Ga2O3深紫外图像传感器研究取得进展
紫外成像在航天与医疗等领域颇具应用价值。目前,高性能、低成本的紫外成像芯片难以获得。同时,基于Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅵ等宽禁带半导体的紫外探测器难以与Si基读出电路实现大规模集成,这限制了高性能紫外成像芯片的制造与应用。 (5&l<u"K~ Wm>AR? b 中国科学院微电子研究所重点实验室与中国科学技术大学合作,首次实现基于超宽禁带半导体材料Ga2O3的背照式主动紫外图像传感器阵列,并在极弱光照条件下实现了成像。研究采用CMOS工艺兼容的IGZO TFT驱动Ga2O3紫外探测器,实现单片集成32×32紫外成像阵列。IGZO TFT器件表现出极低的漏电和驱动能力以及在正负偏压下良好的稳定性。Ga2O3探测器具有极低的噪声,对紫外光表现出极高的灵敏度,可实现对低至1pW/cm2的紫外光进行探测。通过外围电路进行信号读取和处理,该图像传感器实现了在弱光下的成像应用。该成果为基于Ⅲ-Ⅴ/Ⅱ-Ⅵ等材料的可扩展、高密度图像传感器集成与应用提供了新的思路和解决方法。 jWJ/gv~ $ brClYpp,h
[attachment=113343] #Q$`3rr 图1.单片集成1T1PD图像传感器结构图 NK|m7( H`Ld,E2ex& [attachment=113345] g@IYD 图2.该工作与其他已报道的深紫外探测器性能对比 ?&se]\ jS'hs>Ot [attachment=113340] 5H
|<h 图3.单片集成Ga2O3紫外成像系统 V9<CeTl' +d/^0^(D\5 [attachment=113344] iBPx97a 图4.基于Ga2O3 PD/IGZO TFT图像传感器在不同强度深紫外光照下的成像情况 hP26 Bb1 相关研究成果(First Demonstration of High-Sensitivity (NEP<1fW·Hz-1/2) Back-Illuminated Active-Matrix Deep UV Image Sensor by Monolithic Integration of Ga2O3 Photodetectors and Oxide Thin-Film-Transistors)入选2022 VLSI。
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