TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真
1. 建模任务 ?)9L($VVD
1.1 模拟条件 #?)6^uTW
模拟区域：0~10 x<I[?GT=
边界条件：Periodic JWHsTnB
偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） %ddH4Q/p
单位长度：0.5 h[dJNawL
sqhMnDn[
[attachment=128857] "E+;O,N-
1.2堆栈结构 dEYw_qJ2
[attachment=128858] tQ@7cjq8bA
2. 建模过程 ?=lb@U
2.1设置模拟条件 A{ > w5 T
]s Euh~F
[attachment=128859] 4L>8RiiQE;
2.2创建堆栈结构，修改各层参数 ;?q(8^A
8s22VL
[attachment=128860] [attachment=128861] ObM/~{rKx
2.3创建掩膜并生成多畴结构 J4eU6W+ {
[attachment=128862] 0d2RB^"i
3. 结果分析 <Y6Vfee,&
3.1 指向矢分布和透过率 E^J &?-
d>u^ 7:
[attachment=128863] r )~?5d
3.2所有畴的V-T曲线 rhLhFN {h
L4^/ O29
[attachment=128864] ft7M9<#v
3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 g5U,
8^EWD3N`
[attachment=128865]
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