TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真
1. 建模任务 wZ\% !# }7
1.1 模拟条件 T(iL#2^
模拟区域：0~10 G L8 N!,
边界条件：Periodic !)h?2#V8;
偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） O*-sSf
单位长度：0.5 \aB"D=P\ok
i=j4Wg ,{J
[attachment=128857] *&vi3#ur
1.2堆栈结构 'QxPQ cU
[attachment=128858] g0"KC X
2. 建模过程 o! }/ &
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2.1设置模拟条件 ">rt *?^
rK r2 K'
[attachment=128859] >TddKR @C
2.2创建堆栈结构，修改各层参数 [nG[@)G~0M
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[attachment=128860] [attachment=128861] k80!!S=_>
2.3创建掩膜并生成多畴结构 Q2K)Nl >_
[attachment=128862] 'w!8`LPu
3. 结果分析 jG~UyzWH;
3.1 指向矢分布和透过率 s&~ .";b
BRG TCR
[attachment=128863] ~n`G>Oe3
3.2所有畴的V-T曲线 IX
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70{fl
4J5
[attachment=128864] NZ?| #5 3
3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 p:gM?2p1
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[attachment=128865]
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