| 讯技bill |
2024-08-12 11:06 |
TechWiz LCD 2D应用:多畴IPS仿真
bEzy KrN\ 1. 建模任务 A Rjox` 1.1 模拟条件 NVo=5 模拟区域:0~10 Uw>g^[V; 边界条件:Periodic qI gb;=V 偏移角度:12°(Domain A),-12°(Domain B) }9&~+Q2 单位长度:0.5 _5768G`P X]%n#\t,] 2`h 1.2堆栈结构 eZRu{`AF* q?Mmkh)g 2. 建模过程 QEq>zuz5; 2.1设置模拟条件 q VJC O-K| *s"{JrG`O <F5x}i~(C 2.2创建堆栈结构,修改各层参数 N6S}u@{J~N
0GiL(e| @X0$X+]E*8 2.3创建掩膜并生成多畴结构 l,M? I!,FxOM|$ 3. 结果分析 Ha/-v?E 3.1 指向矢分布和透过率 SNf*2~uq) Tk0Senq, kA<58,! 3.2所有畴的V-T曲线 Ps7Bt(/ L[ 7Aa"R W-@}q}A 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围 rM(2RI4O`0
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