| speos |
2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) :3pJGMv(
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严格的 OPC 和源优化 26.),a
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 brx
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可检测性 :hr % 6K7
印刷适性 U a\]]<hj"
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) gHpA@ jdC*
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双重图案 %nk]zf..
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光刻蚀刻 光刻蚀刻 {VtmQU? cJ
光刻冻结 光刻蚀刻 kU{+@MA;
侧壁间隔物 Mrysy)x
晶圆形貌效应 F6 ?4&h?n
非平面光阻 D[32 t0
首次接触时的潜在特征 @M-i$
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v ._Q XcE
相移掩模版 Ezsb'cUa(
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交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 }K':tX?
相位缺陷 _uwM%M ;
湿法蚀刻/双沟槽 Yef=HS zo
无铬相光刻 r@b M3V_o
衰减相移掩模版 tIn
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脱保护收缩的 NTD & mwQj<Z
SEM 诱导收缩 ] ^j:}#R
EUV 和 DUV 的随机效应 aO8n\'bv
PEB 扩散效应 1W3+ng
表面抑制 Z>h S&B
温度效应 8T< LNC
侧壁分析 W %&t[ _21
内外角偏差分析 [rk*4b ^s
拉回 { 9?++G"\
最高亏损 g~E N3~
cj K\(b3
薄膜堆叠分析 r9MS,KG8
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BARC 优化 :{sy2g/+
多层镜反射率 i!0w? /g9
抵抗厚度效应
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