| cyqdesign | 2023-04-12 19:25 |
《光学光刻和极紫外光刻》[attachment=117279]  第1章光刻工艺概述 1.1微型化： 从微电子到纳米技术_1 1.2光刻技术的发展史_3 1.3投影光刻机的空间成像_5 1.4光刻胶工艺_10 1.5光刻工艺特性_12 1.6小结_18 参考文献_18 第2章投影光刻的成像原理 2.1投影光刻机_20 2.2成像理论_21 2.2.1傅里叶光学描述_21 2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 2.2.3其他成像仿真方法_30 2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 2.3.1分辨率极限和焦深_31 2.3.2影响_36 2.4小结_39 参考文献_39 第3章光刻胶 3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 3.1.1光刻胶的分类_42 3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 3.1.4现象学模型_48 3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 3.2.1技术方面_50 3.2.2曝光_51 3.2.3曝光后烘焙_54 3.2.4化学显影_58 3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 3.5小结_68 参考文献_69 第4章光学分辨率增强技术 4.1离轴照明_74 4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 4.2光学邻近效应校正_81 4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 4.2.2线端缩短补偿_84 4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 4.2.4OPC模型和工艺流程_88 4.3相移掩模_89 4.3.1强相移掩模： 交替型相移掩模_90 4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 4.4光瞳滤波_100 4.5光源掩模协同优化_102 4.6多重曝光技术_106 4.7小结_109 参考文献_110 第5章材料驱动的分辨率增强 5.1分辨率极限的回顾_115 5.2非线性双重曝光_119 5.2.1双光子吸收材料_119 5.2.2光阈值材料_120 5.2.3可逆对比增强材料_121 5.3双重和多重成形技术_124 5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 5.3.3自对准双重成形_126 5.3.4双色调显影_127 5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 5.4定向自组装_129 5.5薄膜成像技术_133 5.6小结_135 参考文献_135 第6章极紫外光刻 6.1EUV光源_141 6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 6.3EUV掩模_146 6.4EUV曝光设备和图像形成_151 6.5EUV光刻胶_156 6.6EUV掩模缺陷_157 6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 6.7.3低k1技术： EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 6.8小结_167 参考文献_168 第7章投影成像以外的光刻技术 7.1非投影式光学光刻： 接触式和接近式光刻_176 7.1.1图像形成和分辨率限制_176 7.1.2技术实现_179 7.1.3先进的掩模对准光刻_182 7.2无掩模光刻_186 7.2.1干涉光刻_186 7.2.2激光直写光刻_189 7.3无衍射限制的光刻_194 7.3.1近场光刻_195 7.3.2利用光学非线性_198 7.4三维光刻_203 7.4.1灰度光刻_203 7.4.2三维干涉光刻_205 7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 7.5浅谈无光刻印_209 7.6小结_210 参考文献_211 第8章光刻投影系统： 高级技术内容 8.1实际投影系统中的波像差_220 8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 8.1.2波前倾斜_226 8.1.3离焦像差_226 8.1.4像散_228 8.1.5彗差_229 8.1.6球差_231 8.1.7三叶像差_233 8.1.8泽尼克像差小结_233 8.2杂散光_234 8.2.1恒定杂散光模型_235 8.2.2功率谱密度（PSD）杂散光模型_236 8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 8.3.1掩模偏振效应_240 8.3.2成像过程中的偏振效应_241 8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 8.3.5偏振照明_248 8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 8.5小结_250 参考文献_251 第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 9.1严格电磁场仿真的方法_256 9.1.1时域有限差分法_257 9.1.2波导法_260 9.2掩模形貌效应_262 9.2.1掩模衍射分析_263 9.2.2斜入射效应_266 9.2.3掩模引起的成像效应_268 9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 9.2.5各种三维掩模模型_277 9.3晶圆形貌效应_279 9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 9.4小结_283 参考文献_283 第10章先进光刻中的随机效应 10.1随机变量和过程_288 10.2现象_291 10.3建模方法_294 10.4依存性及其影响_297 10.5小结_299 参考文献_299 专业词汇中英文对照表
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