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2022-07-23 23:56 |
麻省理工发现性能远优于硅的半导体“立方砷化硼”
来自麻省理工学院研究人员以及其合作伙伴已经发现了一种性能比硅好得多的材料。下一步是找到实用和经济的方法来制造它。硅是地球上最丰富的元素之一,以其纯粹的形式,这种半导体材料已成为许多现代技术的基础,包括微电子计算机芯片和太阳能电池。然而,硅作为一种半导体的特性实际上远非理想。 7+IRI|d EJQT\c
[attachment=113626] Ta/u&t4 其中一个原因是,尽管硅允许电子轻易地在其结构中流动,但它对"空穴"--电子带正电的对应物的适应性要差得多,而利用这两者对特定类型的设备至关重要。此外,硅在传输热量方面做得很差,这导致了计算机中频繁的过热问题和昂贵的冷却系统。 )qOcx
I Q#.E-\=^ 现在,来自麻省理工学院、休斯顿大学和其他机构的一个科学家团队已经进行了实验,显示一种名为立方砷化硼的材料克服了这两个限制。除了为电子和空穴提供高迁移率外,它还具有出色的导热性。据研究人员说,它是迄今发现的最好的半导体材料,也许是可能的最好的材料。 {,Rlq
%tZrP$DQ 迄今为止,立方砷化硼只在实验室规模的小批次中被制造和测试,而这些批次并不均匀。事实上,为了测试材料中的小区域,科学家们不得不使用最初由麻省理工学院前博士后白松开发的特殊方法。要确定立方砷化硼是否能以实用、经济的形式制成,更不用说取代无处不在的硅还需要更多的工作。但研究人员说,即使在不久的将来,这种材料也能找到一些用途,其独特的性能将产生重大的影响。 c@)?V>oe AT1{D!b 2022年7月21日,麻省理工学院博士后Jungwoo Shin和麻省理工学院机械工程教授Gang Chen;休斯顿大学的Zhifeng Ren;以及麻省理工学院、休斯顿大学、德克萨斯大学奥斯汀分校和波士顿学院的其他14人在《科学》杂志上报告了这些发现。 n}fV$qu kHhku!CH 早期的研究包括David Broido的工作,他是新论文的共同作者,从理论上预测该材料将具有高导热性。随后的工作通过实验证明了这一预测。这项最新工作通过实验证实了Chen小组在2018年做出的预测,从而完成了分析:立方砷化硼也将具有非常高的电子和空穴迁移率,"这使得这种材料真的很独特,"Chen说。 e$JCak= &A`,hF8 早期的实验表明,立方砷化硼的热导率几乎是硅的10倍。"因此,仅就散热而言,这非常有吸引力,"Chen说。他们还表明,这种材料有一个非常好的带隙,这一特性使它作为一种半导体材料具有巨大的潜力。 Jf\`?g3# R*XZPzg% 现在,新的工作填补了这一空白,表明凭借其电子和空穴的高迁移率,砷化硼具有理想半导体所需的所有主要品质。"这很重要,因为在半导体中,我们的正电和负电都是等价的。因此,如果你建立一个设备,你希望有一种材料,让电子和空穴都以较小的阻力移动,"Chen说。 Q<ia KaHe( 硅具有良好的电子迁移率,但空穴迁移率较差,而其他材料,如广泛用于激光器的砷化镓,同样具有良好的电子迁移率,但空穴迁移率不高。 +DR{aX/ll <RY!Mc 论文的主要作者Shin说:"热量现在是许多电子产品的一个主要瓶颈。"碳化硅正在取代硅,用于包括特斯拉在内的主要电动车行业的电力电子,因为它的导热性比硅高三倍,尽管它的电子迁移率较低。想象一下,砷化硼可以实现什么,它的导热性比硅高10倍,移动性比硅高很多。它可以改变游戏规则"。 l~Ka(*[!U J& | |