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2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) )G|U B8]
D.GSl
严格的 OPC 和源优化 jHZ<G c
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 8YJ({ Ou_
可检测性 X[[=YCi0
印刷适性 Dx%fW`
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) GgYo mR:
g<-cHF
双重图案 3IxT2@H)
(TQXG^n$gY
光刻蚀刻 光刻蚀刻 "8X+F%
光刻冻结 光刻蚀刻 +L r0i_al
侧壁间隔物 $p@g #3X`
晶圆形貌效应 EIfrZg7R
非平面光阻 hU{%x#8}lK
首次接触时的潜在特征 I|:j~EY
VQ; =-95P
相移掩模版 >4E,_ `3N
b,W '0gl
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 \NqC i'&
相位缺陷 gs3}rW
湿法蚀刻/双沟槽 ;sf/tX
无铬相光刻 ^s*} 0
衰减相移掩模版 H6eGLg={
脱保护收缩的 NTD H#y"3E<s
SEM 诱导收缩 8 FITcK^
EUV 和 DUV 的随机效应 one>vi`=
PEB 扩散效应 Y(f-e,
表面抑制 wMoAvA_o S
温度效应 KPhqD5,
(
侧壁分析 F8I <4S
内外角偏差分析 J Nz 0!wi
拉回 K&h6#[^\d
最高亏损 v=>Gvl3&U
DvCt^ O*
薄膜堆叠分析 ~e<<aTwN
gib]#n1!p
BARC 优化 M=A9a x
多层镜反射率 [}p.*U_nw
抵抗厚度效应
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