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2023-04-12 19:25 |
《光学光刻和极紫外光刻》
《光学光刻和极紫外光刻》是一本最新的光刻技术专著,内容涉及该领域的各个重要方面。在介绍光刻技术应用上,涵盖了全面又丰富的内容;在论述光刻技术的物理机制和数学模型时,采用了完整而不繁琐的方法,增加了可读性。本书在系统地阐述了光学光刻技术的基本内容后,还专门开辟章节,介绍了最先进的极紫外光刻技术的特点和难点,揭示了极紫外光刻的技术奥秘。本书具有全面、完整、翔实和新颖的特点,它凝聚了作者三十多年光刻领域科研和教学的精华。 TY."?` [FK DFgQ1:6[
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f 50s1o{xwc 第1章光刻工艺概述 /|<Pn!}J 1.1微型化: 从微电子到纳米技术_1 4YuJ - 1.2光刻技术的发展史_3 wMW."gM| 1.3投影光刻机的空间成像_5 #x?Ku\ts 1.4光刻胶工艺_10 3V(]*\L 1.5光刻工艺特性_12 *^ZJ&. 1.6小结_18 .tdaj6x 参考文献_18 O'm5k l i/vo 第2章投影光刻的成像原理 *1H8
& 2.1投影光刻机_20 ty"|yA 2.2成像理论_21 3X;k c> 2.2.1傅里叶光学描述_21 e(=() :4is 2.2.2倾斜照明与部分相干成像_26 Fb!Ew`;QT 2.2.3其他成像仿真方法_30 6"h,0rR 2.3阿贝瑞利准则及其影响_30 ]9
JLu8GO 2.3.1分辨率极限和焦深_31 \aN*x 2.3.2影响_36 uc<JF= 2.4小结_39 |rgp(;iO 参考文献_39 _VUG!?_D$5 ]<3n;*8k? 第3章光刻胶 %.h&W; 3.1光刻胶概述、常规反应原理和现象学描述_42 `WUyffS/! 3.1.1光刻胶的分类_42 yTxrbE 3.1.2基于重氮萘醌的光刻胶_45 _xefFy 3.1.3先进的正型化学放大光刻胶_46 CN{xh=2qY[ 3.1.4现象学模型_48 qj7}]T_ 3.2光刻胶工艺步骤和建模方法_50 >\7Mf@c 3.2.1技术方面_50 22T\-g{ 3.2.2曝光_51 RoFOjCc>D. 3.2.3曝光后烘焙_54 2q
NA\-0i> 3.2.4化学显影_58 :>|dE%/e$ 3.3建模方法和紧凑光刻胶模型概述_61 ~n"?*I` 3.4负型与正型光刻胶材料和工艺_65 Ka_g3 3.5小结_68 f:K>o. 参考文献_69 w+wg)$i fTOGW`s^ 第4章光学分辨率增强技术 03/mB2|TF( 4.1离轴照明_74 V0<g$,W= 4.1.1线空图形的最佳离轴照明形态_76 8\X-]Gh\^ 4.1.2接触孔阵列的离轴照明_78 M!/!*,~ 4.1.3从传统/参数化的照明形态到自由照明形态_80 qs%UJ0tR 4.2光学邻近效应校正_81 eJ%b"H! 4.2.1孤立密集线宽偏差补偿_82 /V{1Zw= 4.2.2线端缩短补偿_84 IAHQT<] 4.2.3从基于规则到基于模型的OPC和反演光刻技术_85 :5X^t 4.2.4OPC模型和工艺流程_88 }G)2HTaZ 4.3相移掩模_89 64L;np> 4.3.1强相移掩模: 交替型相移掩模_90 5SMV3~*P 4.3.2衰减型或弱相移掩模_97 2<T/N 4.4光瞳滤波_100 .OpG2P 4.5光源掩模协同优化_102 lu?:1V- 4.6多重曝光技术_106 I7#^'/ 4.7小结_109 `h'7X( 参考文献_110 T)I\?hqTB Xw#"?B(M] 第5章材料驱动的分辨率增强 #De a$ 5.1分辨率极限的回顾_115 3L CT-rp 5.2非线性双重曝光_119 8RI'Fk{ 5.2.1双光子吸收材料_119 ;:,U]@ 5.2.2光阈值材料_120 @#p6C 5.2.3可逆对比增强材料_121 I
6'!b/ 5.3双重和多重成形技术_124 ?Dl; DE1 5.3.1光刻刻蚀光刻刻蚀_124 ' Tk4P{ 5.3.2光刻固化光刻刻蚀_125 S"t\LB*'Ls 5.3.3自对准双重成形_126 Ne)3@? 5.3.4双色调显影_127 Uc,J+j0F 5.3.5双重和多重成形技术的选项_128 wmA TV/ 5.4定向自组装_129 t#VX#dJ 5.5薄膜成像技术_133 g%V#Z`*| 5.6小结_135 sd"eu 参考文献_135 R,s}<N$ va:<W H 第6章极紫外光刻 ifNyVEHy 6.1EUV光源_141 T/.U Mw 6.2EUV和多层膜中的光学材料特性_143 =A*a9c2
6.3EUV掩模_146 Lq62 6.4EUV曝光设备和图像形成_151 ~Zn|( 6.5EUV光刻胶_156 H#uN&^+H 6.6EUV掩模缺陷_157 "L;@qCfhO 6.7EUV光刻的光学分辨率极限_161 ))dw[Xa 6.7.16.xnm波长的超极紫外光刻_162 Peo-t*-06 6.7.2高数值孔径EUV光刻_162 k 1a?yH)= 6.7.3低k1技术: EUV光刻的光学分辨率增强技术_166 l^^Z}3^Rk 6.8小结_167 #].qjOj 参考文献_168 :7i x`C2 Vh1y]#w 第7章投影成像以外的光刻技术 %JH/|mA&| 7.1非投影式光学光刻: 接触式和接近式光刻_176 @u`W(Ow 7.1.1图像形成和分辨率限制_176 ~
MsHV% 7.1.2技术实现_179 3:G$Y:#P 7.1.3先进的掩模对准光刻_182 cs7^#/3< 7.2无掩模光刻_186 -\USDi( 7.2.1干涉光刻_186 xkRS?Q g 7.2.2激光直写光刻_189 B9Mp3[ 7.3无衍射限制的光刻_194 +V(^"Z~ 7.3.1近场光刻_195 spTz}p^\O 7.3.2利用光学非线性_198 XdmpfUR,13 7.4三维光刻_203 [y}h 7.4.1灰度光刻_203 Td|u-9OM 7.4.2三维干涉光刻_205 c|(J%@B) 7.4.3立体光刻和三维微刻印_206 Lyf5Yf([- 7.5浅谈无光刻印_209 8AuE:=?,, 7.6小结_210 $P#x>#+[A 参考文献_211 $f _C~O 4Y}Nu 第8章光刻投影系统: 高级技术内容 .vctuy& 8.1实际投影系统中的波像差_220 .zl[nx[9"D 8.1.1波像差的泽尼克多项式表示_221 *];QPi~ 8.1.2波前倾斜_226 "dG N0i 8.1.3离焦像差_226 {* :^K\- 8.1.4像散_228 oc]:Ty 8.1.5彗差_229 )hl7)~S< 8.1.6球差_231 n.qT7d( 8.1.7三叶像差_233 %[5GG d5w 8.1.8泽尼克像差小结_233 rM^2yr7H 8.2杂散光_234 +Adk1N8 8.2.1恒定杂散光模型_235 iqdU?&.; 8.2.2功率谱密度(PSD)杂散光模型_236 W!R0:- 8.3高数值孔径投影光刻中的偏振效应_239 5jso)`IL 8.3.1掩模偏振效应_240 \+nV~Pi"A 8.3.2成像过程中的偏振效应_241 maDWV&Db 8.3.3光刻胶和晶圆堆栈界面的偏振效应_243 -.y1]4 8.3.4投影物镜中的偏振效应和矢量成像模型_246 ,}]v7DD 8.3.5偏振照明_248 |1tpXpe 8.4投影光刻机中的其他成像效应_250 ZgG~xl\My 8.5小结_250 VBix8| 参考文献_251 T9%|B9FeJ S5u$I 第9章光刻中的掩模和晶圆形貌效应 NJE*/_S 9.1严格电磁场仿真的方法_256 Hi=</ Wy; 9.1.1时域有限差分法_257 _k26(rdI@- 9.1.2波导法_260 q^<HG] 9.2掩模形貌效应_262 GS=E6 9.2.1掩模衍射分析_263 =cZ24I 9.2.2斜入射效应_266 9Q}g
Vqn 9.2.3掩模引起的成像效应_268 |hw.nY]J 9.2.4EUV光刻中的掩模形貌效应及缓解策略_272 n[gE[kw 9.2.5各种三维掩模模型_277 De^:9<{jc 9.3晶圆形貌效应_279 :H3/+/x 9.3.1底部抗反射涂层的沉积策略_279 A-:k4] {%P 9.3.2靠近栅极的光刻胶底部残余_281 lq "X_M$ 9.3.3双重成形技术中的线宽变化_282 g hmn3 9.4小结_283 H7.l)' 参考文献_283 h2T\%V_j +a^gC
第10章先进光刻中的随机效应 6 5dMv*{ 10.1随机变量和过程_288 gN/>y1{a 10.2现象_291 7@>/O)>(AS 10.3建模方法_294 ~WTk X(\ 10.4依存性及其影响_297 GJZjQH-#P 10.5小结_299 'nGUm[vh 参考文献_299 ("t'XKP&N 专业词汇中英文对照表 +pme]V|< Ad>81=Z
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