| speos |
2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) /?B%,$~
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严格的 OPC 和源优化 Z11 I1)%s
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 /"
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可检测性 .-?T xkwb
印刷适性 Ji e=/:&
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) 7f ]O /
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双重图案 P:k!dRb9{
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光刻蚀刻 光刻蚀刻 !~!\=etm
光刻冻结 光刻蚀刻 2bt).gGm
侧壁间隔物 " Ax#x
晶圆形貌效应 7z9[\]tt
非平面光阻 oA `G\Xh_E
首次接触时的潜在特征 miEf<<L#z
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相移掩模版 Ch7&9NW
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交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 k!ac_}&NNv
相位缺陷 |3dIq=~1"Y
湿法蚀刻/双沟槽 s&D>' J
无铬相光刻 d'!abnF[d
衰减相移掩模版 rPkPQn:
脱保护收缩的 NTD a8cX {6
SEM 诱导收缩 6 '\VPjt
EUV 和 DUV 的随机效应 ,. TwM;w=
PEB 扩散效应 a
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表面抑制 jM;?);Dd
温度效应 sV-UY!
侧壁分析 w(UZmZb}
内外角偏差分析 8
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拉回 4$Ud4<
最高亏损 #waK^B)<a
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薄膜堆叠分析 i?IV"*Ob1N
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BARC 优化 *ez7Q
多层镜反射率 ]6;oS-4gu?
抵抗厚度效应
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