| speos |
2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) @)FXG~C*
vCrW A-q#
严格的 OPC 和源优化 NWq [22X
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嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 o>!~*b';g,
可检测性 O>{t}6o
印刷适性 dRar NW
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) [K^ q: 3R
Nc^b8&
2J
双重图案 *8(t y%5F0
X]f#w
光刻蚀刻 光刻蚀刻 rSzXa4m(
光刻冻结 光刻蚀刻 ~=aI2( b
侧壁间隔物 QyBK*uNdV
晶圆形貌效应 $(!D/b vJ
非平面光阻 wHDF TIDI
首次接触时的潜在特征 e=NQY8?
Z2Y583 D
相移掩模版 <CdG[Ih
omDi<-
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 o
Q!g!xz
相位缺陷 xHR+((
湿法蚀刻/双沟槽
\1c`)
无铬相光刻 i(TDJ@}
衰减相移掩模版 1]zyME
脱保护收缩的 NTD oBGst t@
SEM 诱导收缩 CuGOjQ-k~
EUV 和 DUV 的随机效应 :7AauoI
PEB 扩散效应 qhHRR/p
表面抑制 67hPQ/S1
温度效应 "#"Fp&Z7
侧壁分析 =.3P)gY )
内外角偏差分析 LKwUpu!
拉回 smQpIB;
最高亏损 ;B c<u[G
t+Q|l&|0
薄膜堆叠分析 R,b O{2O
Eo3Aak o
BARC 优化 "Y J;-$rb
多层镜反射率 3qwYicq,
抵抗厚度效应
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