| cyqdesign |
2023-04-12 19:25 |
《光学光刻和极紫外光刻》
《光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 %9Z0\
a)[ 83gWA>Odh
[attachment=117279] "d0=uHd5\
TB+k[UxB `8RKpZv& 第1章光刻工艺概述 ()O&O+R|) 1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 @|Yn~PwKs 1.2光刻技术的发展史_3 vlE]RB 1.3投影光刻机的空间成像_5 f% )9!qeW 1.4光刻胶工艺_10 *pv<ZF0> 1.5光刻工艺特性_12 A1,q3<<D% 1.6小结_18 DZnqCu"J 参考文献_18 oZd 3H LCtVM70 第2章投影光刻的成像原理 xdM'v{N#m 2.1投影光刻机_20 #vga
qe9 2.2成像理论_21 DF4CB# 2.2.1傅里叶光学描述_21 #ye`vD 2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 )Se$N6u- 2.2.3其他成像仿真方法_30 *vuI'EbM 2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 1PUZB`"3 2.3.1分辨率极限和焦深_31 F@f4-NR> 2.3.2影响_36 :/$WeAg 2.4小结_39 m6n%?8t 参考文献_39 [xr^t1 )E>yoUhN 第3章光刻胶 QDJ
"X 3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 s hH2/.> 3.1.1光刻胶的分类_42 yV\%K6d|3& 3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 tO:JB&vO2 3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 y#iz$lX R 3.1.4现象学模型_48 NLG\*mQ 3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 }YFM40H 3.2.1技术方面_50 -9,~b9$ 3.2.2曝光_51 s_VcC_A 3.2.3曝光后烘焙_54 jga \Ry=nw 3.2.4化学显影_58 Bps%>P~. 3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 PE4
L7 3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 L-D4>+ 3.5小结_68 ".(vR7u' 参考文献_69 >L2_k'uE+; d-+jb<C& 第4章光学分辨率增强技术 ?dCwo;~ 4.1离轴照明_74 DR}I+<*%aD 4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 b&&l 4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 kodd7 AD 4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 (b<0=U 4.2光学邻近效应校正_81 ,S=[# 4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 L#byYB;E{ 4.2.2线端缩短补偿_84 _r{H)}9 4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 \+O.vRc"M 4.2.4OPC模型和工艺流程_88 6` TwP\!$/ 4.3相移掩模_89 =zK4jiM1 4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 ~at@3j}W 4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 gI;"P kN 4.4光瞳滤波_100 :#^qn|{e 4.5光源掩模协同优化_102 @GQfBV|3 4.6多重曝光技术_106 :1j8!R5 4.7小结_109 Jp]?tlT 参考文献_110 `M6"=)twu jo<xrn\ 第5章材料驱动的分辨率增强 bAZoi0LR
5.1分辨率极限的回顾_115 ;98b SR/ 5.2非线性双重曝光_119 EpMxq7* 5.2.1双光子吸收材料_119 Mp|Jt 5.2.2光阈值材料_120 Y_:jc{? 5.2.3可逆对比增强材料_121 T3{~f 5.3双重和多重成形技术_124 $5JeN{B 5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 i3N{Dt 5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 <lf692.3 5.3.3自对准双重成形_126 O?Bf (y 5.3.4双色调显影_127 Bc"MOSV0 5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 F8?2+w@P 5.4定向自组装_129 Mu[lk=jC 5.5薄膜成像技术_133 M8X6!"B$Y 5.6小结_135 .b3h?R*& 参考文献_135 [q2:d^_FA uNyN[U 第6章极紫外光刻 OA&'T*)-A6 6.1EUV光源_141 F~
5,-atDM 6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 vu*e*b$} 6.3EUV掩模_146 x:MwM? 6.4EUV曝光设备和图像形成_151 5:IDl1f5 6.5EUV光刻胶_156 yogavCD9b/ 6.6EUV掩模缺陷_157 t[`LG) 6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 ?pW1}:z
6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 72OqXa* 6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 z!3=.D 6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 ,^?g\&f( 6.8小结_167 ay7\Ae] 参考文献_168 FprdP*/ $C7a#?YF, 第7章投影成像以外的光刻技术 ,6;n[p"h|r 7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 %@Gy<t, 7.1.1图像形成和分辨率限制_176 _HHvL= 7.1.2技术实现_179 8)1q,[:M 7.1.3先进的掩模对准光刻_182 D wJ^ W&* 7.2无掩模光刻_186 AyO%,6p[ 7.2.1干涉光刻_186 E,Rj;? 7.2.2激光直写光刻_189 Ux=~-}<-w 7.3无衍射限制的光刻_194 `&D#P% 7.3.1近场光刻_195 r89AX{: 7.3.2利用光学非线性_198 E,6|-V;? 7.4三维光刻_203 kFp^?+WI%H 7.4.1灰度光刻_203 %Z_O\zRqy) 7.4.2三维干涉光刻_205 [WR"#y 7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 p [C
9g 7.5浅谈无光刻印_209 D0jV}oz 7.6小结_210 u @Ze@N% 参考文献_211 $vu*# .w yk8b>.Y\A 第8章光刻投影系统: 高级技术内容 ; R+>}6 8.1实际投影系统中的波像差_220 #!F>cez 8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 v@%4i~N 8.1.2波前倾斜_226 NF8<9 8.1.3离焦像差_226 O.B9w+G= 8.1.4像散_228 )ovAG O 8.1.5彗差_229 \PxT47[@e 8.1.6球差_231 JW[6
^Rw 8.1.7三叶像差_233 Q<V(#)* 8.1.8泽尼克像差小结_233 v=@y7P1 8.2杂散光_234 %cSx`^`6j 8.2.1恒定杂散光模型_235 J]TqH`MA 8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 ^ 0YQlT98 8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 O"'xAPQW 8.3.1掩模偏振效应_240 lZ-U/$od 8.3.2成像过程中的偏振效应_241 T<0 r, 8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 &'>m;W 8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 $,~Ily7w 8.3.5偏振照明_248 xZ`z+) 8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 $$m0mK 8.5小结_250 ~wDXjn"U& 参考文献_251 **h4M2'C
%!nI]| 第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 ar<8wq<4G 9.1严格电磁场仿真的方法_256 v]( Y n)# 9.1.1时域有限差分法_257 vQ*[tp#qU 9.1.2波导法_260 u$R5Q{H_ 9.2掩模形貌效应_262 )7*'r@ 9.2.1掩模衍射分析_263 Dq<la+VlO 9.2.2斜入射效应_266 ]Kq<U%x$ 9.2.3掩模引起的成像效应_268 )=Z;H"_ 9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 7zH2dqrj 9.2.5各种三维掩模模型_277 R)66qRf 9.3晶圆形貌效应_279 C^"zU>W_ 9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 $"vz>SuB 9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 1+Gq<]@G 9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 3FR(gr$X 9.4小结_283 ,7j8+p|}, 参考文献_283 jlP*RX !-OZ/^l|O` 第10章先进光刻中的随机效应 q2E{o)9 10.1随机变量和过程_288 M]PZwW8 10.2现象_291 yo#r^iAr 10.3建模方法_294 5Qq/nUR 10.4依存性及其影响_297 {KHI(*r; 10.5小结_299 D-/6RVq0m 参考文献_299 N]
sbI)Z@ 专业词汇中英文对照表 C<J*C0vQO /GGyM]k3
|
|