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| speos | 2024-12-02 14:28 |  
| hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV)  @)FXG~C* vCrWA-q#
 严格的 OPC 和源优化 NWq	[22X
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 嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 o>!~*b';g,
 可检测性 O>{t}6o
 印刷适性 dRarNW
 离轴阴影效应、HV 偏差(包括非常量散射系数)吸收器堆栈分析(EM-Stack)吸收器轮廓(侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC(小面积)多层镜面结构 (PSM) [K^q:3R
 Nc^b8&
2J
 双重图案  *8(t y%5F0
 X]f#w
 光刻蚀刻 光刻蚀刻 rSzXa4m(
 光刻冻结 光刻蚀刻 ~=aI2(b
 侧壁间隔物 QyBK*uNdV
 晶圆形貌效应 $(!D/bvJ
 非平面光阻 wHDFTIDI
 首次接触时的潜在特征  e=NQY8?
 Z2Y583D
 相移掩模版 <CdG[Ih
 omDi<-
 交替 PSM:移位和不移位开场之间的强度不平衡 o
Q!g!xz
 相位缺陷 xHR+((
 湿法蚀刻/双沟槽 
\1c`)
 无铬相光刻 i(TDJ@}
 衰减相移掩模版 1]zyME
 脱保护收缩的 NTD oBGst t@
 SEM 诱导收缩 CuGOjQ-k~
 EUV 和 DUV 的随机效应 :7AauoI
 PEB 扩散效应 qhHRR/p
 表面抑制 67hPQ/S1
 温度效应 "#"Fp&Z7
 侧壁分析 =.3P)gY)
 内外角偏差分析 LKwUpu!
 拉回 smQpIB;
 最高亏损 ;Bc<u[G
 t+Q|l&|0
 薄膜堆叠分析 R,b O{2O
 Eo3Aak	 o
 BARC 优化 "YJ;-$rb
 多层镜反射率 3qwYicq,
 抵抗厚度效应
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