| speos |
2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) BZOl &G(
l_((3e[)
严格的 OPC 和源优化 t<+>E_Xw
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 alxIc.[
可检测性 5~>j98K
印刷适性 )a!f")@uz
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) d~.hp
zgS)j9q}
双重图案 RK*tZ
XiV*d 06{
光刻蚀刻 光刻蚀刻 3f>9tUWhTy
光刻冻结 光刻蚀刻 O*2{V]Y
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侧壁间隔物 (g dzgLHy
晶圆形貌效应 y)fz\wk
非平面光阻 }ub>4N[
首次接触时的潜在特征 <`q-#-V@
}<z [t5
相移掩模版 EGRIhnED#
]c\`EHN
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 =C#z Px,
相位缺陷 :\mdVS!o
湿法蚀刻/双沟槽 mE+=H]`.p
无铬相光刻 3]\'Q}
衰减相移掩模版 sj+ )
脱保护收缩的 NTD 7lO Au]Zx
SEM 诱导收缩 SXX O#
EUV 和 DUV 的随机效应 )+)qFGV z
PEB 扩散效应 #cikpHLXG
表面抑制 .K_50 %s
温度效应 ?iaO+G &|
侧壁分析 EnMc9FN(y
内外角偏差分析 Vs>e"czfm/
拉回 Qm[ ) [M
最高亏损 4X:mb}(
3"HEXJMc
薄膜堆叠分析 8XfOM f~d`
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2.Ru
BARC 优化 aTaL|&(
多层镜反射率 zYis~ +
抵抗厚度效应
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