TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真
1. 建模任务 tW4|\-E"s4
1.1 模拟条件 QJ2V&t"3
模拟区域：0~10 Vs h7>|@
边界条件：Periodic bqjj6bf'o
偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） ts
BPQ 8Ne
单位长度：0.5 |DAe2RK
%Z|]"=;6
[attachment=128857] 5 fpBzn$
1.2堆栈结构 )aY^k|I
[attachment=128858] 6- H81y 3
2. 建模过程 Hd)z[6u8eT
2.1设置模拟条件 ~9#nC`%2j
|~Q`D dkX
[attachment=128859] VT.BHZ
2.2创建堆栈结构，修改各层参数 C~\/F rO?
X
?p_O2#k
[attachment=128860] [attachment=128861] -]=-IiC#
2.3创建掩膜并生成多畴结构 e jY|o
Bj
[attachment=128862] Qg]8~^ Q<
3. 结果分析 1S !<D)n
3.1 指向矢分布和透过率 W`zY\]
4fe$0mye
[attachment=128863] [kc% +j<g
3.2所有畴的V-T曲线 Mp;yv atO
}hT1@ I
[attachment=128864] $)OUOv
3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 Iq&S6l <0
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[attachment=128865]
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