wmh1985 |
2023-10-23 08:56 |
中国科学院新疆理化技术研究所晶体材料研究中心在前期研究的基础上,通过系统分析[HgS4]基团畸变度对微观性能的影响,结合结构预测,在Hg-Zn-P-S体系合成出首例宽带隙的汞基红外非线性光学材料Zn2HgP2S8。该化合物带隙达到3.37 eV,打破了汞基红外非线性光学材料带隙长期小于3.0 eV的带隙“壁垒”。同时,,Zn2HgP2S8表现出大的倍频效应,约为1.1 ×AgGaS2,并能实现Ⅰ型相位匹配。相比于前期开发的大倍频红外非线性光学材料Hg3P2S8,Zn2HgP2S8表现出更平衡的倍频效应及光学带隙。理论计算结果表明,在类金刚石结构中,相比于低畸变度的[HgS4]基团,高度畸变的[HgS4]基团更利于诱导宽的带隙,这为后续设计宽带隙汞基类金刚石结构材料提供了新思路。
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