双折射晶体偏振干涉效应
本文的目的是介绍FRED的材料性质方面一些高级的设定,这些设定共分成以下几个部份。 #++lg{ 双折射晶体和偏振光干涉 u_w#gjiC 光源偏振设置 l+xX/A) 双折射材料方向和其他设定 SE@LYeC}dE 干涉结果和光线性质查看 d[@X% 渐变折射率(GRIN)材料 q<xCb%#Jl 脚本设置渐变折射率材料 =)0,#9k U] 定性模拟结果 l:
HTk4$0 o5Dk:Bw 双折射晶体和偏振光干涉 pA'4|ffwe nsu@h 偏振光干涉现象在实际中有很多应用,这里要模拟的是一种典型的双折射干涉实验,设置如下图所示:左侧是偏振光源,偏振方向是在xy平面且与x轴夹角45度,所有光线的反向延长线指向一点。接下来光线经过方解石平板,厚2mm,光轴方向沿z 轴。然后光线通过偏振片,偏振片方向与光源方向垂直(xy 平面,与x 夹角-45度),偏振片是通过设置偏振镀膜来实现的。最右边是接收分析面,光线在这里停止,用来计算光强。 t6bV?nc y`Wty@
图1. 系统设置 {2O1"|s , 下面设置双折射材料。在材料文件夹下右击,选择新建材料(create a new material),选择类型为取样双折射材料或旋光性物质(sampled birefringent and/or optically active material),波长设置为0.5875618,o光和e光的折射率分别设为1.66 和 1.49,光轴方向设置为z轴(0,0,1)。 I&D5;8 .0zY}`
图2. 双折射材料 Uf:` 偏振片是通过偏振镀膜来实现的,如下新建偏振镀膜。右击镀膜文件夹,新建镀膜,类型选择偏振/波片镀膜琼斯矩阵(Polarizer/Waveplate Coating jones matrix),然后默认的就是沿x轴偏振镀膜。 $t$ShT) vv72x] NW~N}5T
图3. 偏振镀膜 {%rA1g 右击光源文件夹并选择新建详细光源。命名为Diverging beam,光源的类型选择为六边形平面,方向选择从某点发出,并且把这一点选在z轴负轴的某一点(0,0,-20)。设置光源设为相干光,在偏振(polarization)选项卡里设置光源偏振类型和方向为线性偏振,方向为x轴方向(下面通过把光源沿z轴选择-45度来调整偏振方向,当然也可以在这里设置偏振方向为某一个特定点方向,但是用前一种方法在需要改变光源偏振方向时会更方便一些)。然后设置光源位置和旋转,将光源位置设置在(0,0,-3),沿z轴选择-45度。 Fco`^kql.D j8v8uZ;x >6ni")Q9
图4. 光源方向 (!ux+K  图5. 光源相干性设置 \r/rBa\  图6. 光源偏振设置 图7. 光源位置和旋转 [g7L&`f9 在几何结构文件夹(geomertry)下右击,选择新建透镜(lens)。如下如设置半径10,厚度2,双面曲率为0,在原点处,并且把方解石材料的套用在该透镜上。如下图所示。 VACQ+ t|w_i-&b,
图8. 新建方解石平板 Vh'P&W?[ 在几何结构文件夹下(geometry)下右击,新建基本元件(create element primitive),平面(plane),半长宽分别是10单位,旋转 -45度,向z轴负方向平移5个单位。把偏振镀膜套用在偏振片上。 u(z$fG:g j@n)kPo,1 _F6OM5F"N
图9. 新建偏振片 vLv@&lMW 同样步骤建立接收面,半长宽分别12,位置在(0,0,10)处。 b)6D_Az7c {BP{C=p
图10. 接收面 v"y-0$M 设立分析面,并且套用在接收面上。这里分析面对尺寸设置为可以自动匹配到数据范围。 ui<N[ iN bIp"W
图11. 分析面 vNyf64) 到这里设置已经完毕,整个系统看起来像下图的样子,也可以到 Edit/Edit View Multiple Surfaces 下查看各个表面的材料,镀膜,光线控制等性质。 n<Z({\9&H 7o7)0l9!
图12. 整体系统 ]&o$b ] 图13. 各个表面性质 !O\82d1P 现在定性讨论一下干涉的效果。因为光源与偏振片的偏振方向垂直,所以只有偏振方向改变的光线能够通过。光线通过单轴晶体时,分为o光(ordinary)和e光(extraordinary),其中o光电场分量与主平面(光线与光轴组成的平面)垂直,e光电场分量与主平面平行,在晶体内o光和e光的速度一般会不同(与光轴和光线方向有关),即等效折射率不同,所以两种光分开一个很小的角度,而且传播同样距离会有一个相位差。由于o光e光偏振角度不同,并不能直接相干,但是两种光投影在偏振片上的分量是满足相干条件的。两种光的相位差是随着倾斜角度变化的,所以随着倾角的变化会出现明暗交替的环。 fe\mL mK9 对于同一个倾角的光线,不同方位角的光线投影在单轴晶体上的的o光和e光分量大小不同,这些o光和e光投影在偏振片上分量也随着方位角而变化,所以可以设想同一环上的光强也会随着方位角而周期性变化。实际上,会在相干环上出现一个暗的十字刷。 bBiE 下面追迹光线并且查看能量分布,如下图所示。 \Z?9{J 这里改变了绘图样式和颜色级别,可以通过右击图表,选择change color level 来设置。 ~uj#4>3T LD+{o 4i
图14. 光线追迹效果 !]"@kl% 在 Analysis/Polarization Spot Diagram (Ctrl+Shift+L) 里查看分析面上的光线偏振情况,应该都是方向为-45度的线偏光,如下图所示。也可以将接收面移动到偏振片之前,将接受面沿z轴的偏移量从10 单位长度调整到3,查看一下这里光线的偏振情况。可以看到o光和e光在同一倾斜角,不同方位角时分量会不同。 6/f7< ,kyJAju>
图15. 分析面上光线的偏振情况 g{7.r-uu 图16. 偏振片前光线的偏振情况 b_$4V3TA 下面考虑将偏振片旋转一定角度后干涉结果会如何变化,如下图,将偏振片绕z轴旋转 -80度。 _('=b/ Sgeh %f
图17. 将偏振片旋转一定角度 pd:WEI
, 图18. 旋转偏振片后的干涉情况 hwPw]Ln/ 偏振干涉的干涉图样是千变万化的,现在调整光轴方向倾斜一个小的角度,观察会出现什么结果。 d?y4GkK 晶体的光轴或者渐变折射率材料(GRIN)的方向可以在 Tools -> edit/view GRIN/Birefrigent Material position/orientation (查看调整渐变折射率材料/双折射材料位置方向)中调整,分别选者材料和元件,调整位置或角度,如下图所示。 @D]5c ivm_ 5[8xV%>;
图19. 调整双轴晶体晶轴方向 0.\/\V:H6 图20. 光轴沿线x轴旋转3度后的干涉图样 从上图可以看出,倾斜光轴只是相当于平移了干涉图样。 b(,M1.[qt
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