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cyqdesign 2023-04-12 19:25

《光学光刻和极紫外光刻》

《光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著，内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上，涵盖了全面又丰富的内容；在论述光刻技术的物理机制和数学模型时，采用了完整而不繁琐的方法，增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后，还专门开辟章节，介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点，揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点，它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 " Tw0a!  
1XC*|  
[attachment=117279]
``/y=k/au  
23,%=U  
'XG:1Bpm  
第1章光刻工艺概述 wZ}n3R,   
1.1微型化：　从微电子到纳米技术_1 a'o}u,e5  
1.2光刻技术的发展史_3 -+`az)lrp  
1.3投影光刻机的空间成像_5 T;xHIg4  
1.4光刻胶工艺_10 jw2_!D  
1.5光刻工艺特性_12 2"B}}  
1.6小结_18 b"*mi  
参考文献_18 _?*rtDzIM  
[+Yl;3 &]  
第2章投影光刻的成像原理 8-W"4)@b  
2.1投影光刻机_20 V_7 Y1GD  
2.2成像理论_21 m7weR>aS4  
2.2.1傅里叶光学描述_21 dY48S{  
2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 *tIdp`xT/T  
2.2.3其他成像仿真方法_30 _wIBm2UO  
2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 + 6i7,U  
2.3.1分辨率极限和焦深_31 )@sJTAK  
2.3.2影响_36 [w+yQ7P  
2.4小结_39 9 kTD}" %2  
参考文献_39 Ki&WS<,0Z  
a)YJ4\Qg[  
第3章光刻胶 Qq @_Z=mt  
3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 p =#'B*'w  
3.1.1光刻胶的分类_42 -PIA;#Gs  
3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 JMl ,  N  
3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 Y#Sd2h,^X  
3.1.4现象学模型_48 '2Mjz6mBDA  
3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 8ItCfbqa6  
3.2.1技术方面_50 QE`:jxyad  
3.2.2曝光_51 ~5XL@jI^  
3.2.3曝光后烘焙_54 4O5n6~24  
3.2.4化学显影_58 e3oYy#QNk  
3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 `[g# Mxw  
3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 %B*<BgJ;4F  
3.5小结_68 EU&6 Tg  
参考文献_69 @ U7#, G  
zz+M1n-;o  
第4章光学分辨率增强技术 `2Z4#$.  
4.1离轴照明_74 fF9;lWt  
4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 kHz+ ZY<?  
4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 0%q{UW2  
4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 )- Wn'C'Z  
4.2光学邻近效应校正_81 dvrvpDoE.  
4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 6qmo ZAg  
4.2.2线端缩短补偿_84 5 O{Ip-  
4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 9~Y)wz  
4.2.4OPC模型和工艺流程_88 f0N)N}y  
4.3相移掩模_89 [1Qk cR  
4.3.1强相移掩模：　交替型相移掩模_90 f6dE\  
4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 Q T0IW(A  
4.4光瞳滤波_100 tXb7~aO  
4.5光源掩模协同优化_102 OoU'86)  
4.6多重曝光技术_106 f0HV*%8  
4.7小结_109 ^bY^x+d  
参考文献_110 7#~m:K@  
|P[D2R}  
第5章材料驱动的分辨率增强 l{D,O?`Av  
5.1分辨率极限的回顾_115 b> >=d)R  
5.2非线性双重曝光_119 NL>[8#  
5.2.1双光子吸收材料_119 zd*W5~xKg  
5.2.2光阈值材料_120 }. Na{]<gh  
5.2.3可逆对比增强材料_121 ] _]6&PZXk  
5.3双重和多重成形技术_124 OJC*|kN-#^  
5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 k8t Na@H  
5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 )Zu Q;p  
5.3.3自对准双重成形_126 ki][qvXJ  
5.3.4双色调显影_127 nw]e_sm  
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 !m/Dd0  
5.4定向自组装_129 3gfV0C\  
5.5薄膜成像技术_133 2Xq!'NrS  
5.6小结_135 s].'@_~s  
参考文献_135 (<:rKp  
c?3F9 w#  
第6章极紫外光刻 \I o?ul}za  
6.1EUV光源_141 41+E UMc  
6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 D+vl%(g  
6.3EUV掩模_146 sLpCWIy  
6.4EUV曝光设备和图像形成_151 +oKpA\mz  
6.5EUV光刻胶_156 Ws}kb@5  
6.6EUV掩模缺陷_157 U}C#:Xi>$  
6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 VdN+~+A:  
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 l7r N  
6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 N6m*xxI{  
6.7.3低k1技术：　EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 'zD;:wT  
6.8小结_167 X0r#,u  
参考文献_168 ~%!U,)-  
FO3eg"{N  
第7章投影成像以外的光刻技术 7`'fUhB!  
7.1非投影式光学光刻：　接触式和接近式光刻_176 %>*0.)wG  
7.1.1图像形成和分辨率限制_176 I5<#SW\a?  
7.1.2技术实现_179 D*2p  
7.1.3先进的掩模对准光刻_182 aK=3`q  
7.2无掩模光刻_186 ~ dI&> CL  
7.2.1干涉光刻_186 i6\!7D]  
7.2.2激光直写光刻_189 `b'|FKc]  
7.3无衍射限制的光刻_194 d_?Zr`:  
7.3.1近场光刻_195 fKK-c9F   
7.3.2利用光学非线性_198 3S2p:\]  
7.4三维光刻_203 R.WsC bU  
7.4.1灰度光刻_203 )V =K#MCK  
7.4.2三维干涉光刻_205 r7BH{>-  
7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 d}B_ll#j-  
7.5浅谈无光刻印_209 ?0)XS<  
7.6小结_210 r(xlokpnb6  
参考文献_211 V;+$/>J`vB  
f8_UIdM7  
第8章光刻投影系统：　高级技术内容 u B%^2{uU  
8.1实际投影系统中的波像差_220 hm} :Me$[)  
8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 sN` o_q{Q  
8.1.2波前倾斜_226 Appz1q  
8.1.3离焦像差_226 ,8-_=*  
8.1.4像散_228 GbrPtu2{@V  
8.1.5彗差_229 a>jI_)L  
8.1.6球差_231 PC(iqL8r  
8.1.7三叶像差_233 `]I5WTt*X  
8.1.8泽尼克像差小结_233 NCpn^m)Q}  
8.2杂散光_234 8&[<pbN)  
8.2.1恒定杂散光模型_235 [<1+Q =;  
8.2.2功率谱密度（PSD）杂散光模型_236 X\)KVn`  
8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 H?bs K~  
8.3.1掩模偏振效应_240 tJF~Xv2L!  
8.3.2成像过程中的偏振效应_241 oX~$'/2v  
8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 U:p"IY#%  
8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 yt#;3  
8.3.5偏振照明_248 =4\~M"[p  
8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 5z mHb  
8.5小结_250 ='||BxB  
参考文献_251 K1{nxw!`  
jO N}&/  
第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 kvVz-P Jy  
9.1严格电磁场仿真的方法_256 ~I^[rP~  
9.1.1时域有限差分法_257 nKJ7K8)  
9.1.2波导法_260 bRe*(  
9.2掩模形貌效应_262 W>s9Mp  
9.2.1掩模衍射分析_263 ~W2&z]xD  
9.2.2斜入射效应_266 E/-Kd!|"  
9.2.3掩模引起的成像效应_268 6uE1&-:L  
9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 !*. nR(>d  
9.2.5各种三维掩模模型_277 qvT+d l3#[  
9.3晶圆形貌效应_279 tZ24}~da  
9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 6i=wAkn_J  
9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 )$N{(Cke2T  
9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 V>j`  
9.4小结_283 ;mKU>F<V  
参考文献_283 x9 L\"  
BU{ V,|10a  
第10章先进光刻中的随机效应 ]=VI"v<X  
10.1随机变量和过程_288 NGZ>:  
10.2现象_291 m)2hl~o_  
10.3建模方法_294 s-S"\zX\D  
10.4依存性及其影响_297 /1 %0A  
10.5小结_299 -t#a*?"$w  
参考文献_299 aq| [g  
专业词汇中英文对照表 5kZ yiC*  
3t6'5{  
谭健 2023-05-21 15:58
好书籍，不错的分享 Z"KuS  
helengalaxy 2023-09-14 21:38
感谢分享
头哥给我球 2023-11-03 14:31
非常感谢楼主的分享，nice
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