TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真
1. 建模任务 g2%&/zq/
1.1 模拟条件 l
+RT>jAmK
模拟区域：0~10 -E~pCN(E
边界条件：Periodic [G:wPp.y
偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） $7~ k#_#PC
单位长度：0.5 wic"a
Y<m
C!xq p
[attachment=128857] vwQY_J8
1.2堆栈结构 Rb=T'x'
[attachment=128858] |0 YDCMq(
2. 建模过程 J =o,: 3"
2.1设置模拟条件 g/ONr,l`-
+^$FA4<~
[attachment=128859] E>~DlL%
2.2创建堆栈结构，修改各层参数 O57n<J'6
gaBt;@?:Q
[attachment=128860] [attachment=128861] [L h<k+
2.3创建掩膜并生成多畴结构 <)c/PI[j
[attachment=128862] Q" BIk
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3. 结果分析 N@J "~9T
3.1 指向矢分布和透过率 nTO,d$!Kp
TS+itU62
[attachment=128863] 2= FGZa*.
3.2所有畴的V-T曲线 ~M`-sSjZs
]~~PD?jh
[attachment=128864] HFYN(nz}[
3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 CuRYtY@9
[)U |HnAJ
[attachment=128865]
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