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2023-04-12 19:25 |
《光学光刻和极紫外光刻》
《光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 q8^^H$<Db U4gF(Q
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&z>e5_. Cz72?[6 第1章光刻工艺概述 /x5rf 1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 C!Rs^/ 1.2光刻技术的发展史_3 _acE:H 1.3投影光刻机的空间成像_5 *8#i$w11M 1.4光刻胶工艺_10 oN{Z+T : 1.5光刻工艺特性_12 3T"j)R_=l 1.6小结_18 ;cPy1 参考文献_18 s0DGC 1jN-4& 第2章投影光刻的成像原理 O>^C4c! 2.1投影光刻机_20 sB^<6W!`( 2.2成像理论_21 r9 ui|>U" 2.2.1傅里叶光学描述_21 W6"v)Jc>_ 2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 zY|t0H 2.2.3其他成像仿真方法_30 } w
5l 2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 IG|X!l 2.3.1分辨率极限和焦深_31 x9;gT&@H 2.3.2影响_36 7RUofcax 2.4小结_39 'h^0HE\~p 参考文献_39 l~6?kFy9h
/o[?D 第3章光刻胶 RA G3o- 3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 NR -!VJQ 3.1.1光刻胶的分类_42 6ek;8dL 3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 dl~%MWAVb 3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 -[6z 1"* 3.1.4现象学模型_48 hjIT_{mk 3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 D9FJ 1~ 3.2.1技术方面_50 PI`jExL 3.2.2曝光_51 yto,>Utzg 3.2.3曝光后烘焙_54 4?-.ZUT-1 3.2.4化学显影_58 xZ4~Oo@@_' 3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 &_"]5/"( 3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 "FTfk 3.5小结_68 =!`j7#: 参考文献_69 hir4ZO%Zt 'bo~%WA]n 第4章光学分辨率增强技术 T}"6wywM 4.1离轴照明_74 9'{}!-(xR 4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 #B:hPZM1 4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 6(G?MW. 4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 %*&UJpbA 4.2光学邻近效应校正_81 :{oZ ~< 4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 B<~ NS)w 4.2.2线端缩短补偿_84 hi0R.V& 4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 _>9.v%5cs( 4.2.4OPC模型和工艺流程_88 sO.`x* 4.3相移掩模_89 ,(;lIP 4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 /\H>y 4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 {%IE xPJ 4.4光瞳滤波_100 "
t7M3i_ 4.5光源掩模协同优化_102 {W]=~*w 4.6多重曝光技术_106 u%/goxA 4.7小结_109 q*2N{ 参考文献_110 zOGU8Wg RLSc+kDH_ 第5章材料驱动的分辨率增强 RB+N
IoQQ| 5.1分辨率极限的回顾_115 xia |+ 5.2非线性双重曝光_119 ds&e|VSH; 5.2.1双光子吸收材料_119 '3<fsK= 5.2.2光阈值材料_120 FIbp"~ 5.2.3可逆对比增强材料_121 Q" ,0F{' 5.3双重和多重成形技术_124 [+OnV& 5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 *&d<yJM`b 5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 jK' N((Hz 5.3.3自对准双重成形_126 vq!_^F< 5.3.4双色调显影_127 i} N8(B( 5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 1.gG^$J d 5.4定向自组装_129 5vw{b? 5.5薄膜成像技术_133 <0S,Q+& 5.6小结_135 h;-yU.(w 参考文献_135 lhtZaU~V WdnIp! 第6章极紫外光刻 b*FC\:\ 6.1EUV光源_141 fgBM_c&9T 6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 %s&ChM?8F 6.3EUV掩模_146 ($LLl;1 6.4EUV曝光设备和图像形成_151 :OW;?{ ~j 6.5EUV光刻胶_156 kWNV%RlSx 6.6EUV掩模缺陷_157 XXh6^@H= 6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 #hlCs 6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 2hee./F` 6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 IN,(yaC 6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 WyZL9K{? 6.8小结_167 ZvUCI8 参考文献_168 ixV0|P8,c @fa@s-wb 第7章投影成像以外的光刻技术 (I@rLvZr{ 7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 tqy@iEz+ 7.1.1图像形成和分辨率限制_176 J7v|vjI 7.1.2技术实现_179 =i(?deR 7.1.3先进的掩模对准光刻_182 o}<4*qlI 7.2无掩模光刻_186 XfKo A0 7.2.1干涉光刻_186 11,!XD*" 7.2.2激光直写光刻_189 8HZs>l 7.3无衍射限制的光刻_194 P<Zh XN' 7.3.1近场光刻_195 }=v)Js 7.3.2利用光学非线性_198 [2dn\z28 7.4三维光刻_203 B}eA\O4}I 7.4.1灰度光刻_203 l$YC/bP 7.4.2三维干涉光刻_205 Gdg)9 7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 '}rRzD: 7.5浅谈无光刻印_209 Q43|U4a 7.6小结_210 @?[1_g_'P 参考文献_211 7Su#Je] I(S)n+E 第8章光刻投影系统: 高级技术内容 W;1|+6x 8.1实际投影系统中的波像差_220 )NO<s0?& 8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 I"1;|`L~: 8.1.2波前倾斜_226 q|%(3,)ig 8.1.3离焦像差_226 cS. -7
8.1.4像散_228 TI !a )X 8.1.5彗差_229 *-12VIG'H 8.1.6球差_231 fl;s9:< 8.1.7三叶像差_233 IQ!\w- 8.1.8泽尼克像差小结_233 `juLQH 8.2杂散光_234 rS0DSGDq 8.2.1恒定杂散光模型_235 +`sv91c 8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 < Z|Ep1W 8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 ^T.E+2=>z 8.3.1掩模偏振效应_240 {,cCEXag% 8.3.2成像过程中的偏振效应_241 0I{gJSK., 8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 E0/mSm"(T 8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 0A:n0[V:] 8.3.5偏振照明_248 s!9dQ. 8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 L.T?}o 8.5小结_250 4G@nZn 参考文献_251 n$aA)"A # cD4
kC>P* 第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 | ea~'N1 9.1严格电磁场仿真的方法_256 ]?h`:,] 9.1.1时域有限差分法_257 [DHoGy,P 9.1.2波导法_260 "Pl9 nE 9.2掩模形貌效应_262 O'GG Ti]e 9.2.1掩模衍射分析_263 UA~RK2k? 9.2.2斜入射效应_266 X1tXqHJF} 9.2.3掩模引起的成像效应_268 !vn1v)6 9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 cE iu)2*e 9.2.5各种三维掩模模型_277 E`j-6: 9.3晶圆形貌效应_279 1G7b%yPA 9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 fZKt%m 9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 E(Rh#+]Y5 9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 ICB~_O5 9.4小结_283 IZ3{>NV 参考文献_283 $DBGLmw &ff&Y.q~ 第10章先进光刻中的随机效应 N4K8
u'f^ 10.1随机变量和过程_288 qi^!GA'5j 10.2现象_291 idRD![!UI 10.3建模方法_294 Gq#~vr 10.4依存性及其影响_297 !'=15&5@ 10.5小结_299 8wH.et25k 参考文献_299 Zs2-u^3& 专业词汇中英文对照表 i{^Z1;Yl +fKtG]$
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