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2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) gtHk1 9
G2k r~FG
严格的 OPC 和源优化 O329Bkg
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 *4^!e/
可检测性 MW CP/~>a2
印刷适性 ~`M GXd" o
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) 'lv\I9"S)
U3^T.i"R
双重图案 KW.S)+<H&
I ,AI$A
光刻蚀刻 光刻蚀刻 q5 [%B K
光刻冻结 光刻蚀刻 ~R) Km`t
侧壁间隔物 0= s+bo1
晶圆形貌效应 AdB5D_ Ir
非平面光阻 XTyn [n
首次接触时的潜在特征 WZCX&ui
h2KXW}y"4
相移掩模版 @)m+O#a
-)?~5Z
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 5RTAM
相位缺陷 a'Qy]P}'Ug
湿法蚀刻/双沟槽 ?S0VtHQ
无铬相光刻 _qmB PUx
衰减相移掩模版 RH. oo&
脱保护收缩的 NTD Gn;eh~uw;l
SEM 诱导收缩 W?'!}g(~
EUV 和 DUV 的随机效应 gzP(Lf I5
PEB 扩散效应 [/*85 4
表面抑制 ag?@5q3J}
温度效应 U;6~]0 ^K
侧壁分析 \x x<\8Qr_
内外角偏差分析 &tQ,2RT
拉回 :%A1k 2
最高亏损 eF}Q8 ]da
Qkk~{OuC
薄膜堆叠分析 GA6Z{U{XS
vUgLWd
BARC 优化 n\*> m p )
多层镜反射率 G+'MT C_
抵抗厚度效应
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