻结 光刻蚀刻 O7D61~G]
侧壁间隔物 t w%z!u[a
晶圆形貌效应 Q"=$.M~
非平面光阻 Sk|DVV $
首次接触时的潜在特征 s'yT}XQ;r
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相移掩模版 <WRrB
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交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 Bi$nYV )-l
相位缺陷 y ZR\(\?<
湿法蚀刻/双沟槽 86 < [!ZM
无铬相光刻 ;{hE]jReH
衰减相移掩模版 $ %BNoSK
脱保护收缩的 NTD AI\|8[kf0
SEM 诱导收缩 bAZ x*qE=
EUV 和 DUV 的随机效应 7 8-D/WY/X
PEB 扩散效应 < k?jt
表面抑制 kcN# g- 0
温度效应 QC^ #ns&
侧壁分析 X|Z2"*;b`
内外角偏差分析 qrZ*r{3
拉回 $~FnBD%|{
最高亏损 S1D=' k]
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薄膜堆叠分析 z}&JapJ
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BARC 优化 mel(C1b"j/
多层镜反射率 Ir :y#
抵抗厚度效应
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