cyqdesign |
2022-06-06 17:44 |
北大在硒化铟材料静水压荧光调控及近红外激光研究方面取得进展
近年来,二维层状半导体由于其无悬挂键表面、原子级薄的结构、丰富的激子类型和能谷特性以及强空间限制等优异的化学和物理特性,已成为发展片上激光源和放大器非常有前途的增益材料。利用二维层状半导体作为增益材料的激光源,具有超小体积、低阈值和易于发射的优点。然而,这些激光源制备工艺较为复杂且工作波段主要在红光区域,极大限制了其商业应用。层状半导体InSe,当其厚度大于6nm时转变为直接带隙半导体,可以同时用作增益介质和光学腔,并且不需要外部光学腔,可以进一步与自上而下的光刻工艺兼容。因此InSe用于发展相干光子源具有独特的吸引力。此外,InSe展现出超塑性变形能力,通过施加外部压力来改变InSe的晶格结构、原子间距和层间距离,可以进一步调控InSe的电子带隙,有望发展超宽谱多色光源。 &UextG | |