探针台 |
2021-12-28 09:41 |
2021年半导体行业知识产权白皮书
-Pvt+I> }x8fXdd 2021年半导体行业知识产权白皮书以下简称白皮书。 g VuN a) )WzCUYE 1/ vi=yR 1k hwwoo 《白皮书》数据显示,从2000年开始至今,半导体行业中国专利申请量共579886件,总体上经历长期增长趋势。专利申请量持续20年快速增长,2017年已反超美国,未来,中美两国将是半导体行业最重要的全球专利申请目标市场。 q`\lvdl |l~ADEg 5jV]{ZV# /
)EB~|4'] Uligr_c? ]>:>":<: J5\> 8I,a h&Sl8$jVp v(0vP}[Q7E a RV!0?fS 就中国专利的省市来源分布来看,苏粤沪三地专利申请量超过其他各省市之和,在我国半导体产业主要聚集地中,长三角、珠三角区域的专利申请量明显超过北京。 6jnRC*!? @.gCeMlOf kBT cND|
Sj*H4ZHD<& ,`wxXU7 G(4k#jB 我国半导体产业发展快速,并且已成为全球第三大专利目标市场,但需要警惕的是,《白皮书》指出,真正掌握在我国创新主体手中的相关专利技术占比仅5%,全球绝大部分专利技术依然被美国、日本垄断。美国、日本创新主体已在我国构建了大量专利壁垒,对我国半导体行业的发展形成阻碍。 x0#+yP
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五大模块专利申请“TOP10”一览 X(1.Hjh Comuc 0|U<T#t8? !l&lb]Vcz 44]ae~@a 针对2016年以来新公开的材料、设备、设计、制造、封测模块全球专利,《白皮书》展示了各模块专利申请人TOP10。 |)lo<}{ :Rq D0>1 oNdO@i%.q4 'R$~U?i8 nQgn^z# 在半导体材料方面,TOP10分别为台积电、三星、住友、信越、胜高、应用材料、IBM、英特尔、中芯国际、富士胶片。 n[clYi@e ^.4<#Qs u|Ai<2b$ Z`f _e? k82'gJ;MC= 在材料模块,掩模版、靶材专利、键合线、引线框架壁垒最高,电子气体、硅片、引线框架研发热度最高。
Wi|.Z/ 1n,JynJ II2oV}7? 6?`py}: V2bod=&Lc 在半导体设备方面,TOP10分别为台积电、东京电子、迪斯科、IBM、应用材料、ASML、三星、佳能、蔡司、格罗方德。迪斯科、ASML专利布局的技术环节集中度较高,其余创新主体的技术环节分布广泛。 c[YC}@l%a @GEvI2Vf.0 W}e5 4-lu ffWvrY;j[ 57#:GN$EL 设备模块中,光刻机、刻蚀/去胶/灰化、贴片、划片、焊接、缺陷检测、探针测试系统专利壁垒较高,刻蚀/去胶/灰化、扩散/氧化/退火、湿法刻蚀、清洗设备、涂布/显影设备、单晶炉、贴片、划片、焊接、塑封、缺陷检测、膜厚测量设备属于热点技术。 "47nc1T+n IQ|~d08} b1^MX).vH @tP,l$O& `aUA_"f 在半导体设计方面,TOP10分别为高通、美光、华为、三星、SK海力士、英特尔、东芝、京东方、联发科、IBM。美、韩两国依然具有技术优势,中国本土企业对于中国内的半导体技术的专利布局还有待提高。 4]g^aaQFd> 4f1*?HX& aJfW75C -V+fQGZe [~;9Mi.XL 设计模块中,比较器、稳压器、处理器、存储器、电源管、交换机芯片、汽车电子专利壁垒较高,比较器、稳压器和模数/数模转换器、处理器、存储器和逻辑器件、无线连接芯片、机顶盒芯片、电源管理、汽车电子、射频前端属于热点技术。 >sP;B5S f{vnZ|WD d2(n3Xf 5H5<ft, r"4:aKF> 在半导体制造方面,TOP10分别为长江存储、三星、美光、东芝、思佳讯、闪迪、高通、台积电、英特尔、村田电子。在制造模块排名前十的全球专利申请人中,有很多企业涉及存储器芯片制造领域,这与存储器芯片在集成电路的产品中占主要地位有关。 B.{yf4a#L HH]LvK [`:\(( 8 ;TR.UUT rzex"}/ly 制造模块中,DRAM、DAND FLASH存储器芯片、射频器件专利壁垒较高,DAND FLASH、射频器件属于热点技术。 r+U-l#Q V^Nc0r R` N-^x s5[ Cr"q7B _LS=O@s^ 在半导体封测方面,TOP10分别为台积电、英特尔、三星、日月光、长电、德州仪器、IBM、英飞凌、美光、高通。其中,长电科技是唯一上榜的中国大陆企业。 Kg%_e9nj# 68D.Li 2#rF/!`^ VMNihx0FJ L-Hl.UV 封测模块中,倒装、多芯片模块、微机械系统、凸点封装专利壁垒较高,硅通孔技术以及3D封装技术属于热点技术。 FPu,sz8 _qGkTiP oZIoY*7IrQ NQOdgp +`9T?:fu 设计模块专利转让、许可、诉讼占比最高 ;MO
%)) kmuF*0Bjk Xl}>mbB tn}9(Oa) K}*s^*X 针对对半导体行业五大模块的中国专利转让、许可、诉讼、质押情况,《白皮书》分别进行了统计与分析。 8J>s|MZ m7d? SU e}Db-7B_~ 9 Z4H5!:(
]@<O!fS 从半导体行业中国专利转让占比情况来看,设计模块专利转让占比最高(7.57%),领先第二位的设备模块近一倍,设计模块相关专利主要聚焦对芯片周边接口、电路、控制方法等与半导体产业链的终端产品密切相关的技术的改进,专利转让行为较多可能归因于相关专利在诉讼中的取证难度相对较低,对申请人的权益形成较强的保护力度。设备模块专利转让行为排在第二(3.89%),可能由于设备反向工程难度低,更易专利维权,而产业链对设备的需求量低于半导体终端产品数量,故其专利转让活跃度要低于设计模块。材料、制造模块,因对应产品的反向工程难度高,不易取证,封测模块因产业链上的价值相对略低,因此三个模块专利转让占比较低。 (llg!1 DSQ2z3s2 y0z}[hZ pV1~REk$& [aIQ/& | |