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2023-04-12 19:25 |
《光学光刻和极紫外光刻》
《光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 TFDCo_>o E9 q;>)}
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q*TKs#3 _k.bGYldk 第1章光刻工艺概述 ~9YA!48 1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 F>(#Af9 1.2光刻技术的发展史_3 ?QT"sj64w 1.3投影光刻机的空间成像_5 #(g+jb0E 1.4光刻胶工艺_10 ~(OIo7#; 1.5光刻工艺特性_12 g~:(EO(w 1.6小结_18 fYM6wYJ 参考文献_18 810<1NP
M8j(1&(: 第2章投影光刻的成像原理 <`UG#6z8 2.1投影光刻机_20 @Qjl`SL%O^ 2.2成像理论_21 )\\V
s>9 2.2.1傅里叶光学描述_21 mX.3R+t 2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 E816YS=' 2.2.3其他成像仿真方法_30 #_\MD,( 2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 mCNf]Yz 2.3.1分辨率极限和焦深_31 |aAWWd5 2.3.2影响_36 G,|]a#w&v. 2.4小结_39 ^H6d;n 参考文献_39 >fA@tUQB vcJb\LW 第3章光刻胶 BRXb<M^;_ 3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 Bd~cY/M 3.1.1光刻胶的分类_42 C2=iZ`Z>T 3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 yki51rOI* 3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 [aZ v?Z 3.1.4现象学模型_48 t^_{5 3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 .>64h H 3.2.1技术方面_50 v&b.Q:h*' 3.2.2曝光_51 }-q`&1!t 3.2.3曝光后烘焙_54 $<
K)fbG 3.2.4化学显影_58 _Z66[T+M 3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 kbp(
a+5 3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 ~{,vg4L 3.5小结_68 y(3c{y@~X 参考文献_69 .4C[D{4 Lr?4Y 第4章光学分辨率增强技术 `KJYm|@ i 4.1离轴照明_74 Z~phOv 4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 P`3s\8[Q 4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 jFNs=D&( 4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80
&QOWW} 4.2光学邻近效应校正_81 i
B!h Ebz 4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 H(NT| 4.2.2线端缩短补偿_84 9oz (=R 4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 qM1)3.)[: 4.2.4OPC模型和工艺流程_88 60aKT:KLC_ 4.3相移掩模_89 &I}T<v{f 4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 "?eH=! 4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 !(]dz~sM 4.4光瞳滤波_100 h-b5 4.5光源掩模协同优化_102 5h|m4)$ 4.6多重曝光技术_106 ( ztim 4.7小结_109 L;--d`[ 参考文献_110 MB8SB ,bVS.A'o 第5章材料驱动的分辨率增强 6_%]\37_Z 5.1分辨率极限的回顾_115 N$,/Q9h^ 5.2非线性双重曝光_119 "0'*q<8 5.2.1双光子吸收材料_119 ^YG7dd_ 5.2.2光阈值材料_120 Hw?2XDv j 5.2.3可逆对比增强材料_121 Cl t5 5.3双重和多重成形技术_124 ia^%Wg7 5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 rWFcIh5 5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 =CKuiO.j 5.3.3自对准双重成形_126 '6o`^u> 5.3.4双色调显影_127 ."IJmv 5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 `*" H/QG 5.4定向自组装_129 b\?7?g 5.5薄膜成像技术_133 GDHK.?GY 5.6小结_135 t/d' ,Khg 参考文献_135 97(Xu=tX
dSe8vA!) 第6章极紫外光刻 ]{,Gf2v;;d 6.1EUV光源_141 *gd?>P7\0 6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 vnC<*k4&v 6.3EUV掩模_146 #*Yi4Cn< 6.4EUV曝光设备和图像形成_151 Xq,UV 6.5EUV光刻胶_156 M[YTk=IM# 6.6EUV掩模缺陷_157 JO2ZS6k[ 6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 `dv}a-Q)c 6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 't|Un G 6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 cBLR#Yu;O5 6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 m"gni # 6.8小结_167 s&dO/}3uR] 参考文献_168 'dIX=/RZ %XP_\lu] 第7章投影成像以外的光刻技术 CxbSj, 7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 *L%6qxl`V 7.1.1图像形成和分辨率限制_176 L$+d.=] 7.1.2技术实现_179 .3lGX`d{ 7.1.3先进的掩模对准光刻_182 .KLm39j( 7.2无掩模光刻_186 >~I
xyQp 7.2.1干涉光刻_186 Pz]bZPHn 7.2.2激光直写光刻_189 h4CTTe) 7.3无衍射限制的光刻_194 n7IL7?!o 7.3.1近场光刻_195 ~L %Pz0Gg 7.3.2利用光学非线性_198
&W=V%t>Z 7.4三维光刻_203 V_&GYXx(J 7.4.1灰度光刻_203 7FmbV/&c 7.4.2三维干涉光刻_205 0jxO |N2) 7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 0U82f1ei 7.5浅谈无光刻印_209 lLuID 7.6小结_210 Y{B9`Z 参考文献_211 (^sh D
JLi ZS 第8章光刻投影系统: 高级技术内容 kOs(?= 8.1实际投影系统中的波像差_220 T4OguP= 8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 4. 1rJa 8.1.2波前倾斜_226 $ A-+E\vQ@ 8.1.3离焦像差_226 I
jZ]_*^! 8.1.4像散_228 Lw*;tL<, 8.1.5彗差_229 (k%GY<
b P 8.1.6球差_231 hi!L\yi 8.1.7三叶像差_233 :GU,EDps 8.1.8泽尼克像差小结_233 9$Ig~W) 8.2杂散光_234 .z=U= _e 8.2.1恒定杂散光模型_235 3gb|x? 8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 duX0Mc.0P 8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 aSc{Ft/O 8.3.1掩模偏振效应_240 kTnOmAw 8.3.2成像过程中的偏振效应_241 N>+ P WE$ 8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 Lltc4Mzw 8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 W7H&R, 8.3.5偏振照明_248 V,V*30K5 8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 yJ%t^ X_ 8.5小结_250 1hl]W+9 参考文献_251 24#bMt#^ i.3cj1 第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 J.#(gFBBl\ 9.1严格电磁场仿真的方法_256 x&'o ]Y 9.1.1时域有限差分法_257 /\na;GI$ 9.1.2波导法_260 k!5m@'f 9.2掩模形貌效应_262 Mr-DGLJ 9.2.1掩模衍射分析_263 pX@Si3G` 9.2.2斜入射效应_266 )h#]iGVN} 9.2.3掩模引起的成像效应_268 dXmV@ Noo 9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 _w 5RK( 9.2.5各种三维掩模模型_277 {J (R 9.3晶圆形貌效应_279 !)N|J$FU 9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 {9L 5Q 9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 yQ9ZhdQS 9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 j`O7=- 9.4小结_283 !lAD
q|$ 参考文献_283 gw"~RV0 #? dUv# 第10章先进光刻中的随机效应 eqq`TT#Z 10.1随机变量和过程_288 'l~6ErBSg 10.2现象_291 blGf!4H 10.3建模方法_294 zF8'i=b& 10.4依存性及其影响_297 qz 9tr 10.5小结_299 u_PuqRcs 参考文献_299 x[QZ@rGIW 专业词汇中英文对照表 !YiuwFt +iy7e6P
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