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2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) %'=2Jy6h
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严格的 OPC 和源优化 h-sO7M0E]
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 vM]5IHqeE
可检测性 7=yjd)Iy9m
印刷适性 jJNl{nyq
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) 7cWeB5 e?O
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双重图案 M(:bM1AD`u
_?y3&4N)
光刻蚀刻 光刻蚀刻 ZMr[: ,Jp
光刻冻结 光刻蚀刻 6d6Dk>(V
侧壁间隔物 mF!4 *k
晶圆形貌效应 0UW_ Pbh6
非平面光阻 {O).!
首次接触时的潜在特征 EY Z&%.Sy5
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相移掩模版 auX(d -m
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交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 tS5J{j>T
相位缺陷 L[<Y6u>m!1
湿法蚀刻/双沟槽 S 1^ t;{"
无铬相光刻 4 p+Veo6B
衰减相移掩模版 "#gS ?aS
脱保护收缩的 NTD ZR0 OqSp]
SEM 诱导收缩 ?(Ti n80=r
EUV 和 DUV 的随机效应 )F\ kGe
PEB 扩散效应 V @s93kh
表面抑制 "VHT5k
温度效应 e-UWbn'~
侧壁分析 #` U?,>2q
内外角偏差分析 ZREy I(_
拉回 _
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最高亏损 .@EzHe ^W
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薄膜堆叠分析 N?#L{Yt
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BARC 优化 l+@k:IK
多层镜反射率 mA%}ijR6y
抵抗厚度效应
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