| speos |
2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) fT~<C
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严格的 OPC 和源优化 BV:,b S
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 =qQQ^`^F'~
可检测性 Z6ex<[`I
印刷适性 %K,,Sl_
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) Ci:QIsu*
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双重图案 j2n@8sCSO
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6
光刻蚀刻 光刻蚀刻 OyZ>R~c'B
光刻冻结 光刻蚀刻 pD/S\E0@t
侧壁间隔物 f|E'eFrFk
晶圆形貌效应 v> PHn69PU
非平面光阻 IsL/p3|
首次接触时的潜在特征 x" T^>Q
}TLC b/+
相移掩模版 e@VRdh b
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交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 g5 \B- 3{
相位缺陷 !A0bb J
湿法蚀刻/双沟槽 QX|K(`of
无铬相光刻 >GRuS\B
衰减相移掩模版 4 l(o{{
脱保护收缩的 NTD :UciFIa
SEM 诱导收缩 @h3)! #\ N
EUV 和 DUV 的随机效应 @>ZjeDG>
PEB 扩散效应 _s,svQ8#
表面抑制 P dnK@a
温度效应 4(IP
侧壁分析 ^Y |s^N
内外角偏差分析 J6P
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拉回 ;hDr+&J|
最高亏损 )YnN9 "8
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薄膜堆叠分析 WLb7]rCTp
gV BV@v!W
BARC 优化 "(GeW286k
多层镜反射率 =G6@:h=
抵抗厚度效应
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