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2023-04-12 19:25 |
《光学光刻和极紫外光刻》
《光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 ol-U%J s_/CJ6s
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MGK%F#PM qeypa! 第1章光刻工艺概述 af)L+%Q%R 1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 V!uW\i/ 1.2光刻技术的发展史_3 u{J$]%C
1.3投影光刻机的空间成像_5 4PR!OB 1.4光刻胶工艺_10 ^tI
,eZ 1.5光刻工艺特性_12 f-^JI*hj 1.6小结_18 fC&hi6 参考文献_18 ,XU<2jv] \Cx2$<8 第2章投影光刻的成像原理 +xp)la. 2.1投影光刻机_20 *|Tx4Qt 2.2成像理论_21 G8}k9?26( 2.2.1傅里叶光学描述_21 0.+MlyA 2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 Phr+L9Eog 2.2.3其他成像仿真方法_30 \(C6|-:GY 2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 ;X , A|m$( 2.3.1分辨率极限和焦深_31 K|]/BjB/ 2.3.2影响_36 \8g'v@$wG 2.4小结_39 )\Am:?RH; 参考文献_39 ~wvu7 &.F]-1RN[ 第3章光刻胶 {OIB/ 3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 1
8%+ Hy= 3.1.1光刻胶的分类_42 ?k@^U9?R 3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 WUrE1%u 3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 Lcb5^e?'Q 3.1.4现象学模型_48 #x*\dL 3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 LGB}:;$AL 3.2.1技术方面_50 XlLG/N
3.2.2曝光_51 DaP,3>M 3.2.3曝光后烘焙_54 ,+~8R" 3.2.4化学显影_58 \(_(pcl 3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 rny(8z%Ck- 3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 2)hfYLi 3.5小结_68 =U'!<w<- 参考文献_69 pmRm&VgE. 0RgE~x!hI 第4章光学分辨率增强技术 s@zO`uBc 4.1离轴照明_74 K
@RGvP 4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 0nbY~j$A= 4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 L>L IN 1A 4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 Fs"i fn0 4.2光学邻近效应校正_81 &+ "<ia( 4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 DG?g~{Y~b 4.2.2线端缩短补偿_84 #lR-?Uh 4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 fqjBor} 4.2.4OPC模型和工艺流程_88 1oe,>\\ 4.3相移掩模_89 ZLP/&`>8
4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 F/ x2}' 4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 DL`8qJ'mJs 4.4光瞳滤波_100 p]0`rf!| 4.5光源掩模协同优化_102 S/"G=^~ 4.6多重曝光技术_106 }{y)a<` 4.7小结_109 djH&)&q! 参考文献_110 v*[UG^+) 0<7sM#sI! 第5章材料驱动的分辨率增强
E;}&2 a 5.1分辨率极限的回顾_115 aq)g&.dw? 5.2非线性双重曝光_119 3\2%i6W6 5.2.1双光子吸收材料_119 `JO>g=,4 5.2.2光阈值材料_120 ? X6M8` 5.2.3可逆对比增强材料_121 VCfHm"'E8 5.3双重和多重成形技术_124 yts@cd`$ 5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 793 15A 5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 A
0v=7
] 5.3.3自对准双重成形_126 ?a#Gn2 5.3.4双色调显影_127 qg{gCG 5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 f"RC(("6W 5.4定向自组装_129 /jNvHo^B 5.5薄膜成像技术_133 Qo)Da}uo20 5.6小结_135 |QS3nX< 参考文献_135 *?BY+0 b"WF]x|^ 第6章极紫外光刻 ckMG4
3i\j 6.1EUV光源_141 /v^'5j1o 6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 Vbt!, 2_) 6.3EUV掩模_146 1aQm r=, 6.4EUV曝光设备和图像形成_151
yUj`vu2 6.5EUV光刻胶_156 )7 q"l3e"u 6.6EUV掩模缺陷_157 >MJ#|vO 6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 :`e#I/, 6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 tPl 4'tW_ 6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 vof8bQ{& 6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 @4hzNi+ 6.8小结_167 T:u>7?8o 参考文献_168 vP x/&x o`QNZN7/} 第7章投影成像以外的光刻技术 q[_qZ 7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 Ly&+m+Gwu 7.1.1图像形成和分辨率限制_176 & ?x R 7.1.2技术实现_179 }%p:Xv@X! 7.1.3先进的掩模对准光刻_182 Qn7T{ BW 7.2无掩模光刻_186 @Wc5r# 7.2.1干涉光刻_186 @oE
5JM 7.2.2激光直写光刻_189 0W(mx-[H/ 7.3无衍射限制的光刻_194 W?5') 7.3.1近场光刻_195 y QClq{A 7.3.2利用光学非线性_198 ])wdd>' 7.4三维光刻_203 7b+r LyS0 7.4.1灰度光刻_203 U xBd14-R_ 7.4.2三维干涉光刻_205 <mQXS87 7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 [K&%l]P7 7.5浅谈无光刻印_209 U3X5tED 7.6小结_210 _8a;5hS 参考文献_211 &J)<1!| uR ?W|a 第8章光刻投影系统: 高级技术内容 -T,?'J0 2 8.1实际投影系统中的波像差_220 !gve]>M 8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 nd]SI;< 8.1.2波前倾斜_226 aOH|[ 8.1.3离焦像差_226 C<
9x\JY% 8.1.4像散_228 M@R"-$Z 8.1.5彗差_229 g%&E~V/g$ 8.1.6球差_231 se\f be ^0 8.1.7三叶像差_233 C3}:DIn"w 8.1.8泽尼克像差小结_233 8cG?p 8.2杂散光_234 [3jJQ3O, 8.2.1恒定杂散光模型_235 U?#wWbE1 8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 h+}BtKA 8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 xj3qOx$ 8.3.1掩模偏振效应_240 1(gs({ 8.3.2成像过程中的偏振效应_241 hyH[`wiq 8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 5dm ~yQN/ 8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 053bM)qW 8.3.5偏振照明_248 .\ ;'>qy 8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 cD0rU8x 8.5小结_250 :j]1wp+ 参考文献_251 8@t8P5(vL vkIIuNdDlx 第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 j6GIB_ 9.1严格电磁场仿真的方法_256 J,F1Xmr4 9.1.1时域有限差分法_257 ?H=q!i 9.1.2波导法_260 wXKtQ#o} 9.2掩模形貌效应_262 } ?j5V 9.2.1掩模衍射分析_263 fzIs^(:fl 9.2.2斜入射效应_266 |NuMDVd+s 9.2.3掩模引起的成像效应_268 FJ_7<4ET 9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 +/ZIs|B4,z 9.2.5各种三维掩模模型_277 XOvJlaY)'. 9.3晶圆形貌效应_279 qYC&0`:H 9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 w\)K0RN 9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 ib=)N)l 9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 w:t~M[kTW 9.4小结_283 XwY,xg&o 参考文献_283 &DLWlMGq 7*l$i/! 第10章先进光刻中的随机效应 ubwM*P 10.1随机变量和过程_288 Q;]JVT1 10.2现象_291 3`bQ0-D; 10.3建模方法_294 *?FVLE 10.4依存性及其影响_297 pF{jIXu 10.5小结_299 ,<v0( 参考文献_299 ^%r6+ey 专业词汇中英文对照表 V&*IZt& BU:;;iV8
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