ESD测试你做了吗?
ESD测试你做了吗? E @C.}37R
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芯片实验室赵工 半导体工程师 今天 I8 !>7`L
ESD测试，即静电放电测试。 8|@) #:
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用户做静电测试前需要确认，做哪些ESD实验？提供POD给实验室确认是否有现成夹具，没有的话要定制夹具。[attachment=109745]
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北软实验室ESD夹具 j -BNHX
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ESD通常有以下几种模式： C5^WJx[
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➢ HBM （人体模型）Human Body Model：模拟人体接触到芯片管脚产生的ESD放电 \2; !}
• 通常测试条件为2000V, 可以采用步进式(step）增加电压直至打死(fail)，比如500V，1000V，1500V, 2000V till fail，也可以直接2000V。 1Z
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• 样品一般为3颗/组，也可以1颗/组(工程时） ez3 2k[eV!
➢ MM （机器模型）Machine Model：模拟生产加工过程中，生产设备对芯片产生ESD放电 ]0T*#U/P
• 目前仅日本厂商有强制性要求，JEDEC已经作废 -6J <{1V
• 样品一般为3颗/组，也可以1颗/组(工程时） 33<{1Y[Q6E
➢ CDM （人体模型）Charged Device Model：模拟芯片运输过程出现内部电荷累计条件下的ESD放电 LT$t%V0?.e
• 通常测试条件为200V，500V, 可以采用步进式(step）增加电压直至打死(fail)，比如200V，250V，300V, till fail2000V，也可以直接500V。 gd
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➢ LU（闩锁测试）Latch-up test：指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流 .+S%hT,v6i
• 通常温度通常为室温（25度），也可高温(85度，125度等），通常测试条件为100mA，1.5 x VCC，也可200mA，1.5 x VCC /TsXm-g#
• 样品一般为3颗I-test（电流测试），3颗 Vsupply Overvoltage test（过电压测试），共计6颗，也可6颗/组，都测。 [<,7LG<
➢ 曲线测试 IV Curve Trace：量IC 管脚的电压电流（I-V）曲线 Fk49~z
➢ EOS测试 电过应力测试 Electrical Over Stress ： G0!6rDu2,
• 就是用MK2或者MK4做过压测试➢ TLP测试 Transmission Line Pulse 47(_5PFb#
• 一般设计公司需要做， 使用TLP脉冲方波评估芯片的ESD性能，可以是Wafer，die或封装后成品。 xGyl7$J
• 通常0V打到fail b; D
➢ ESD-gun 静电枪测试 w tSU43D
• 模拟单板、系统外部接口在带电插拔等情况下的ESD放电，板级、系统级ESD测试，不针对芯片进行 aPlEM_escS
• 通常电压较高，会打2KV以上，甚至10KV，20KV.➢ EFT Test 电快速脉冲群测试：Electrical Fast Transient WYF8?1dt +
• 板级、系统级ESD测试，不针对芯片进行• 通常都会打2KV，4KV A5F (-
➢ Surge Test 浪涌测试，低压雷击测试 *~ GI-h
• 板级、系统级ESD测试，不针对芯片进行，测试电磁干扰能力，检验是否能抵抗脉冲和噪声的干扰• 一般是从Vcc max打到fail, 比如step 0.5V till fail
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