| speos |
2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻软件
极紫外光刻 (EUV) iVt* N$iZ
<tbsQ3
严格的 OPC 和源优化 "$tP>PO{<
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 e8@@Pi<sB
可检测性 FXPw 5
印刷适性 do9@ 6[{Sv
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) =kUN ^hb
r~uWr'}a}
双重图案 =M'y& iz-
SPxgIP;IR
光刻蚀刻 光刻蚀刻 gNO<`9q
光刻冻结 光刻蚀刻 AopC xaJ`
侧壁间隔物 *1}'ZEaJ
晶圆形貌效应 I"^ `!8<q
非平面光阻 {<a(1#{
首次接触时的潜在特征 V Z[[zYe
eGS1% [
相移掩模版 E3\O?+ h#
42?X)n>
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 xGq,hCQHV
相位缺陷 aU3
m{pE
湿法蚀刻/双沟槽 !+4}x;!8
无铬相光刻 6<+R55
衰减相移掩模版 ,o}!pQ
脱保护收缩的 NTD is%qG?,P
SEM 诱导收缩 y_$=Pu6H
EUV 和 DUV 的随机效应 %QUV351H
PEB 扩散效应 D T_HG |
表面抑制 2yhtJ9/
温度效应 Uc6BI$Fmz
侧壁分析 0sq1SH I{
内外角偏差分析 ` RUr/|S
拉回 `5;O|qRq
最高亏损 'g8~539{&
nKJJ7'$'3
薄膜堆叠分析 _^'fp
9~D oF]TM
BARC 优化 2+Z2`k]AC
多层镜反射率 +d6/*}ht
抵抗厚度效应
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