| speos |
2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) 3 5.&!4}
Mi|13[p{
严格的 OPC 和源优化 0*5Jq#5
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 *|W](id7e
可检测性 $zCCeRP
印刷适性 $ eI
cCLF
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) 5U7,,oyh
zX*5yNd
双重图案 v LN KX;9
z* jaA;#
光刻蚀刻 光刻蚀刻 o[_,r]%+D
光刻冻结 光刻蚀刻 J?m/u6
侧壁间隔物 _|12BVq
晶圆形貌效应 j3 -o}6
非平面光阻 ^uUA41o`eJ
首次接触时的潜在特征 V?
tH/P
zCo$YP#5_
相移掩模版 qqZ4K:oC,
2@Yu: |d4U
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 $%bd`d*S
相位缺陷 ,
p}:?uR
湿法蚀刻/双沟槽 Iz u____
无铬相光刻 X:Wd%CHP
衰减相移掩模版 ZKEoU!
脱保护收缩的 NTD KO8{eT9d
SEM 诱导收缩 MF'Z?M
EUV 和 DUV 的随机效应 7O*Sg2B
PEB 扩散效应 'J} ?'{.
表面抑制 R_/;U&R
温度效应 RRS)7fFm
侧壁分析 0M;El2
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内外角偏差分析 ~L<"]V+B
拉回 JW0\y+o~
最高亏损 Xn=yC Pi
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薄膜堆叠分析 lG0CCOdQ
KH?6O%d
BARC 优化 &PV%=/ -J
多层镜反射率 $ Xt""mlQ
抵抗厚度效应
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