研究团队发现精确测量半导体器件内电场的突破性方法
布里斯托大学的一支研究团队,刚刚发现了一种能够实现更快的通信系统、并且让电子设备更加节能的新方法。据悉,这项研究的重点,在于突破性地通过远程方式,测得了半导体器件内部的电场。以常见的硅基半导体材料为例,其特点是能够控制电子设备的电流,此外还有氮化镓(GaN)等新型半导体方案。 0z/h+, : (cb2j(C
[attachment=107934] My. dD'C 半导体器件中的量化电场,上图展示了氮化镓晶体管沟道中的电场分布,激光束则凸显了这项技术的二次谐波生成(SHG)特性。(图自:Yuke Cao) z; J 在 2021 年 6 月 21 日发表于《自然电子学》(Nature Electronics)上的新论文中,科学家们概述了他们是如何精确量化该电场的,意味着能够开发出具有更快潜力的下一代功率与射频电子器件,同时让它变得更加可靠和节能。 PC|'yAN:
ugno]5Ni 传统半导体器件的研发设计,可以通过反复试验来进行。但目前更常见的,还是基于器件的模拟,然后为实际应用的半导体器件制造提供理论等方面的基础。 ;TtaH 5? Wg%@ 不过在涉及新兴的半导体材料时,研究人员通常也难以估量这些模拟实际上有多准确。 D -6 h0|[etaf
[attachment=107935] 7R: WX: 氮化镓 HEMT 上的 EFISHG 实验示意与器件信息 B22b&0 布里斯托尔大学物理学院的 Martin Kuball 教授表示:“半导体可用于传导正负电荷,并被设计成能够调节和操纵电流。然而相关理论并不仅限于硅基半导体,比如此前常用于蓝光 LED 的氮化镓”。 ~P/]:= `4LJ;KC( 以能够将交流电转换成直流电的开关型电源适配器为例,其一大短板就是会产生废热损失。想想那些体型大如砖头的笔记本电脑电源适配器,如果我们能够提升其转换效率并减少废热,即可达成节约能源的目的。 P@C
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[attachment=107936] /9 pbnzn 氮化镓 HEMT 器件中的电场分布 ^uhxURF 研究人员指出,当向电子设备施加电压时,另一端就可输出电流。而电子设备内部形成的电场,就决定了设备的工作方式、运行时间、以及状态信息。 |) O): mH)OB?+lq 此前无人能真正测量到这个电场,但它对设备的操作至关重要。毕竟只依赖于模拟方案,其可信度是相当一般的,除非你可以实现精准的测量。 y`rL=N# V{0%xz #
[attachment=107937] RK-x?ZYH' 晶圆 A/B 上的器件仿真结果 "J& (:(: 为了使这些新材料具有良好的性能、并用于打造持久耐用的电子设备,研究人员需要努力找到最佳的设计方案。换言之,电子器件中的电场,不该超过会导致其退化或故障的临界值。 L?HF'5o `NQ{)N0! 为此,专家们纷纷将目光瞄向了氮化镓等新兴材料、而不是传统硅基半导体方案。其允许在更高的频率和电压下运行,从而减少能量损失、并催生新兴的电路应用。 bo1I&I |