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2023-05-18 09:35 |
Ansys Lumerical | FDTD 应用:设计光栅耦合器
本文将设计一个光栅耦合器,将光子芯片表面上的单模光纤连接到集成波导。内置粒子群优化工具用于最大化耦合效率,并使用组件S参数在 INTERCONNECT 中创建紧凑模型。还演示了如何使用 CML 编译器提取这些参数以生成紧凑模型。(联系我们获取文章附件) Pteti $s=` {v v 概述 W3[>IH"+ EXeV@kg [attachment=117899] awR !=\ 7Ku&Q<mi 本示例的目标是设计一个 TE 绝缘体上硅 (SOI) 耦合器,该耦合器带有由单模光纤从顶部馈电的布拉格光栅。此设计中的关键品质因数(FOM)是目标波长处的耦合效率。耦合效率对光栅的间距高度敏感p,蚀刻长度le和蚀刻深度he以及光纤的位置x和倾斜角度θ。 u:J(0re Vp; `!+z" [attachment=117900] 8 !:2: 0#Gm# =F 这五个参数通常一起优化,以最大限度地提高目标中心波长的耦合效率。由于具有五个参数的暴力 3-D 优化非常耗时,因此此处使用 2-D 和 3-D 模型的组合进行两阶段优化,并且仅改变三个几何参数。设计工作流程包括四个主要步骤。 O1jiD_Y!9 e~gNGr]L/ 1、初始 2-D 优化:优化光栅的间距 p、占空比 d 和光纤位置 x。 >y8>OJ?A7- 2、最终的 3-D 优化:优化光纤的位置 x 以最小化插入损耗。 4r_*: $g 3、S 参数提取:运行 S 参数扫描并将结果导出到数据文件。 .s4vJKK0 4、紧凑的模型创建:将 S 参数数据导入光学 S 参数元素。 LodP,\T }.D18bE( 如下一节所示,主要使用40D仿真并改变光栅的间距、占空比和光纤位置可以获得高于2%的峰值耦合效率。 (t3gNin hwUb(pZ 使用 CML 编译器生成紧凑模型 :j~4mb?$ 0 ;LF>+fJ 要使用CML编译器生成光栅耦合器的紧凑模型,可以使用步骤3中的S参数数据。 8aHE=x/TL u= dj3q 运行和结果 W2-l_{ *>?N>f" 第 1 步:2D 优化 q'7.lrKwa> 1、打开 2D 模拟文件。 LkHH7Pd@ 2、进入“优化和扫描”窗口,打开名为“耦合效率优化”的优化项,查看优化设置。 ylos6]zS8 3、查看设置后,关闭编辑窗口并运行优化。优化应在 10 到20分钟内完成。如果您不想等待,请直接进入最后的 3D 优化步骤。 #*9 |\ 4、优化完成后,可以检索最佳螺距、占空比和位置。右键单击“耦合效率优化”项,然后在上下文菜单中选择“可视化”,然后选择“最佳参数”。 8h)7K/!\ cg^~P-i@* 优化完成后,最佳参数结果也将在优化状态窗口中显示,如下所示。品质因数图还显示,由于优化,FOM 已最大化。 4xT /8>v2| <WWZb\"{ [attachment=117901]
TR*vZzoy @?J7=}bzz 第 2 步:3D 优化 l#C<bDw 1、打开 3D 模拟文件。 0?t;3z$n 2、转到“对象树”窗口,然后选择光栅结构组。 >q?{'#i
/ 3、右键单击选定的结构组,然后在上下文菜单中选择“编辑对象”以打开编辑窗口。在编辑窗口的“属性”选项卡中,您应该会看到来自 2D 优化的最佳光栅间距和占空比。 n&&C(#mBC 4、单击确定关闭结构组编辑窗口。 o1\N)% 5、现在,转到“优化和扫描”窗口,然后选择名为位置优化的优化项目。 %I`'it2d 6、运行选定的优化。这将需要几个小时,因为所有模拟都是3D的。如果您不想等待,请直接转到 S 参数提取步骤。 |1H9,:*% 7、优化完成后,可以检索最佳光纤位置和预测的耦合效率。右键单击位置优化项,然后选择“可视化”,然后选择“最佳参数”或“最佳fom”。最佳参数结果包含最佳光纤位置x,而最佳品质因数结果包含目标波长的耦合效率。 28M^F~0 /+B6oE>8 优化结束时的优化状态窗口也可以提供如下所示的相同信息: ;Q&9t :I/9j=@1 [attachment=117902] xc-[gt6 +68age;dM 第 3 步:S 参数提取 Rf)|p; 1、再次转到“对象树”窗口,然后选择纤维结构组。 \2~\c#-k 2、右键单击所选组,然后在上下文菜单中选择“编辑对象”。 Q;l%@)m+~ 3、在编辑窗口的“属性”选项卡中,应存在最佳纤维位置 x。 ~C>;0a;<: 4、再次转到“优化和扫描”窗口,选择名为 S 参数的扫描项并运行扫描。扫描将启动两个模拟,应在大约半小时内完成。 !|V_DsP 5、扫描完成后,设备的散射参数变得可用。要查看它们,请右键单击 S 参数扫描项,然后在上下文菜单中选择“可视化”,然后选择“S 参数”。选择标量操作“Abs^2”以查看功率 s 参数 4VvE(f 6、要导出 S 参数结果,请右键单击 S 参数扫描项,然后在上下文菜单中选择“导出到互连”。在随后的“导出到互连”窗口中,输入数据文件的名称和位置,然后单击“保存”。 2h<_?GM\s P()n=&XO6 获得的s参数光谱表明,在目标波长下功率耦合效率约为40%,如下图所示: .PT7 y+$vHnS/jC [attachment=117903] @\gE{;a8 Ivcy=W=Jk 有关 s 参数提取的详细信息,请参阅此示例的附录部分。 =d@)*W 6 jR:\D_: 步骤 4:创建紧凑模型 ?HOnDw.v1 1、在 INTERCONNECT 中打开 grating_coupler.icp 文件。
)bYOy+2g 2、将步骤 3 中生成的 S 参数文件导入光纤 N 端口 S 参数元素 (Grating_Coupler)。 rFt+Y}) 3、运行仿真并可视化输入模式 1 的传输结果。将标量操作切换为“Abs^1”以观察功率传输 D|$0~1y ^wSGrV' 在互连中测量的功率传输与在步骤3中获得的s参数功率传输相同。 ^; U}HAY =B+dhZ+#S$ [attachment=117904] je#LD Hr] 重要模型设置 7)O+s/.P) Q$:,N=% 极化
Jk`l{N 所选折射率值代表 SOI 芯片制造工艺。由于硅和氧化硅之间的高折射率对比度,集成波导的两种基本模式(TE和TM)的有效折射率之间存在很大差异。因此,SOI光栅耦合器具有强极化选择性。所提出的设计激发了TE模式,因为这是最常见的选择,但是,也可以针对TM模式设置优化。 ('uUf!h?\ ;){ZM,Ox 倾斜角度 #68$'Rl"o1 耦合效率在很大程度上取决于光纤如何与顶部氧化硅包层相遇。在本例中,假设光纤的末端以小角度抛光,以便光纤在安装在顶部包层上时倾斜。这种倾斜可防止反射到光纤中。为简单起见,这里采用了固定的倾斜角度,但是,可以通过允许其变化来改进设计。 h)W# :qR8 e J 蚀刻深度 fTX|vy<EMI 耦合效率对光栅的间距、占空比和刻蚀深度高度敏感。为简单起见,这里采用固定的蚀刻深度,但是,如果可用的制造工艺提供该自由度,也可以改变。 U+ Yu_=o{ )BaGY 基板 %RwWyzm#\ 如果制造器件中存在硅衬底,则应将其包含在仿真中。基板将对光的耦合方式产生明显影响,并且不能像其他器件设计中经常做的那样省略。 D8B\F5..c# ; %AgKgV
间距 dpge:Qhr 在最初的二维优化步骤中,如何为光栅间距选择优化范围并不明显。假设蚀刻深度固定 he 和占空比 d 在 [0,1] 范围内,什么是合适的音高范围?这里使用的范围值来自最低阶布拉格条件,它与光栅的间距有关,p到有效索引 neff 光栅数量: Kx[+$Qt qKeR}&b [attachment=117905] sGiK
S,.K ;sUvY* Bcm λ0是中心波长,nSiO2 是氧化硅顶部包层的折射率和θ是像以前一样的源角度。请注意,此关系假定顶部包层和核心之间的折射率对比度最小,并且对于高折射率对比度系统无效。优化过程中为节距选择的范围可以通过考虑以下两个极值来获得 neff 这是光栅未蚀刻和部分蚀刻区域的板坯模式的有效指标。这些指数可以通过特征模态求解器(如 FDE)获得。最佳 p 值通常略大于布拉格条件预测的值。由于波导上的端口包含板坯模式的有效索引作为其结果之一,因此这种初始猜测很容易计算。 d'Dd66 41.xi9V2 结构组 (?7}\B\ 此处使用结构组来更新光栅和光纤的几何基元。对光栅和纤维参数的任何更改都必须使用结构组的接口进行应用。使用结构组的优点是,它们可以将单个参数更改应用于多个基元,但是,它们也可以覆盖对单个几何图形的手动更改。纤维结构组被设置为模拟以一定角度抛光的纤维。这是通过对组中的对象应用轻微旋转并对对象使用“网格顺序”设置来完成的,以便光纤仅向下延伸到光栅耦合器上方的某个点,而不是像布局视图中可能描述的那样完全穿过光纤。这可以通过可视化结构的索引配置文件来验证,如下所示: 9P#kV@%(0c n^55G>"0| [attachment=117906] e8_EB/)_Z I3Z\]BI 优化品质因数 (FOM) |z@AvS[ 由于设计的目的是在所需波长下实现最佳耦合,因此选择优化品质因数作为通过耦合器在目标波长处的传输,优化算法将尝试最大化该值。此品质因数由“模型”对象中的分析脚本计算。 y fuH EN}4-P/5 使用参数更新模型 ]<%NX
$9\ ·在全局端口设置中输入所需的源波长和目标带宽。 7FaF]G ·从模型对象的分析选项卡中选择用于耦合效率优化的目标波长。 /{[tU-}qJ ·根据您的测量设备更新光纤尺寸和折光率值。 (bNoe(<qU ·根据您的制造工艺和目标设计偏振修改折射率值和层厚度。 KG(l=? N ·验证两个端口的选定模式是否具有所需的极化;如有必要,调整端口大小。 NYxL7 :9 ·使用您选择要优化的参数更新优化对象;选择合适的参数范围。 5[*8CY z~2;u5S& CML 编译器的参数提取 !iX/Ni: hSps9*y [attachment=117907] K-c>J
uv&, z^/9YzA!6 本节介绍如何使用脚本文件自动提取和保存光栅耦合器的 S 参数。我们假设光栅耦合器已经优化,因此仅执行原始工作流程的第3步概述部分是必要的。此步骤中生成的 S 参数文件可以直接在 CML 编译器中使用,为光栅耦合器创建紧凑模型。 PF)s> weGsjy(b]N 提取光栅耦合器元件的S参数并使用它来构建光栅耦合器(固定)的步骤 – 铸造模板 – Ansys Optics紧凑模型如下所述: Z)3oiLmD LZ(K{+U/ 1、打开模拟文件 grating_coupler_3D.fsp 和脚本文件 grating_coupler_dataCMLCompiler.lsf。
l] 2、运行脚本文件。 #c/K.? 3、复制生成的gc_strip_te_c_S_params.txt文件。将此文件与包中存在的 gc_strip_te_c.lsf 文件一起粘贴到 gc_strip_te_c 元素文件夹中以生成紧凑模型。有关运行CMLC构建紧凑模型的详细信息,请联系工作人员了解。 dgByl-8Q 4、在用于为元件构建紧凑模型的 xml 文件中,更新parameter_fileformat 属性,如下所示。 z-]ND /
U~yYh [attachment=117908] i_!$bk<yo ?aB%h
|VA 进一步推广模型 jQfnc:' +n
&8" ) S 参数:S 参数提取步骤仅针对TE偏振生成散射参数结果。要添加 TM 极化,只需在集成波导端口上同时选择 TE 和 TM 模式,然后重新运行 S 参数扫描。此更改将为 S 参数扫描添加一个额外的仿真和一个额外的结果。 ]-+l.gVFW 2D 优化:通过将光栅的蚀刻深度和光纤的倾斜角度添加到优化参数列表中,可以改进初始 2D 优化步骤。改变蚀刻部门可以提高初始耦合效率,而改变倾斜角度可以让您将峰值效率落在中心波长处。根据设计目标,其他品质因数(例如整个频谱上的平均传输率)也可用于优化。 ka`}lR 3D 优化:最终的 3D 优化步骤可以通过包含多个优化参数来改进。也可以完全绕过二维优化步骤,使用 2-D 模型优化所有五个参数。添加更多的优化参数将大大增加完成优化阶段所需的时间,但可以提高最终设计的耦合效率。 I&&;a. 锥度优化 :3-D耦合器模型使用绝热锥度部分连接到光栅起点的集成波导。耦合效率也可以通过优化锥形来提高(参见 SOI 锥度设计)。 "-IF_Hid 并行化 :如果您有权访问计算机集群,则优化工具可以使用作业管理器并行化 所有必需的模拟。并行化可以大大减少优化时间,因为给定优化生成的所有模拟都可以在单独的机器上独立运行。 elD|b=(-
MATLAB 和 Python:为了支持不同的优化算法,Matlab 和 Python API 可用于与其他工具接口,例如 Matlab 优化工具箱或 SciPy 的优化包。 GbkDs- 高效光栅耦合器:在大带宽下效率高于90%的耦合器采用 FDTD 设计,使用更复杂的光栅和混合2/3D优化策略。 fCO<-L9k$ 9A`^ ( 参考文献 RO[X#c cp`ZeLz2^ 1、基本光栅耦合器设计 :D. Taillaert,F. Van Laere,M. Ayre,W. Bogaerts,D. Van Thourhout,P. Bienstman和R. Baets,“用于光纤和纳米光子波导之间耦合的光栅耦合器”,日本应用物理学杂志,第45卷,第8a期,第6071-6077页,2006年。 anKflt3 2、高级优化 :R. Marchetti,C. Lacava,A. Khokhar,X. Chen,I. Cristiani,D. J. Richardson,G. T. Reed,P. Petropoulos和P. Minzioni,“高效光栅耦合器:新设计策略的演示”,科学报告,文章编号:16670,2017。T. Watanabe,M. Ayata,U. Koch,Y. Fedoryshyn和J. Leuthold,“基于闪耀反反射结构的垂直光栅耦合器”,《光波技术杂志》,第35卷,第21期,第4663-4669页,2017年。
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