TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真
. 建模任务 3(La)|k
1.1 模拟条件 - Tr*G4
模拟区域：0~10 GZ/vUe
边界条件：Periodic yy|F6Pq3`
偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） h`/1JjP
单位长度：0.5 l%$co07cX
[attachment=123408] I ?i,21:5
=k22f`8ew
1.2堆栈结构[attachment=123409] :[7.YQ
P[C03a!lXg
2. 建模过程 viR-h
iD
2.1设置模拟条件 %q
7gl;'
[attachment=123410] 4';(\42
_D?`'zN
2.2创建堆栈结构，修改各层参数 9dD;Z$x&Xk
[attachment=123411] [attachment=123412] ?AJE*=b
Se-n#
2.3创建掩膜并生成多畴结构[attachment=123413] 6H}8^'/u
SV96eYT<
3. 结果分析 I<ta2<h
3.1 指向矢分布和透过率 o2M4?}TpIV
[attachment=123414] YE \s<$
w(Hio-l=
3.2所有畴的V-T曲线 ..h D_k
[attachment=123415] /DBldL7yi
==pGRau q
3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 i+H HOT
[attachment=123416]
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