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2024-03-28 08:15 |
OptiBPM:创建一个多模干涉星型耦合器
在完成教程1、2和3后,你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序: %Qrf
] • 生成材料 : xB<Rq • 插入波导和输入平面 X.bNU • 编辑波导和输入平面的参数 t%V!SvT8+ • 运行仿真 jBarY g • 选择输出数据文件 eDgRYa9\ • 运行仿真 HTvA]-AuM • 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 G2zfdgW${/ tLJ"] D1w 教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上,对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息,可参阅之前课程中提供的操作。 BUuNI_?M#5 | Fm( 本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2:创建一个简单多模干涉星型(下文简称为MMI)耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下: k*[["u^u] • 定义MMI星型耦合器的材料 b_:]Y<{> f • 定义布局设置 nB WVG • 创建MMI星形耦合器 +r"{$'{^ • 运行模拟 }RDGk+x7| • 查看最大值 5iwJdm • 绘制输出波导 VW}xY • 为输出波导分配路径 \f5$L` • 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 NDWpV • 添加输出波导并查看新的仿真结果 &2d^=fih • 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 MOKg[j 1. 定义MMI星型耦合器的材料 s(o{SC'tt 要定义单向弯曲器件的材料,请执行以下步骤。 Cq(dj^/~m 步骤 操作 cLEBcTx 1) 创建一个介电材料: O=?WI
名称:guide uK2MC?LP 相对折射率(Re):3.3 ?YOH9%_cs 2) 创建第二个介电材料 =c"`>Vi@d 名称: cladding yO;r]`j0 相对折射率(Re):3.27 yIC8Rl 3) 点击保存来存储材料 d<r=f" 4) 创建以下通道: RtwlPz<~S 名称:channel # y%Q{ 二维剖面定义材料: guide BxS\"W 5 点击保存来存储材料。 N.vt5WP $e)d!m. 2. 定义布局设置 7F!_gj p 要定义布局设置,请执行以下步骤。 TL-sxED,,D 步骤 操作 J\^ZRu_K 1) 键入以下设置。 e
C?adCb a. Waveguide属性:
XCc/\ 宽度:2.8 r({!ejT{U 配置文件:channel mEyJ
o| b. Wafer尺寸: 8D@H4O. 长度:1420 rlEEf/m: 宽度:60 ,u8)g;8s c. 2D晶圆属性: 9~2}hXm; 材质:cladding "l &=a1l 2) 点击OK,将此设置应用到布局中。 Ue^2H[zs- $6e&sDJ 3. 创建一个MMI星型耦合器 $hZb<Xz 由于MMI星形耦合器中有四个输出通道,因此需要找到在教程2(教程2:创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述,这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 7p}J]!Z 要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度,请执行以下步骤。 EnnT)qos 步骤 操作 <5X?6*Qvr 1) 绘制和编辑第一个波导 A[`c2v-hF a. 起始偏移量: 2oyTS*2u_& 水平:0 FR&4i" + 垂直:0 0*^ J;QGE b. 终止偏移: Fa:fBs{ 水平:100 /n;Ll](ri 垂直:0 ^m8T$^z> 2) 绘制和编辑第二个波导 m7}PJ^*b a. 起始偏移量: qkVGa%^ 水平:100 QWz5iM 垂直:0 91d@/z b. 终止偏移: Z]kk.@P 水平:1420 - e0C
Bp 垂直:0 Y7(E<1Yx c. 宽:48 *y<Ru:D 3) 单击OK,应用这些设置。 ilJeI@ 1henQiIO .@KpN*`KH 4. 插入输入平面 0goKiPx 要插入输入平面,请执行以下步骤。 )[_A{#& | |