求助各位大佬，怎么才能过双85环测？

用MGF2+H4这两种材料，什么工艺才能过双85环测呀？
目前试过：设定温度320℃，MGF2速率3.0A/S，H4速率1.5A/S，最后镀15nm SIO2，速率1.5A/S，MGF2打底层，高温高湿脱膜，看上去像是最外层膜脱落
也试过：320℃，MGF2速率5.0A/S，H4速率3.0A/S，最外层镀10nm金刚膜，MGF2打底层，高温高湿有亚克，太阳辐照脱膜
用这两种材料能过环测吗？人都麻了

tfcalc68	2023-03-17 18:13
APC充氧流量的多少有什么影响吗？

tfcalc68	2023-03-17 18:13
没人给点意见吗？

小时候_我很帅	2023-03-22 16:04
上离子源

yzhuang	2023-03-30 10:25
MgF2换成SiO2，损失一些光学性能，换来更好的稳定性。

嘤击长空	2023-03-31 01:31
建议测一下温度，镀膜时基片至少要在270°，起始真空度2.0E-3，H4充氧少一点，6.0E-3左右

flyinlove79	2023-05-26 22:20
氧化硅蒸发速率太小了，膜层太疏松吸潮后很容易脱膜

knight627	2023-06-08 09:15
不太理解为什么要用sio2+mgf2最外层这结构，无论是光谱还是致密性也应该是mgf2 或者mgf2+sio2更好，SIO2本就是柱状结构

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