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2024-08-12 11:06 |
TechWiz LCD 2D应用:多畴IPS仿真
`j8pgnY>5~ 1. 建模任务 qe'RvBz 1.1 模拟条件 Q^bYx (r5w 模拟区域:0~10 +U)4V}S) 边界条件:Periodic 1gQ_76Yck 偏移角度:12°(Domain A),-12°(Domain B) {krBAz& 单位长度:0.5 {2 k]$| u|LDN*#DW 0:`*xix 1.2堆栈结构 7=/iFv[
&Ufp8[ 2. 建模过程 S~bhh& 2.1设置模拟条件 3Ak'Ue 05:?5M4}; n?U^vK_ 2.2创建堆栈结构,修改各层参数 OG9 '[o`8 )-0+O=v 8@Bm2?$}g 2.3创建掩膜并生成多畴结构 "
sC]z} C]Y%dQh+a 3. 结果分析 yf7|/M 3.1 指向矢分布和透过率 .yDGw Lry K|Eelhm IXG@$O?y/ 3.2所有畴的V-T曲线 5|cRHM# --EDr>'D5P $6(a6! 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围 UVXSW*$
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