TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真
1. 建模任务 9N]V F'
1.1 模拟条件 eC41PQ3=1'
模拟区域：0~10 )S 6"I
边界条件：Periodic YX:[],FP
偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） "FT( U{^7d
单位长度：0.5 <rpXhcR
s>^$: wzu
[attachment=128857] byUstm6y
1.2堆栈结构 *
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[attachment=128858] D#G(&<Q
2. 建模过程 @d86l.=
2.1设置模拟条件 R3=]Av46
B#U:6T y
[attachment=128859] -<tfbaA
2.2创建堆栈结构，修改各层参数 O}IRM|r"
NYcF]K}[
[attachment=128860] [attachment=128861] Fb{kql=
2.3创建掩膜并生成多畴结构 MKN],l
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[attachment=128862] =^LX,!2zp{
3. 结果分析 eDPmUlC+-
3.1 指向矢分布和透过率 `upxM0gc
EFb"{ L
[attachment=128863] ;K9rE3
3.2所有畴的V-T曲线 [10;Mg
%>G(2)Fb\\
[attachment=128864] JxM[LvVi
3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 ;<=B I!
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[attachment=128865]
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