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2022-11-02 08:27 |
表面和光栅区域的通道配置
tDHHQ VirtualLab Fusion为表面和(光栅)区域提供了灵活的通道配置。通过调整通道配置,可以轻松实现所需的建模方案。我们以一个具有两个表面的光波导为例来演示通道的配置。通过不同的设置,我们展示了所产生的光路。此外,我们在波导面上添加光栅区域,并演示了区域的配置,以及这些区域的光栅参数。 + >gbZ-S [^}>AC*im
Bx : So6: bZay/ Zkj 建模任务 j[J@tM# M:UB>-`bW 如何调整表面上的通道和可能的光栅区域,以及如何用这些设置来控制模型。 x D=qU Q}?N4kg
(GcKaUg8* x+y!P 表面通道 cov#Z
ux Lr}b, 初始化 PUjoi@] - 使用两个平面来模拟石英玻璃制成的平面光波导,厚度为5mm。 ncJFB,4 u ?G\b{$m
7?!Z+r ]%<Q:+38 表面通道 f{^M.G@ m,gy9$ 初始化 Q
f+p0E; - 使用两个平面来模拟石英玻璃制成的平面光波导,厚度为5mm。 <f.>jjwFE - 为了更好地说明问题,为波导定义一个独立的Y轴旋转30°。 2^ ,H_PS kBiBXRt
FSU%?PxO ^/ DII`A +r-dr>&H@ 表面通道 o!=lBfI
b%[nB 通道定义 Z`oaaO - 每个表面有四个可能的通道,至少要激活一个通道进行追迹。 dm,}Nbc91( - 可以为每个表面单独定义通道。 lLkmcHu - 通道的不同设置会导致不同的建模方案。 X<Th{kM2 ckf<N9
eg2U+g4 &>W (l. 表面通道 'wz\tT ^ ;J(rw
0eqi1;$b] aVppOxA 表面通道 ]|,q|c , 5e#&"sJ.1
<}EV*`w4 R81{<q'%X 区域通道 SE;Tujwhqi C(V[wvL 表面上的区域 zNV!@Yr -可以在表面上定义单个区域,并单独定义其光学特性,包括通道设置。 :Su #xI <?LfOSdMs^
.:{h{@a m"gni # 区域通道 MX!u$ei Fl_dzh,E 区域定义 yn/?=
?0 -在第一面建立一个长方形区域。 M5GY>3P$c -设置区域大小为2.25 mm×2.25 mm,中心沿x方向为-3.6 mm。 ?$|uT \7Gg2;TA6o
.M9d*qp`S bJQ5- *F 区域通道 3h9Sz8 ~L %Pz0Gg 区域定义 J [ YtA -在第一面建立一个长方形区域。 @br@[RpB -设置区域大小为2.25 mm×2.25 mm,中心沿x方向为-3.6 mm。 }P<Qz^sr_ -将此区域定义为具有单一透射系数T0 = 50%的光栅,和单一反射系数R0 = 50%的光栅,这就构成了一个半反射镜。 p?+lAbe6H -在这里,我们只使用零次衍射阶,这与通常的透射或折射引起的反射是相同的。 xS6(K #ZG3|#Q=L
"?apgx 6 Guk.,}9 区域通道 Vbg10pV0 区域定义 xGYSi5}z - 按照与表面相同的规则,为这个区域设置通道。 9z5\*b s k?3S
]43al f F# {S[I_\3 带有光栅的区域通道 3B@y &a#& Q)09]hP[Xj 区域定义 0:Ar|to$m - 可以在给定区域上定义一个衍射光栅。 2R^O,Vu*W J+Q+&-a
M]}l^m>L 6!P`XTTE 带有光栅的区域通道 >qR7'Q wP 8g\wVKkTQp 区域定义 86 *;z-G -可以在给定区域内定义一个衍射光栅。 _i5mC,OffN -我们在第二表面上增加一个矩形区域(侧长2.25mm),沿x方向以-8.2mm为中心。 6}ce1|mkg/ ;W]D ~X&
4L8z>9D -x{dc7y2 带有光栅的区域通道 3pvYi<<D' ]b 3/Es+ 区域定义 M'kVL0p?vN -可以在给定区域内定义一个衍射光栅。 94\t1fE -我们在第二表面上增加一个矩形区域(侧长2.25mm),沿x方向以-8.2mm为中心。 4|`Yz%' -定义一个2微米周期的理想光栅,指定的衍射系数为: dXmV@ Noo T0=10% pD"YNlB^ T+1=60% Rj^7#,993 T+2=10% 4t04}vp 8O>}k
3P1&; ^$!987" 带有光栅的区域通道 + :V rip !BDUv( 区域定义 g& k58{e -可以在给定区域内定义一个衍射光栅。 |'tW= -我们在第二表面上增加一个矩形区域(侧长2.25mm),沿x方向以8.2mm为中心。 r!7 Y'| -定义一个2微米周期的理想光栅,指定的衍射系数为: Cezh l T0=10% (:5G#?6, T+1=60% ^(ScgoXva T+2=10% 9M_(He
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