摘要:极紫外光刻(EUVL)是半导体工业实现32~16nm技术节点的候选技术,而极紫外曝光光学系统是EUVL的核心部件,它主要由照明系统和微缩投影物镜组成。本文介绍了国内外现有的EUVL实验样机及其系统参数特性;总结了EUVL光学系统设计原则,分别综述了EUVL投影光学系统和照明光学系统的设计要求;描述了EUVL投影曝光系统及照明系统的设计方法;重点讨论了适用于22nm节点的EUVL非球面六镜投影光学系统,指出了改善EUVL照明均匀性的方法。 7F.>M a Se.]_ 关键词:极紫外光刻;投影光学系统;照明光学系统;光学设计
zszp
2020-12-06 14:57
感兴趣 顶顶顶
zszp
2020-12-06 14:59
zszp:感兴趣 顶顶顶 (2020-12-06 14:57) H+_oK
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213D{#2 楼主 RAR 文件下载下来无法打开
天蓝色3230
2020-12-06 20:01
谢谢分享。
天蓝色3230
2020-12-06 20:02
zszp:楼主 RAR 文件下载下来无法打开 (2020-12-06 14:59) F"B! r -J