研究团队发现精确测量半导体器件内电场的突破性方法
布里斯托大学的一支研究团队,刚刚发现了一种能够实现更快的通信系统、并且让电子设备更加节能的新方法。据悉,这项研究的重点,在于突破性地通过远程方式,测得了半导体器件内部的电场。以常见的硅基半导体材料为例,其特点是能够控制电子设备的电流,此外还有氮化镓(GaN)等新型半导体方案。 s/"?P/R ;F:~HrxT}
[attachment=107934] keYvscRBI 半导体器件中的量化电场,上图展示了氮化镓晶体管沟道中的电场分布,激光束则凸显了这项技术的二次谐波生成(SHG)特性。(图自:Yuke Cao) jbU=D:| 在 2021 年 6 月 21 日发表于《自然电子学》(Nature Electronics)上的新论文中,科学家们概述了他们是如何精确量化该电场的,意味着能够开发出具有更快潜力的下一代功率与射频电子器件,同时让它变得更加可靠和节能。 =/b WS,= ic4mD:-up 传统半导体器件的研发设计,可以通过反复试验来进行。但目前更常见的,还是基于器件的模拟,然后为实际应用的半导体器件制造提供理论等方面的基础。 s^n}m#T 0;bi*2U 不过在涉及新兴的半导体材料时,研究人员通常也难以估量这些模拟实际上有多准确。 ?tJyQT 8.'[>VzBL
[attachment=107935] 4CT _MAj 氮化镓 HEMT 上的 EFISHG 实验示意与器件信息 )O~V3a 布里斯托尔大学物理学院的 Martin Kuball 教授表示:“半导体可用于传导正负电荷,并被设计成能够调节和操纵电流。然而相关理论并不仅限于硅基半导体,比如此前常用于蓝光 LED 的氮化镓”。 )t-Jc+*A> Q0\tK=Z/ 以能够将交流电转换成直流电的开关型电源适配器为例,其一大短板就是会产生废热损失。想想那些体型大如砖头的笔记本电脑电源适配器,如果我们能够提升其转换效率并减少废热,即可达成节约能源的目的。 dD Zds
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[attachment=107936] dcGs0b 氮化镓 HEMT 器件中的电场分布 APC,p," 研究人员指出,当向电子设备施加电压时,另一端就可输出电流。而电子设备内部形成的电场,就决定了设备的工作方式、运行时间、以及状态信息。 E(;V.=I Z?#_3h$"T 此前无人能真正测量到这个电场,但它对设备的操作至关重要。毕竟只依赖于模拟方案,其可信度是相当一般的,除非你可以实现精准的测量。 EMV<PshW= r[TTG0|
[attachment=107937] Q--VZqn 晶圆 A/B 上的器件仿真结果 o?Wp[{K 为了使这些新材料具有良好的性能、并用于打造持久耐用的电子设备,研究人员需要努力找到最佳的设计方案。换言之,电子器件中的电场,不该超过会导致其退化或故障的临界值。 &3nbmkM D]s8w 为此,专家们纷纷将目光瞄向了氮化镓等新兴材料、而不是传统硅基半导体方案。其允许在更高的频率和电压下运行,从而减少能量损失、并催生新兴的电路应用。 k[6xuyY] 6^oQ8unmS
[attachment=107938] ;0R>D g 面内电场(模拟信道)在横向空间的分辨率 eoC@b/F4 布里斯托大学研究团队新发表的这篇新文章,就着重介绍了《亚微米分辨率下的宽带隙半导体器件的电场映射》。相关突破得益于一种新型光学工具,它能够用于直接测量这些新装置中的电场。 1ud+~y$K :UyNa0$l:" 此举为将来高效能电力电子应用提供了有力的支撑,从而推动向国家电网、电动汽车、高铁、航空器等供电的太阳能或风力涡轮机的进一步发展。 0M'[|cid| huu v`$~y
[attachment=107939] i09w(k? 用于 EFISHG 测量的光学装置示意图 ~_z"So'|F_ Martin Kuball 教授指出,这些设备能够在更高的电压下运行,意味着其中的电场更高、也更容易出现故障。
fn1G^a= y~w -z4 而他们新开发的技术,能够更加量化地测量设备内的电场,从而提供准确校准的模拟数据,进而推动电子设备的设计发展,使之不因电场超过临界限制而发生故障。 "K"]/3`k- /lC&'h T 如果一切顺利,这项技术有望让超宽带隙设备技术成为现实,从而节省全球超过 10% 的能源。
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