清华大学首次实现亚1纳米栅长晶体管

近日，清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破，首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管，并具有良好的电学性能。

过去几十年晶体管的栅极尺寸在摩尔定律的推动下不断微缩，然而近年来，随着晶体管的物理尺寸进入纳米尺度，造成电子迁移率降低、漏电流增大、静态功耗增大等短沟道效应越来越严重，这使得新结构和新材料的开发迫在眉睫。

清华大学集成电路学院消息显示，研究发现，由于单层二维二硫化钼薄膜相较于体硅材料具有更大的有效电子质量和更低的介电常数，在超窄亚1纳米物理栅长控制下，晶体管能有效的开启、关闭，其关态电流在pA量级，开关比可达105，亚阈值摆幅约117mV/dec。大量、多组实验测试数据结果也验证了该结构下的大规模应用潜力。基于工艺计算机辅助设计（TCAD）的仿真结果进一步表明了石墨烯边缘电场对垂直二硫化钼沟道的有效调控，预测了在同时缩短沟道长度条件下，晶体管的电学性能情况。这项工作推动了摩尔定律进一步发展到亚1纳米级别，同时为二维薄膜在未来集成电路的应用提供了参考依据。

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上述相关成果以“具有亚1纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”为题，于3月10日在线发表在国际顶级学术期刊《自然》上。

tassy	2022-03-13 00:51
小尺寸晶体管取得大突破

daite1978	2022-03-13 05:46
晶体管取得大突破

tomryo	2022-03-13 08:24
清华大学首次实现亚1纳米栅长晶体管

blacksmith	2022-03-13 08:51
亚1纳米栅长晶体管

likaihit	2022-03-13 09:13
这个好厉害

redplum	2022-03-13 09:14
好厉害

加油艾特我	2022-03-13 09:36
好厉害啊，清华大学

wth1230	2022-03-13 10:40
真的希望国家越来越强大，太厉害啦 rx^vh%/ Q!

wmh1985

2022-03-13 11:28

，研究发现，由于单层二维二硫化钼薄膜相较于体硅材料具有更大的有效电子质量和更低的介电常数，在超窄亚1纳米物理栅长控制下，晶体管能有效的开启、关闭，其关态电流在pA量级，开关比可达105，亚阈值摆幅约117mV/dec。大量、多组实验测试数据结果也验证了该结构下的大规模应用潜力。基于工艺计算机辅助设计（TCAD）的仿真结果进一步表明了石墨烯边缘电场对垂直二硫化钼沟道的有效调控，预测了在同时缩短沟道长度条件下，晶体管的电学性能情况。这项工作推动了摩尔定律进一步发展到亚1纳米级别，同时为二维薄膜在未来集成电路的应用提供了参考依据。

光学白小白	2022-03-13 12:43
具有亚1纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管

道到	2022-03-13 16:11
清华大学首次实现亚1纳米栅长晶体管

wangjin001x	2022-03-13 18:39
清华大学首次实现亚1纳米栅长晶体管

copland	2022-03-13 20:14
亚1纳米栅长晶体管

jeremiahchou

2022-03-13 20:42

由于单层二维二硫化钼薄膜相较于体硅材料具有更大的有效电子质量和更低的介电常数，在超窄亚1纳米物理栅长控制下，晶体管能有效的开启、关闭，其关态电流在pA量级，开关比可达105，亚阈值摆幅约117mV/dec。大量、多组实验测试数据结果也验证了该结构下的大规模应用潜力。基于工艺计算机辅助设计（TCAD）的仿真结果进一步表明了石墨烯边缘电场对垂直二硫化钼沟道的有效调控，预测了在同时缩短沟道长度条件下，晶体管的电学性能情况。这项工作推动了摩尔定律进一步发展到亚1纳米级别，同时为二维薄膜在未来集成电路的应用提供了参考依据。

feixiangxu	2022-03-13 21:07
酷！这个厉害！

xdzrl1990	2022-03-13 22:31
小尺寸晶体管研究方面取得重大突破

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