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tfcalc68 2023-03-17 17:45

求助各位大佬,怎么才能过双85环测?

用MGF2+H4这两种材料,什么工艺才能过双85环测呀? ILU7Yhk  
目前试过:设定温度320℃,MGF2速率3.0A/S,H4速率1.5A/S,最后镀15nm  SIO2,速率1.5A/S,MGF2打底层,高温高湿脱膜,看上去像是最外层膜脱落 2YbI."ob  
也试过:320℃,MGF2速率5.0A/S,H4速率3.0A/S,最外层镀10nm金刚膜,MGF2打底层,高温高湿有亚克,太阳辐照脱膜 ev'` K=n8  
用这两种材料能过环测吗?人都麻了
tfcalc68 2023-03-17 18:13
APC充氧流量的多少有什么影响吗?
tfcalc68 2023-03-17 18:13
没人给点意见吗?
小时候_我很帅 2023-03-22 16:04
上离子源
yzhuang 2023-03-30 10:25
MgF2换成SiO2,损失一些光学性能,换来更好的稳定性。
嘤击长空 2023-03-31 01:31
建议测一下温度,镀膜时基片至少要在270°,起始真空度2.0E-3,H4充氧少一点,6.0E-3左右
flyinlove79 2023-05-26 22:20
氧化硅蒸发速率太小了,膜层太疏松吸潮后很容易脱膜
knight627 2023-06-08 09:15
不太理解为什么要用sio2+mgf2最外层这结构,无论是光谱还是致密性也应该是mgf2 或者mgf2+sio2更好,SIO2本就是柱状结构
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