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2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) PHe~{"|d? ovo? lE-a0 严格的 OPC 和源优化 XcJ'm{=
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 Ivd[U`=Q 可检测性 ` $QzTv 印刷适性 5JXzfc9rL 离轴阴影效应、HV 偏差(包括非常量散射系数)吸收器堆栈分析(EM-Stack)吸收器轮廓(侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC(小面积)多层镜面结构 (PSM) c_D,MW\IC \'}/&PCkr 双重图案 "63zc1 ?%8})^Dd>4 光刻蚀刻 光刻蚀刻 softfjl&l 光刻冻结 光刻蚀刻 SevfxR 侧壁间隔物 )Rm
'YmO 晶圆形貌效应 K~fDv i 非平面光阻 4N%2w(,+8 首次接触时的潜在特征 h0Sy']3m zBrWm_R5T 相移掩模版 2F*Dkv ZmR[5 mv@ 交替 PSM:移位和不移位开场之间的强度不平衡 jl 30\M7 相位缺陷 5Xy^I^J 湿法蚀刻/双沟槽 +QCU]Fozk 无铬相光刻 ~(l2%(3G 衰减相移掩模版 %0y3 /W 脱保护收缩的 NTD |GVGny< SEM 诱导收缩 ?Uy*6YS EUV 和 DUV 的随机效应 2y
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