OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器
主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: E"#Xc@ • 定义MMI耦合器的材料; VYaSB?`/ • 定义布局设定; =1Z;Ma<; • 创建一个MMI耦合器; ` H
XEZ| • 插入输入面; 44HiTWQS?l • 运行模拟; _yv Luj • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 R{?vQsLk >.<ooWw 1. 定义MMI耦合器的材料 rk|a5-i 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: 8:thWGLN 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ v$Uhm</|19 图1.初始性能对话框 g$FEEDF m!O;>D 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” 26L~X[F 图2.轮廓设计窗口 3F+Jdr' u1Ek y/e- 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
so+4B1$)q ghAi{@s$) 图3.电介质材料创建窗口 DG[%Nhle zN~6HZ_:^ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
oY=1C} − Name : Guide v+=k-;- − Refractive Index (Re) : 3.3 k1='c7s − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 pB p#a 图4.创建Guide材料 :!Ig- +W _Mt Qi 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: {2
%aCCV − Name : Cladding g%a|q~) − Refractive Index (Re) : 3.27 PB53myDQ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 @hif$ 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 4woO;Gm 3s*(uS( 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: FT89*C)oD − Name : Guide_Channel yGj.)$1},@ − 2D profile definition: Guide iY0>lDFm. − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
Y<f_`h^r 图6.构建通道 JObMZA$ 2. 定义布局设定 o.7{O,v 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: *7$P] 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 tX%`#hb?s − Width:2.8 P0Z!?`e=M 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 LL*mgTQ − Profile:Channel-Guide DmqSQA \or G63T:
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置 jrMe G.e=D 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: Bs;|D − Length:5300− Width:60 tPfFqqT lfN~A"X 图8.设置晶圆尺寸 v [njdP 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding ][;G=oCT − 点击OK以激活布局窗口 |=dC
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图9.晶圆材料设置 bh p5< |