复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件

当前MOSFET器件的持续微缩所带来的功耗问题已经成为制约集成电路发展的主要瓶颈。复旦大学微电子学院朱颢研究团队、美国国家标准与技术研究院及美国乔治梅森大学，合作提出一种具有陡峭亚阈值摆幅的负量子电容晶体管器件。研究成果在第68届国际电子器件大会上发表。

复旦大学微电子学院消息显示，该工作利用单层石墨烯在低态密度条件下产生的负电子压缩效应，通过栅极电压调控形成负量子电容。该工作中，通过对器件栅极叠层结构以及制备工艺的优化，实现最小31mV/dec的亚阈值摆幅和可忽略的滞回特性，及超过106的开关比，有效降低器件静态与动态功耗。同时结合理论仿真揭示了器件陡峭亚阈值摆幅的形成机理，为未来高速低功耗晶体管器件技术的发展提供新路径。

该项研究工作得到国家自然科学基金等项目资助。

tomryo	2022-12-11 07:00
复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件

redplum	2022-12-11 08:48
很理化

likaihit	2022-12-11 08:48
很不错啊

瑶台飞镜	2022-12-11 08:54
用单层石墨烯在低态密度条件下产生的负电子压缩效应，通过栅极电压调控形成负量子电容。

copland	2022-12-11 09:04
低功耗负量子电容场效应晶体管器件

六佰	2022-12-11 10:34
合作提出一种具有陡峭亚阈值摆幅的负量子电容晶体管器件

bairuizheng	2022-12-11 14:50
看看新闻

szlsft	2022-12-11 15:29
为未来高速低功耗晶体管器件技术的发展提供新路径,祝贺！

wangjin001x	2022-12-11 15:36
复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件

谭健	2022-12-11 18:32
很不错啊

谭健	2022-12-11 18:36
复旦大学了不起.

光学白小白	2022-12-11 20:14
低功耗负量子电容场效应晶体管器件

jeremiahchou

2022-12-11 20:51

复旦大学微电子学院消息显示，该工作利用单层石墨烯在低态密度条件下产生的负电子压缩效应，通过栅极电压调控形成负量子电容。该工作中，通过对器件栅极叠层结构以及制备工艺的优化，实现最小31mV/dec的亚阈值摆幅和可忽略的滞回特性，及超过106的开关比，有效降低器件静态与动态功耗。同时结合理论仿真揭示了器件陡峭亚阈值摆幅的形成机理，为未来高速低功耗晶体管器件技术的发展提供新路径。

tomryo	2022-12-12 07:00
复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管

zeno	2022-12-12 08:39
Zu#< qgexb\x\4 复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件 }$aNOf%: QJXdb]Y^;

梦夕	2022-12-12 08:40
合作提出一种具有陡峭亚阈值摆幅的负量子电容晶体管器件

雨后无文	2022-12-12 08:51
为未来高速低功耗晶体管器件技术的发展提供新路径

杨森	2022-12-12 08:52
该项研究工作得到国家自然科学基金等项目资助

wheo2022	2022-12-12 08:58
复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件

honestccw	2022-12-12 09:06
了解一下

churuiwei	2022-12-12 09:11
复旦大学微电子学院朱颢研究团队、美国国家标准与技术研究院及美国乔治梅森大学

blacksmith	2022-12-12 09:13
低功耗负量子电容场效应晶体管

光学白小白	2022-12-12 09:15
一种具有陡峭亚阈值摆幅的负量子电容晶体管器件

swy312	2022-12-12 09:27
复旦大学微电子学院消息显示，该工作利用单层石墨烯在低态密度条件下产生的负电子压缩效应，通过栅极电压调控形成负量子电容。

sgsmta	2022-12-12 09:36
负量子电容晶体管器件

瑶台飞镜	2022-12-12 09:36
{{GHzW yOM -;h 复旦大学研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件 ~Gwas0eNa %rX\ P

六佰	2022-12-12 09:54
为未来高速低功耗晶体管器件技术的发展提供新路径,祝贺！

wmh1985

2022-12-12 10:11

利用单层石墨烯在低态密度条件下产生的负电子压缩效应，通过栅极电压调控形成负量子电容。该工作中，通过对器件栅极叠层结构以及制备工艺的优化，实现最小31mV/dec的亚阈值摆幅和可忽略的滞回特性，及超过106的开关比，有效降低器件静态与动态功耗。同时结合理论仿真揭示了器件陡峭亚阈值摆幅的形成机理，为未来高速低功耗晶体管器件技术的发展提供新路径。

wangjin001x	2022-12-12 11:30
研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件

lz0121	2022-12-12 15:03
每日一则新闻

tassy	2022-12-12 15:05
新闻不错啊

jeremiahchou	2022-12-12 19:26
当前MOSFET器件的持续微缩所带来的功耗问题已经成为制约集成电路发展的主要瓶颈。复旦大学微电子学院朱颢研究团队、美国国家标准与技术研究院及美国乔治梅森大学，合作提出一种具有陡峭亚阈值摆幅的负量子电容晶体管器件。研究成果在第68届国际电子器件大会上发表。

谭健	2022-12-12 22:15
很理化

redplum	2022-12-12 23:21
太牛了

likaihit	2022-12-12 23:22
好厉害

谭健	2022-12-14 21:22
很不错啊

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