TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真
1. 建模任务 D"2&P ^-
1.1 模拟条件 # Oc ]
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模拟区域：0~10 DN-+o sPi
边界条件：Periodic ?IqQ-C)6D
偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） 3yU.& k
单位长度：0.5 1Vrh4g.l
`tA"
}1;ka
[attachment=128857] jD<{t
1.2堆栈结构 Vr`R>S,-
[attachment=128858] [ 0KlC1=
2. 建模过程 2a`o
&S
2.1设置模拟条件 %\dz
m-d(C
V k
K
[attachment=128859] (3 Two}
2.2创建堆栈结构，修改各层参数 |@
s,XS
p93r'&Q
[attachment=128860] [attachment=128861] 6z#a cE1)M
2.3创建掩膜并生成多畴结构 8QLj["
[attachment=128862] t\~P:"
3. 结果分析 ORHp$Un~)
3.1 指向矢分布和透过率 P3x= 8_#
fzb29 -
[attachment=128863] IEsEdw]aZE
3.2所有畴的V-T曲线 p.v0D:@&
}Qn&^[[miL
[attachment=128864] ' g=
3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 RI
5 y F
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[attachment=128865]
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