TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真
1. 建模任务 hE\,4c1
1.1 模拟条件 F x4C]S
模拟区域：0~10 Kv:U QdnU[
边界条件：Periodic %}%D8-d}G
偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） 6?Q&>V26Y
单位长度：0.5 N?Mmv|
L T p5T|O
[attachment=128857] ><"5
VwR
1.2堆栈结构 pu=T
pSZ
[attachment=128858] 1B' i7
2. 建模过程 {k1s@KXtd
2.1设置模拟条件 B, xrZ s
[#V"a:8m}
[attachment=128859] J9)wt ?%j
2.2创建堆栈结构，修改各层参数 &UP@Sr0D7
B3O^(M5W
[attachment=128860] [attachment=128861] ioi0^aM
2.3创建掩膜并生成多畴结构 "M
v%M2'c
[attachment=128862] vNL f)B
3. 结果分析 EAF<PMb
3.1 指向矢分布和透过率 TSdjX]Kf
BS;rit :
[attachment=128863] M~I M;my
3.2所有畴的V-T曲线 XtT;UBE
/4#.qq0\{c
[attachment=128864] KD$ P\(5#
3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 w! :u|
{-^>)
iJqt
[attachment=128865]
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