cyqdesign |
2023-04-12 19:25 |
《光学光刻和极紫外光刻》
《光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 Jg3OMUt #-76E
[attachment=117279] u6hDjN Lhg4fuos@) N?cvQR{r9 第1章光刻工艺概述 = MQpYX 1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 +NIq}fZn9 1.2光刻技术的发展史_3 ZL!,s# 1.3投影光刻机的空间成像_5 Z)
nB 1.4光刻胶工艺_10 pq8XCOllXx 1.5光刻工艺特性_12 _5<d'fBd 1.6小结_18 Swugt"`nN 参考文献_18 {wUbr ^ 7Mx F?
I 第2章投影光刻的成像原理 MA}~bfB 2.1投影光刻机_20 #G</RYM~m 2.2成像理论_21 ;#'YO1`gf3 2.2.1傅里叶光学描述_21 71euRIW'5 2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 NifD
pqjgt 2.2.3其他成像仿真方法_30 UoDS)(i 2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 2~`lvx 2.3.1分辨率极限和焦深_31 GnAG'.t-Z 2.3.2影响_36 m Acny$u 2.4小结_39 g]kM7,/M 参考文献_39 ~_l@
_P5yz WBb@\|V| 第3章光刻胶 ?vA)F)MS 3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 e}@VR<h 3.1.1光刻胶的分类_42 \!O3]k,r 3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 :/rl \woA> 3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 n $Nw/Vm 3.1.4现象学模型_48 }kJfTsFS 3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 _H{6{!=y 3.2.1技术方面_50 @;\2 PD 3.2.2曝光_51 E6 g]EE 3.2.3曝光后烘焙_54 y!z2+q2 3.2.4化学显影_58 \[\4= !v 3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 E[$"~|7|$ 3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 @wvgMu 3.5小结_68 F747K);_ 参考文献_69 d_v]mfUF 6XP>qI,AJ 第4章光学分辨率增强技术
Bf5Z 4.1离轴照明_74 0o2*X|i( 4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 s<z`<^hRe 4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 ON(OYXj 4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 Dx)>`yJk$; 4.2光学邻近效应校正_81 GGM|B}U p 4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 <K
g=?wb 4.2.2线端缩短补偿_84 XAb%V' 4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 ]|JQH 4.2.4OPC模型和工艺流程_88 ;C^!T 4.3相移掩模_89 ^"dVz. 4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 lF[m*}l 4.3.2衰减型或弱相移掩模_97
%wFz4: 4.4光瞳滤波_100 lpq)vKM}^ 4.5光源掩模协同优化_102 %>p[;>jW 4.6多重曝光技术_106 *|gY7Av* 4.7小结_109 ]QU
9|1 参考文献_110 |~K 5] O'Mo/
u1- 第5章材料驱动的分辨率增强 %fT%,(
w}t 5.1分辨率极限的回顾_115 jo-2D[Q{ 5.2非线性双重曝光_119 %`EyG 5.2.1双光子吸收材料_119 @d&JtA 5.2.2光阈值材料_120 D%`O.2T Y| 5.2.3可逆对比增强材料_121 Gye84C2E= 5.3双重和多重成形技术_124 aM7e?.rU 5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 Y9/`w@"v 5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 1+F0$<e} 5.3.3自对准双重成形_126
P,Z
K 5.3.4双色调显影_127 4,, @o
5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 H]P*!q`Ko 5.4定向自组装_129 !"g2F}n 5.5薄膜成像技术_133 FNN7[ku! 5.6小结_135 CL|d> 参考文献_135 aZ,j1j0p @3w6!Sgh 第6章极紫外光刻 ?v
z[Zi 6.1EUV光源_141 k/Z]zZC 6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 QO/nUl0E 6.3EUV掩模_146 !V'~<& 6.4EUV曝光设备和图像形成_151 h]Y,gya[yk 6.5EUV光刻胶_156 q90
~)n? 6.6EUV掩模缺陷_157 lC=-1*WH 6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 dc dVB>D 6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 Z<jC,r 6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 Y|l&mK? 6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 $$
9!4 6.8小结_167 ?NVX# t' 参考文献_168 R?3N><oh* >vR7l&" 第7章投影成像以外的光刻技术 E5$Fhc 7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 %p(X*mVX 7.1.1图像形成和分辨率限制_176 @CtnV| 7.1.2技术实现_179 !C& ^%a 7.1.3先进的掩模对准光刻_182 Z,~PW#8<& 7.2无掩模光刻_186 [$DI!%e| 7.2.1干涉光刻_186 "C.cU 7.2.2激光直写光刻_189 hcqg94R#_ 7.3无衍射限制的光刻_194 {UFs1 7.3.1近场光刻_195 hz+O.k],? 7.3.2利用光学非线性_198 o?g9Grk 7.4三维光刻_203 +gyGA/5:d$ 7.4.1灰度光刻_203 n%ypxY0 7.4.2三维干涉光刻_205 #Q1
|] 7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 OJ1MV 7& 7.5浅谈无光刻印_209 K]'t>:G@ 7.6小结_210 c :2 w(BVi 参考文献_211 l*z+<c6$_ Gn %"B6 第8章光刻投影系统: 高级技术内容 Y6`^E 8.1实际投影系统中的波像差_220 J)EL<K$Z[ 8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 aM4-quaG] 8.1.2波前倾斜_226 Ie[DTy 8.1.3离焦像差_226 \iA.{,VX 8.1.4像散_228 wzF%R{; 8.1.5彗差_229 Q0%s|8Jc 8.1.6球差_231 HF<h-gX 8.1.7三叶像差_233 j6E|j>@u 8.1.8泽尼克像差小结_233 Ki>XLX,er= 8.2杂散光_234 2Z-QVwa*U
8.2.1恒定杂散光模型_235 L1kAAR 8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 )S`=y-L$ 8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 Cw l: 8.3.1掩模偏振效应_240 lf\^!E: 8.3.2成像过程中的偏振效应_241 WFTwFm6 8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 m7u" awM^ 8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 :_h#A}8Xd 8.3.5偏振照明_248 P9x':I$ 8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 !xU[BCbfYV 8.5小结_250 'A9Z (( 参考文献_251 ?z0W1a abp\Ih^b 第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 /i{V21(% 9.1严格电磁场仿真的方法_256 p||mR 9.1.1时域有限差分法_257 @SI,V8i 9.1.2波导法_260 {$V2L4 9.2掩模形貌效应_262 Hp*N% 9.2.1掩模衍射分析_263 0]zMb^wo 9.2.2斜入射效应_266 g""Ep 9.2.3掩模引起的成像效应_268 (mioKO )?v 9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 \}!/z]u 9.2.5各种三维掩模模型_277 i v.G 9.3晶圆形貌效应_279 :sttGXQX 9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 1B@7#ozWA? 9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 cdN =HM~I 9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 lh6N3d 9.4小结_283 F:~@e( 参考文献_283 r]U8WM3r
&Mz]y?k' 第10章先进光刻中的随机效应 r`pf%9k 10.1随机变量和过程_288 ]<K"`q2 10.2现象_291 ,N
nh$F 10.3建模方法_294 RRQIlI< 10.4依存性及其影响_297 yMC6 Gvp 10.5小结_299 qFl|q0\ A 参考文献_299 lBa` nG 专业词汇中英文对照表 aj/+#G2 4$81ilBcL
|
|