TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真
. 建模任务 {fJCj152.
1.1 模拟条件 *yv@B !r
模拟区域：0~10 #$
4g& 8
边界条件：Periodic c 2gi 3
偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） 2ck0k ,WP
单位长度：0.5 hp`ZmLq/[
[attachment=123408] Wb wwI)1
@'<=E AXe
1.2堆栈结构[attachment=123409] Xe&p.v
[RF 6mWQ
2. 建模过程 Y/sZPG} 4
2.1设置模拟条件 @N ]]Cf>x
[attachment=123410] 6 {quO# !
>Ptu-*
2.2创建堆栈结构，修改各层参数 cn Oh j
[attachment=123411] [attachment=123412] pxn@rN#*
YmCu\+ u
2.3创建掩膜并生成多畴结构[attachment=123413] S_TD o
0xY</S
3. 结果分析 bct8~dY
3.1 指向矢分布和透过率 JvK]EwR
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[attachment=123414] L5'?.9 ]
Y?3f
Fg
3.2所有畴的V-T曲线 n(`|:h"
[attachment=123415] BOW BD@y
VVDW= G
3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 *` 8JJs0g
[attachment=123416]
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