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2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) ;m}lmq,
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严格的 OPC 和源优化 *-bR~
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 AigL:4[
可检测性 E9 QA<w
印刷适性 ZoB?F
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) xW{_c[oA
z3b8
双重图案 B`a5%asJn
R |h9 ilc
光刻蚀刻 光刻蚀刻 3ug{1 M3
光刻冻结 光刻蚀刻 $kJ vPwRO
侧壁间隔物 "A^9WhUpJ
晶圆形貌效应 @B$ Y`eK\
非平面光阻 x+( h#+F
首次接触时的潜在特征 -san%H'
b/oJ[Vf
相移掩模版 L <Q1acoZm
:|oH11 y
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 E9 {Gaa/{
相位缺陷 i /*&;
湿法蚀刻/双沟槽 : L `
无铬相光刻 8ON$M=Ze$
衰减相移掩模版 `9eE139V='
脱保护收缩的 NTD I ms?^`N
SEM 诱导收缩 H$Fz{[[u
EUV 和 DUV 的随机效应 lyKV^7}
PEB 扩散效应 j& f-yc'i-
表面抑制 +o)S.a+7
温度效应 E0}`+x
侧壁分析 *G$tfb(
内外角偏差分析 b&p*IyJR
拉回 v')Fq[H
最高亏损 c+#GX)zh\G
~.mn xn
薄膜堆叠分析 : h?"0,
2t\a/QE)E
BARC 优化 Q4-d2I>0
多层镜反射率 o87. (
抵抗厚度效应
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