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2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) XWXr0>!,?
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严格的 OPC 和源优化 q5?{ 1
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 R"{l[9j4>
可检测性 `M0 YAiG
印刷适性 dN0mYlu1|
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) [4\aYB 9N
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双重图案 9 rS, ?
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光刻蚀刻 光刻蚀刻 1daL y
光刻冻结 光刻蚀刻 ~#4~_d.=L
侧壁间隔物 rKT )!o'
晶圆形貌效应 O 4!9{
非平面光阻 &=NJ
首次接触时的潜在特征 r&Q t_
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相移掩模版 O]bKNA.5
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交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 hLo>R'@uN
相位缺陷 /tzlbI]z
湿法蚀刻/双沟槽 uQ^hV%|"
无铬相光刻 ThiN9! Y
衰减相移掩模版 lvPpC AXY
脱保护收缩的 NTD b}}y=zO|$
SEM 诱导收缩 om> VQ3
EUV 和 DUV 的随机效应 8, y{ q9O
PEB 扩散效应 FR["e1<0
表面抑制 zQ<88E&&Xs
温度效应 3sb 5E]P
侧壁分析 0$QIfT)
内外角偏差分析 f B 7ljg
拉回 k :mlt :
最高亏损 qCQu^S' iD
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薄膜堆叠分析 ki3 HcV
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BARC 优化 }_]As}E
多层镜反射率 gw J}]Tf
抵抗厚度效应
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