TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真
1. 建模任务 t,,W{M|E(
1.1 模拟条件 0CR~ vQf#r
模拟区域：0~10 , SB5"
边界条件：Periodic HpGI\s
偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） nA4PY ]
单位长度：0.5 BH3%d h :9
'fS&WVR?
[attachment=128857] )8@|+'q
1.2堆栈结构 Z#znA4;)
[attachment=128858] Zog&:]P'F
2. 建模过程 al@Hr*'
2.1设置模拟条件 $Si |;j$?
mnm 7{?#[
[attachment=128859] ;t\oM7J|
2.2创建堆栈结构，修改各层参数 ,(y6XUV~
u?%FD~l:uU
[attachment=128860] [attachment=128861] O;8 3A
2.3创建掩膜并生成多畴结构 ApSzkPv*
[attachment=128862] 9kby-A4
3. 结果分析 D4IP$pAD
3.1 指向矢分布和透过率 [$e\?c
Pk/3oF
[attachment=128863] _/[}PQC6G
3.2所有畴的V-T曲线 :c}"a(|
:N#8|;J1Fl
[attachment=128864] E
E^l w61
3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 k\<8h%
@|6#]&v`
[attachment=128865]
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