晶合“一种光刻工艺的仿真处理方法、装置、设备及介质”专利公布

据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种光刻工艺的仿真处理方法、装置、设备及介质”，公开号CN117148689A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种光刻工艺的仿真处理方法、装置、设备及介质，其通过获取初始光强分布数据，并基于该数据通过调整散射条的宽度和/或光罩的透光率，以获得对应的中间光强分布数据。接着，基于中间光强分布数据获取对应的目标宽度和目标透光率，从而将光刻工艺中的散射条宽度和/或光罩透光率调整至目标值，完成光刻工艺的仿真处理。该专利技术能够改善在光刻工艺中出现的光阻凸起问题，提升了工艺的精准性和产品的质量。

ttb2016	2023-12-04 22:43
改善在光刻工艺中出现的光阻凸起问题！

tassy	2023-12-04 23:53
可提升工艺的精准性和产品的质量。

unlogical	2023-12-05 02:56
不知道是用在多少精度的工艺上

phisfor	2023-12-05 07:01
好厉害好厉害

likaihit	2023-12-05 07:39
有具体的权利书

redplum	2023-12-05 07:40
很好的技术

liulin666	2023-12-05 08:21
晶合“一种光刻工艺的仿真处理方法、装置、设备及介质”

雨后无文	2023-12-05 08:30
提升了工艺的精准性和产品的质量 @dgH50o[

camelots

2023-12-05 08:33

改善在光刻工艺中出现的光阻凸起问题！

11yy	2023-12-05 08:39
提供一种光刻工艺的仿真处理方法、装置、设备及介质，其通过获取初始光强分布数据，并基于该数据通过调整散射条的宽度和/或光罩的透光率，以获得对应的中间光强分布数据。

wmh1985

2023-12-05 08:56

专利摘要显示，本发明提供一种光刻工艺的仿真处理方法、装置、设备及介质，其通过获取初始光强分布数据，并基于该数据通过调整散射条的宽度和/或光罩的透光率，以获得对应的中间光强分布数据。接着，基于中间光强分布数据获取对应的目标宽度和目标透光率，从而将光刻工艺中的散射条宽度和/或光罩透光率调整至目标值，完成光刻工艺的仿真处理。该专利技术能够改善在光刻工艺中出现的光阻凸起问题，提升了工艺的精准性和产品的质量。

mmttxiaoxiao	2023-12-05 08:56
逐步改进

cufgr	2023-12-05 09:04
能够改善在光刻工艺中出现的光阻凸起问题，提升了工艺的精准性和产品的质量。

谭健	2023-12-05 09:11
不知道是用在多少精度的工艺上

tassy	2023-12-05 09:39
仿真改善在光刻工艺中出现的问题！

swy312	2023-12-05 09:42
期待突破

sgsmta	2023-12-05 09:53
一种光刻工艺的仿真处理方法

qingdaocdp	2023-12-05 10:09
门外汉，我一直以为工艺是靠经验和试验积累出来的，现在的工艺还需要进行仿真嘛，

宿命233	2023-12-05 10:13
晶合“一种光刻工艺的仿真处理方法、装置、设备及介质”专利公布

liu.wade	2023-12-05 10:18
改善在光刻工艺中出现的光阻凸起问题

lpl_xatu	2023-12-05 11:21
咱国内都有哪些公司在做光刻？ :M3oUE{

personking	2023-12-05 16:00
这个有点牛逼了

wangjin001x	2023-12-05 16:37
晶合“一种光刻工艺的仿真处理方法、装置、设备及介质”专利公布

sac	2023-12-05 18:47
光刻工艺

3330634618	2023-12-05 19:04
据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种光刻工艺的仿真处理方法、装置、设备及介质”，公开号CN117148689A，申请日期为2023年11月。

jeremiahchou

2023-12-05 19:24

加油艾特我	2023-12-05 20:57
可以改善光刻工艺的光阻凸出问题，多点这种突破就好了 _ nA p6i

chenming95	2023-12-05 23:09
晶合“一种光刻工艺的仿真处理方法、装置、设备及介质”专利公布

谭健	2023-12-06 14:35
好厉害好厉害

查看本帖完整版本: [-- 晶合“一种光刻工艺的仿真处理方法、装置、设备及介质”专利公布 --] [-- top --]