韩国三星电子计划明年扩大芯片产能

据韩国媒体报道，尽管相关行业发展前景不甚明朗，但韩国三星电子公司计划在明年扩大其最大半导体工厂的产能。

《韩国经济新闻》援引行业内部匿名消息来源报道，三星电子计划扩大其位于韩国平泽市的P3工厂产能。这座工厂将为DRAM存储芯片增加12英寸晶圆产能。

据报道，P3工厂是三星电子最大的芯片制造厂，该工厂将根据代工合同增加4纳米芯片产能；三星电子计划明年新购至少10台极紫外光刻机。

路透社援引分析师的话报道，三星电子继续投资芯片业务，可能有助其在需求回暖时争取存储芯片市场份额，以及提振公司股价。

据《韩国时报》报道，截至今年第二季度，三星电子占据43.5%的DRAM芯片市场份额，其次是韩国SK海力士公司占有27.4%的份额，美国美光科技公司约占24.5%。

有别于三星电子公司计划继续投资芯片业务，美光科技公司21日宣布，打算裁员10%，以应对消费电子产品和芯片需求走软。SK海力士公司高管在第二季度财报会议中说，为应对市场环境，其资本支出将保持灵活。

虽然三星电子忙于长期布局，但存储芯片短期销量依然不乐观。据高盛集团日前预测，三星电子半导体业务第四季度营业利润约为1.5万亿韩元（约合82亿元人民币），同比下滑83%。

三星电子8月宣布，其位于韩国首都首尔以南的半导体研发中心破土动工。该公司计划在2028年前向该研发中心投资约20万亿韩元（约合1089亿元人民币），以提升企业在芯片领域的地位。

三星电子6月30日宣布开始量产3纳米芯片。这家企业曾于5月表示，今后5年将在半导体和生物技术领域投资450万亿韩元（约合2.3万亿元人民币）。这一投资规模比过去5年增加120万亿韩元（约合6150亿元人民币），增幅达36%。

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