TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真
1. 建模任务 V *65 b(q)
1.1 模拟条件 o*ANi;1]&B
模拟区域：0~10 ; !$m1
边界条件：Periodic ?\H.S9 CZ^
偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） 6J%iZ
单位长度：0.5 2H[)1|]l
8*!|8 BPj^
[attachment=128857] gbOCR1PBg
1.2堆栈结构 GVd48 *
[attachment=128858] 3 @5p"X
2. 建模过程 6~5$s1Yc
2.1设置模拟条件 Ff"gadRXd
0 H=9@
[attachment=128859] eZF'C k y
2.2创建堆栈结构，修改各层参数 oEzDMImJ5
M?o{STt
[attachment=128860] [attachment=128861] Q!CO0w
2.3创建掩膜并生成多畴结构 PDw{R]V+
[attachment=128862] (;6s)z
3. 结果分析 l+
T, 2sd
3.1 指向矢分布和透过率 {^&@g kYY
f =_^>>.
[attachment=128863] )&Z>@S^
3.2所有畴的V-T曲线 T!(
4QRh[
T$b\Q
[attachment=128864] ;; LuU<,$
3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 JmWR{du
Sa]Ek*
[attachment=128865]
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