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2024-03-28 08:15 |
OptiBPM:创建一个多模干涉星型耦合器
在完成教程1、2和3后,你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序: f Nnemn@> • 生成材料 ^yo~C3r~ • 插入波导和输入平面 e=m=IVY#W • 编辑波导和输入平面的参数 ^$I8ga • 运行仿真 _pS|bqF • 选择输出数据文件 O W|5IEC • 运行仿真 ^E^Cj;od@ • 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 H<`<5M 8 at-+%e 教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上,对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息,可参阅之前课程中提供的操作。 zZax![Z O.% $oV 本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2:创建一个简单多模干涉星型(下文简称为MMI)耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下: 3</gK$f2 • 定义MMI星型耦合器的材料 $|V@3`0 • 定义布局设置 86AZ)UP2D • 创建MMI星形耦合器 shAoib?Kw: • 运行模拟 U$,W/G}m • 查看最大值 Dxlpo!
?# • 绘制输出波导 5m]N%{<jAB • 为输出波导分配路径 y]e[fZ`L • 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 2aR<xcSg • 添加输出波导并查看新的仿真结果 EDf"1b{PX • 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 88l\8k4r 1. 定义MMI星型耦合器的材料 @z-%:J/$ 要定义单向弯曲器件的材料,请执行以下步骤。 (q]_&%yW 步骤 操作 F?B`rw@xr 1) 创建一个介电材料: .*(xkJI3 名称:guide %7y8a`} 相对折射率(Re):3.3 DQy<!Wb+ 2) 创建第二个介电材料 PV\aQO.mo 名称: cladding +'VSD`BR 相对折射率(Re):3.27 tvlrUp 3) 点击保存来存储材料 }@XokRk 4) 创建以下通道: ~>"m`Q&[ 名称:channel f~0CpB*X 二维剖面定义材料: guide D,l&^diz 5 点击保存来存储材料。 nR(v~_y[V ~Bi>T15e 2. 定义布局设置 b?kY`LC 要定义布局设置,请执行以下步骤。 kR,ry:J- 步骤 操作 n LD1j 1) 键入以下设置。 9-3, DxZ} a. Waveguide属性: =G,wR'M 宽度:2.8 LN0pC}F 配置文件:channel @?vC4+' b. Wafer尺寸: $~+(si2 长度:1420 5w+KIHhN| 宽度:60 ?XIB\7} c. 2D晶圆属性: pv[Gg^ 材质:cladding |Fi{]9(G2 2) 点击OK,将此设置应用到布局中。 SYE+A`a NxW
Dw 3. 创建一个MMI星型耦合器 n(h9I'V8)F 由于MMI星形耦合器中有四个输出通道,因此需要找到在教程2(教程2:创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述,这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 !y\r.fm!A 要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度,请执行以下步骤。 2<FEn$n[ 步骤 操作 fg)VO6Wo& 1) 绘制和编辑第一个波导 jP{&U&!i a. 起始偏移量: vvI23!H 水平:0 gHo sPY[ 垂直:0 lz7?Z b. 终止偏移: TtQ'I}7q 水平:100 smUSR4VK 垂直:0 z?^oy. 2) 绘制和编辑第二个波导 `FGYc a. 起始偏移量: 85T"(HhT 水平:100 `y|_hb 垂直:0 :pfLa2f+ b. 终止偏移: \(A A|; 水平:1420 $<QrV,T 垂直:0 u*T(n s
l c. 宽:48 ~].?8C.>* 3) 单击OK,应用这些设置。 Fq$r>tmV D3B] fDwK5? 4. 插入输入平面 BW:HKH.k 要插入输入平面,请执行以下步骤。 `/O AgV"` 步骤 操作 >qz#& | |