| speos |
2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) &KVXU0F^z
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严格的 OPC 和源优化 L3y`*&e >
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 i=X
B0-
可检测性
A!^gF~ 5
印刷适性 s.XLC43Rs
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) @V qI+5TA
+~eybm;
双重图案 .|<+-Rsj
~oE @y6Q
光刻蚀刻 光刻蚀刻 Pm!/#PtX
光刻冻结 光刻蚀刻 ' uU{.bq
侧壁间隔物 Gey j `t
晶圆形貌效应 qfsu# R
非平面光阻 :V^|}C#
首次接触时的潜在特征 n0tVAH'>
A,]%*kg2
相移掩模版 Z$: iq
GNab\M.
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 T9&bY>f?
相位缺陷 >!%F $$
湿法蚀刻/双沟槽 `u#N
无铬相光刻 o 6A1;e
衰减相移掩模版 R&9Q#n-
脱保护收缩的 NTD xBg. QV
SEM 诱导收缩 AQIBg9y7
EUV 和 DUV 的随机效应 @szr '&\%A
PEB 扩散效应 z 3N'Xk
表面抑制 QB L| n+
温度效应 $W0O
侧壁分析 c @/K}
内外角偏差分析 SRek:S,
拉回 `F4gal^ ^
最高亏损 Qs7*_=+h
B8.uzX'p
薄膜堆叠分析 mk]8}+^.
^@OdY& 5^
BARC 优化 R;`C;Rbf
多层镜反射率 c!dc`R
抵抗厚度效应
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