| speos |
2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) @@H_3!B%4v
qx5`lm~L
严格的 OPC 和源优化 \)No?f B
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 o'$"MC+
可检测性 ~^' ,4<K-}
印刷适性 dgpE3
37Lt
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) sQ#e 2
y|ZL< L
双重图案 N9_* {HOy
Pl/ dUt_
光刻蚀刻 光刻蚀刻 " _2 k 3
光刻冻结 光刻蚀刻 cDY)QUmi
侧壁间隔物 9KU&M"Yq&i
晶圆形貌效应 RH;ulAD6(~
非平面光阻 S{;Pga*Px
首次接触时的潜在特征 +_7a/3kh
_J!^iJ
相移掩模版 <3{MS],<<
jXE:aWQht
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 T06(Q[)
相位缺陷 Mqd'XU0L
湿法蚀刻/双沟槽 60!%^O =
无铬相光刻 7?=^0?a
衰减相移掩模版 xUdGSr50
脱保护收缩的 NTD .U0Gm _c0
SEM 诱导收缩 p3U)J&]c6
EUV 和 DUV 的随机效应 sr6 BC.
PEB 扩散效应 r&
a[ ?
表面抑制 Vhk M{ O
温度效应 <l5i%?
侧壁分析 += 8wZ]
内外角偏差分析 >4X2uNbZS
拉回 k\ #;
最高亏损 58s-RO6
cb9-~*1
薄膜堆叠分析 (lM,'
<}RI <96
BARC 优化 ~9+01UU^
多层镜反射率 $K^l=X
抵抗厚度效应
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