TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真
1. 建模任务 ?8fa/e
1.1 模拟条件 `Q^G
k{9P
模拟区域：0~10 4 StiYfae
边界条件：Periodic O8TA c]B
偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） >7 B6iR6N
单位长度：0.5 G+[hE|L~y
K/KZ}PI-O
[attachment=128857] _n@#Lufx
1.2堆栈结构 3i=+ [
[attachment=128858] Ly/"da
2. 建模过程 p]:5S_$
2.1设置模拟条件 5;oWFl
TB\#frG
[attachment=128859] )8p FPr
2.2创建堆栈结构，修改各层参数 rePJ4i [y
ZGf R:a)wc
[attachment=128860] [attachment=128861] Z\D!'FX
2.3创建掩膜并生成多畴结构 &]3_ .C
[attachment=128862] l_5]~N
3. 结果分析 TZT i:\nS
3.1 指向矢分布和透过率 b=horvs/!
Hly2{hokq
[attachment=128863] v#{Sx>lO
3.2所有畴的V-T曲线 q asb K:}
Z0s}65BR
[attachment=128864] QI'ul e
3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 D/^yAfI
4UT % z}[!
[attachment=128865]
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