TechWiz LCD 2D应用:多畴IPS仿真
1. 建模任务 KElEGW 1.1 模拟条件 p{,#H/+J 模拟区域:0~10 8UU
L= 边界条件:Periodic w"{DLN[Qw 偏移角度:12°(Domain A),-12°(Domain B) L6h<B
:l 单位长度:0.5 h*R@ d SJ]6_4=y*
[attachment=128857] Y%;J/4dd 1.2堆栈结构 ^6 wWv&G[8
[attachment=128858] |y^=(|eM 2. 建模过程 c^I^jg2v 2.1设置模拟条件 o< @![P
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[attachment=128859] r;{$x 2.2创建堆栈结构,修改各层参数 xX-r<:'tmi xt|^~~ /
[attachment=128860] [attachment=128861] YYpC!) 2.3创建掩膜并生成多畴结构 GL?b!4xx
[attachment=128862] J8)l ,J" 3. 结果分析 {D[6=\F 3.1 指向矢分布和透过率
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[attachment=128863] 0si1:+t-[+ 3.2所有畴的V-T曲线 uH*6@aYPo #@oB2%&X?
[attachment=128864] Qyw@ r 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围 \
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[attachment=128865]
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