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讯技bill 2024-08-12 11:06

TechWiz LCD 2D应用:多畴IPS仿真

bEzy KrN\  
1. 建模任务 A Rjox`  
1.1 模拟条件 NVo =5  
模拟区域:0~10 Uw>g^[V;  
边界条件:Periodic qIgb;=V  
偏移角度:12°(Domain A),-12°(Domain B) }9&~+Q2  
单位长度:0.5 _57 68G`P  
X]%n#\t,]  
2` h  
1.2堆栈结构
eZRu{`AF*  
q?Mmkh)g  
2. 建模过程 QEq>zuz5;  
2.1设置模拟条件 qVJC O-K|  
*s"{JrG`O  
<F5x}i~(C  
2.2创建堆栈结构,修改各层参数 N6S}u@{J~N  
 0GiL(e|  
@X0$X+]E*8  
2.3创建掩膜并生成多畴结构
l,M?   
I!,FxOM|$  
3. 结果分析 Ha/-v?E  
3.1 指向矢分布和透过率 SNf*2~uq)  
Tk0Senq,  
kA<58 ,!  
3.2所有畴的V-T曲线 Ps7Bt(/  
L [7Aa"R  
W-@}q}A  
3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围 rM(2RI4O`0  
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