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2023-04-12 19:25 |
《光学光刻和极紫外光刻》
《光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 k(l I4'mU$)U
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Yw7+wc8R EfA*w/y 第1章光刻工艺概述 m(Ghe2T: 1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 H]e%8w))0 1.2光刻技术的发展史_3 ;xF5P'T?| 1.3投影光刻机的空间成像_5 9pAklD 4 1.4光刻胶工艺_10 =7%1] 1.5光刻工艺特性_12 H9nVtS{x 1.6小结_18 Jlgo@?Lc 参考文献_18 F-i`GMWC Vk%[N> 第2章投影光刻的成像原理 \uxDMKy 2.1投影光刻机_20 yVA<-PlS< 2.2成像理论_21 ,>(/}=Z. 2.2.1傅里叶光学描述_21 /G)Y~1ASA% 2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 ?kBi9^)N4 2.2.3其他成像仿真方法_30 ')C%CAYW 2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 cQ kH4>C~ 2.3.1分辨率极限和焦深_31 W
vh3Y,|3 2.3.2影响_36 Gvg)@VNr 2.4小结_39 ,\*PpcU 参考文献_39 m$nT#@l5bH OO)m{5r,{ 第3章光刻胶 xWkCP2$?P 3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 :4 9ttJl 3.1.1光刻胶的分类_42 (`S32,=TS 3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 9
Yv;Dom 3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 s7j#Yg 3.1.4现象学模型_48 8@`"Zz M 3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 !uaV6K 3.2.1技术方面_50 a/d'(] 3.2.2曝光_51 N}`.N 3.2.3曝光后烘焙_54 1J$sIY,Ou 3.2.4化学显影_58 -$Y@]uf^ 3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 EPx_xX 3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 7WZ).,qxY 3.5小结_68 "4W@p' 参考文献_69 Oc\Bu6F 4 3cdWd% 第4章光学分辨率增强技术 EW;R^?Z 4.1离轴照明_74 Y@)iPK@z 4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 osKM3}Sb 4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 r>v_NKS]t 4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 C@!C='b, 4.2光学邻近效应校正_81 _T[ =7 cn 4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 $nR1AOm}.B 4.2.2线端缩短补偿_84 gFk~SJd 4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 V6)e Jy 4.2.4OPC模型和工艺流程_88 4VtI8f! 4.3相移掩模_89 WzM9{c 4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 &(H;Bin' 4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 1pe eecE 4.4光瞳滤波_100 ?m&?BsW$) 4.5光源掩模协同优化_102 J*)Vpk 4.6多重曝光技术_106 j$Ttoo 4.7小结_109 QbGc 9MM 参考文献_110 6=V&3|" Jt4&%b-T 第5章材料驱动的分辨率增强 &Nf10%J'< 5.1分辨率极限的回顾_115 y*ae 5=6( 5.2非线性双重曝光_119 z+ybtS>pZ 5.2.1双光子吸收材料_119 .
J"g.Q 5.2.2光阈值材料_120 ')pXQ 5.2.3可逆对比增强材料_121 KA )9&6 5.3双重和多重成形技术_124 8KqrB! 5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 J23Tst#s 5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 >T*/[{L8; 5.3.3自对准双重成形_126 W,</ 5.3.4双色调显影_127 6nxX~k 5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 tb;!2$ 5.4定向自组装_129 f.?p"~! 5.5薄膜成像技术_133 r^3QDoy 5.6小结_135 "9=F/o9 参考文献_135 *P4G}9B|9: <5qXC.{Cyp 第6章极紫外光刻 O*MC"%T 6.1EUV光源_141 9NCo0!Fb 6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 a]NQlsE}l 6.3EUV掩模_146 U=_O*n?N-d 6.4EUV曝光设备和图像形成_151 g'G"`)~ 2 6.5EUV光刻胶_156 IipG?v0z~ 6.6EUV掩模缺陷_157 @^47Qgj8U 6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 GX4HW \>a 6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 H8[L:VeNT 6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 ia.9 5H; 6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 _YVp$aKDR 6.8小结_167 Gc= # 参考文献_168 c"X` OB N?`-$C ] 第7章投影成像以外的光刻技术 [a~|{~?8 7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 cx?XJ) 7.1.1图像形成和分辨率限制_176 wOH$S=Ba5, 7.1.2技术实现_179 8BnI0l=\ 7.1.3先进的掩模对准光刻_182 xL,;(F\^ 7.2无掩模光刻_186 j6wdqa9!~ 7.2.1干涉光刻_186 UEeD Nl$^u 7.2.2激光直写光刻_189 O][R"5d 7.3无衍射限制的光刻_194 ?+S jt 7.3.1近场光刻_195 YEGRM$'` 7.3.2利用光学非线性_198 --SlxV/x 7.4三维光刻_203 k@1\ULo 7.4.1灰度光刻_203 J!sIxwF 7.4.2三维干涉光刻_205 S]^`Qy) 7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 _~ m@ SI 7.5浅谈无光刻印_209 `9;:mR $ 7.6小结_210 1#H=<iJ 参考文献_211 AH$D./a JTuU}nm+ 第8章光刻投影系统: 高级技术内容 VUF^ r7e 8.1实际投影系统中的波像差_220 uY]nqb 8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 .
IBy' 8.1.2波前倾斜_226 @y,pfWh` 8.1.3离焦像差_226 | /,XdTSy 8.1.4像散_228 Bny3j~*U 8.1.5彗差_229 }?zy*yL 8.1.6球差_231 Hk'D@(hS 8.1.7三叶像差_233 -LAYj:4 8.1.8泽尼克像差小结_233 )H&rr( 8.2杂散光_234 qx3@]9 8.2.1恒定杂散光模型_235 }E626d}uA 8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 Zo}O,;(F5 8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 eh=.Q<N 8.3.1掩模偏振效应_240 s!*m^zx 8.3.2成像过程中的偏振效应_241 ay}}v7)GM 8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 E/MD]ox 8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 ?kfLOJQ:I 8.3.5偏振照明_248 sem:" 8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 jqULg iC 8.5小结_250 APydZ 参考文献_251 R"NR-iU &s.S)'l4l 第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 .!yXto: 9.1严格电磁场仿真的方法_256 ]"Y?
ZS;H 9.1.1时域有限差分法_257 *3;H6 9.1.2波导法_260 6CoDn(+z 9.2掩模形貌效应_262 $n |)M+d 9.2.1掩模衍射分析_263 :\I88
-N@' 9.2.2斜入射效应_266 j9FG)0 9.2.3掩模引起的成像效应_268 <Sm@ !yx 9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272
DEj6 ky 9.2.5各种三维掩模模型_277 (* WO<V 9.3晶圆形貌效应_279 DbRq,T 9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 < | |