首页 -> 登录 -> 注册 -> 回复主题 -> 发表主题
光行天下 -> 光电资讯及信息发布 -> 芯片失效分析方法步骤 [点此返回论坛查看本帖完整版本] [打印本页]

探针台 2020-09-22 15:30

芯片失效分析方法步骤

芯片失效分析检测方法汇总 :7LA/j  
失效分析 赵工 Ua \f]y  
  C-SAM(超声波扫描显微镜),无损检测:sonix zp8x/,gwF  
1.材料内部的晶格结构,杂质颗粒.夹杂物.沉淀物.2. 内部裂纹. 3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙等. Zy7kPL;b  
  X-Ray无损检测:德国依科视朗 GwF8ze+cH  
服务介绍:X-Ray是利用阴极射线管产生高能量电子与金属靶撞击,在撞击过程中,因电子突然减速,其损失的动能会以X-Ray形式放出。而对于样品无法以外观方式观测的位置,利用X-Ray穿透不同密度物质后其光强度的变化,产生的对比效果可形成影像,即可显示出待测物的内部结构,进而可在不破坏待测物的情况下观察待测物内部有问题的区域。 4k^P1  
S~:uOm2t\  
服务范围:产品研发,样品试制,失效分析,过程监控和大批量产品观测 Ew0)MZ.#  
L~PiDQr?r  
服务内容:1.观测DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封装的半导体、电阻、电容等电子元器件以及小型PCB印刷电路板 Ph P)|P  
          2.观测器件内部芯片大小、数量、叠die、绑线情况 :N<Qk  
          3.观测芯片crack、点胶不均、断线、搭线、内部气泡等封装缺陷,以及焊锡球冷焊、虚焊等焊接缺陷 )] q Qgc&  
    显微镜分析OM 无损检测:蔡司 2?7ID~\  
金相显微镜OM Fb1<Ic#  
服务介绍:可用来进行器件外观及失效部位的表面形状,尺寸,结构,缺陷等观察。金相显微镜系统是将传统的光学显微镜与计算机(数码相机)通过光电转换有机的结合在一起,不仅可以在目镜上作显微观察,还能在计算机(数码相机)显示屏幕上观察实时动态图像,电脑型金相显微镜并能将所需要的图片进行编辑、保存和打印。 *~P| ? D'  
8F>9CO:&N  
服务范围:可供研究单位、冶金、机械制造工厂以及高等工业院校进行金 -KC@M  
属学与热处理、金属物理学、炼钢与铸造过程等金相试验研究之用 NTq_"`JjZ  
服务内容:1.样品外观、形貌检测   Nsh/  
          2.制备样片的金相显微分析 WwsNAJ  
          3.各种缺陷的查找 ^&&Wv'7XQ  
ykbfK$j z  
体视显微镜OM 无损检测:蔡司 kkZ}&OXS;  
服务介绍:体视显微镜,亦称实体显微镜或解剖镜。是一种具有正像立体感的目视仪器,从不同角度观察物体,使双眼引起立体感觉的双目显微镜。对观察体无需加工制作,直接放入镜头下配合照明即可观察,成像是直立的,便于操作和解剖。视场直径大,但观察物要求放 <VD7(j]'^  
大倍率在200倍以下。 TXM/+sd  
C _he=SV  
服务范围:电子精密部件装配检修,纺织业的品质控制、文物 、邮票的 =b*GV6b  
辅助鉴别及各种物质表面观察 rrfJs  
1y:fH4V  
服务内容:1.样品外观、形貌检测   "Q+wO+}6  
          2.制备样片的观察分析 ZB1%Kn#zo4  
          3.封装开帽后的检查分析 Vq0X:<9  
          4.晶体管点焊、检查 ZhCd**  
I/V Curve advanced smart-1 ffk >IOH  
服务介绍:验证及量测半导体电子组件的电性、参数及特性。比如电压-电流。集成电路失效分析流程中,I/V Curve的量测往往是非破坏分析的第二步(外观检查排在第一步),可见Curve量测的重要性。 j_,/U^Ws|f  
lfb+)s  
服务范围:封装测试厂,SMT领域等 G.O;[(3ab  
服务内容:1.Open/Short Test   4I&(>9 @z<  
          2.I/V Curve Analysis l@SV!keQ  
          3.Idd Measuring O1jiD_Y!9  
          4.Powered Leakage(漏电)Test (7<G1$:z=  
&iu]M=Y b  
SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪 '2Zs15)V  
(材料结构分析/缺陷观察,元素组成常规微区分析,精确测量元器件尺寸) .BxQF  
扫描电镜(SEM) ~6t<`&f  
服务介绍:SEM/EDX(形貌观测、成分分析)扫描电镜(SEM)可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。EDX是借助于分析试样发出的元素特征X射线波长和强度实现的,根据不同元素特征X射线波长的不同来测定试样所含的元素。通过对比不同元素谱线的强度可以测定试样中元素的含量。通常EDX结合电子显微镜(SEM)使用,可以对样品进行微区成分分析。 >|RoLV  
H.iCYD_=  
服务范围:军工,航天,半导体,先进材料等  g4q{ ]  
;Egl8Vhr  
服务内容:1.材料表面形貌分析,微区形貌观察   dpE^BWv3  
          2.材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 ~Qif-|[V  
          3.薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 `vzMuL;  
          4.纳米尺寸量测及标示 Pi1LOCq  
          5.微区成分定性及定量分析 bn|HvLQ"1  
M*n94L=Sg&  
EMMI微光显微镜 ADVANCED P-100 eXsp0!v  
常用漏电流路径分析手段,寻找发热点, vG6*[c8  
微光显微镜(Emission Microscope, EMMI) H ABUf^~-  
服务介绍:对于故障分析而言,微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是一种相当有用且效率极高的分析工具。主要侦测IC内部所放出光子。在IC元件中,EHP(Electron Hole Pairs)Recombination会放出光子(Photon)。如在P-N结加偏压,此时N阱的电子很容易扩散到P阱,而P的空穴也容易扩散至N,然后与P端的空穴(或N端的电子)做EHP Recombination。 fX:q ]  
T]Q4=xsv  
服务范围:故障点定位、寻找近红外波段发光点 =#4>c8MM  
服务内容:1.P-N接面漏电;P-N接面崩溃 aC' 6  
          2.饱和区晶体管的热电子 eK(k;$4\^Y  
          3.氧化层漏电流产生的光子激发 l #C<bDw  
          4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题 PUD8  
\kV|S=~@  
Probe Station 探针台测试 advanced pw-800 ]O:u9If  
服务介绍:探针台主要应用于半导体行业、光电行业。针对集成电路以及封装的测试。 广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发,旨在确保质量及可靠性,并缩减研发时间和器件制造工艺的成本。 2sgp$r  
^& *;]S`  
服务范围:8寸以内Wafer,IC测试,IC设计等 fz VN;h  
9Bpb?  
FIB 线路修改,FEI Scios 2 DualBeam dm"x?[2:  
切线连线,切点观测,TEM制样,精密厚度测量等 :''Swi<H  
聚焦离子束,Focused Ion beam HZ!<dy3  
服务介绍:FIB(聚焦离子束,Focused Ion beam)是将液态金属离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像,此功能与SEM(扫描电子显微镜)相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工。 Qt\:A!'jw  
服务范围:工业和理论材料研究,半导体,数据存储,自然资源等领域 ^GYVRD  
服务内容:1.芯片电路修改和布局验证               4`o0?_.'  
          2.Cross-Section截面分析                 <i ]-.>&J  
          3.Probing Pad                                 1Hhr6T^)  
      4.定点切割     )(.g~Q:  
  ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试(有些客户是在芯片流入客户端之前就进行这两项可靠度测试,有些客户是失效发生后才想到要筛取良片送验)这些已经提到了多数常用手段。失效分析前还有一些必要的样品处理过程。 L Y4bn)Qf  
取die 用酸法去掉塑封体,漏出die M`Wk@t6>  
decap(开封,开帽)advanced pst-2000 qp*~  |  
芯片开封机DECAP主要用于芯片开封验证SAM,XRAY的结果。 yYe>a^r4R  
服务介绍:Decap即开封,也称开盖,开帽,指给完整封装的IC做局部腐蚀,使得IC可以暴露出来,同时保持芯片功能的完整无损,保持 die,bond pads,bond wires乃至lead-frame不受损伤,为下一步芯片失效分析实验做准备,方便观察或做其他测试(如FIB,EMMI), Decap后功能正常。 7Q'u>o  
mHW%^R=  
服务范围:芯片开封,环氧树脂去除,IGBT硅胶去除,样品剪薄 E0HE@pqr  
服务内容:1.IC开封(正面/背面) QFP, QFN, SOT,TO, DIP,BGA,COB等 /Dc54U n  
          2.样品减薄(陶瓷,金属除外) 3rZPVR$))  
          3.激光打标 r9 1i :  
3NZK$d=4  
化学开封Acid Decap Zw4%L?   
服务介绍:Acid Decap,又叫化学开封,是用化学的方法,即浓硫酸及发烟硝酸将塑封料去除的设备。通过用酸腐蚀芯片表面覆盖的塑料能够暴露出任何一种塑料IC封装内的芯片。去除塑料的过程又快又安全,并且产生干净无腐蚀的芯片表面。 #D(=[F  
服务范围:常规塑封器件的开帽分析包括铜线开封 $L|+Z>x  
服务内容:1.芯片开封(正面/背面)   ;D-k\kv  
2. IC蚀刻,塑封体去除 ~#so4<A`3  
    切割制样: B k\K G  
服务介绍:可以预置程序定位切割不同尺寸的各种材料,可以高速自动切割材料,提高样品生产量。其微处理系统可以根据材料的材质、厚度等调整步进电动机的切割距离、力度、样品输入比率和自动进刀比率。服务范围:各种材料,各种厚度式样切割 8?'=Aeo  
#68$'Rl"o1  
服务内容:1.通过样品冷埋注塑获得样品的标准切面   5i{J0/'Xu)  
          2.小型样品的精密切割 Ed;!A(64r  
研磨RIE <o|k'Y(-  
服务介绍:RIE是干蚀刻的一种,这种蚀刻的原理是,当在平板电极之间施加10~100MHZ的高频电压(RF,radio frequency)时会产生数百微米厚的离子层(ion sheath),在其中放入试样,离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻,此即为RIE(Reactive Ion Etching)。 E*tT^x)  
   1)~9Eku6K  
服务范围:半导体,材料化学等       s/>0gu]A8  
                                                                               ; %AgKgV  
服务内容:1.用于对使用氟基化学的材料进行各向同性和各向异性蚀刻,其中包括碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、光阻剂、聚酰亚胺、石英、硅、氧化物、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨钛以及钨器件表面图形的刻蚀 c;t3I},  
自动研磨机 RxV " ,  
服务介绍:适用于高精微(光镜,SEM,TEM,AFM,ETC)样品的半自动准备加工研磨抛光,模块化制备研磨,平行抛光,精确角抛光,定址抛光或几种方式结合抛光。 zmuR n4Nv  
1S+T:n  
服务范围:主要应用于半导体元器件失效分析,IC反向 8eh3K8tL#  
N5#j}tT  
服务内容:1.断面精细研磨及抛光   ^I6Vz?0Jl  
          2.芯片工艺分析 o9M r7  
          3.失效点的查找               ,0nrSJED  
服务介绍:可以预置程序定位切割不同尺寸的各种材料,可以高速自动切割材料,提高样品生产量。其微处理系统可以根据材料的材质、厚度等调整步进电动机的切割距离、力度、样品输入比率和自动进刀比率。 Xfb-< Q0A  
JX>`N5s  
服务范围:各种材料,各种厚度式样切割 x}` )'a[  
N48X[Q*  
服务内容:1.通过样品冷埋注塑获得样品的标准切面   Y)(w&E>1  
          2.小型样品的精密切割 BlT)hG(M>  
G:|]w,^i  
去金球 De-gold bump,去层,染色等,有些也需要相应的仪器机台,SEM可以查看die表面,SAM以及X-Ray观察封装内部情况以及分层失效。 gd%Ho8,T  
除了常用手段之外还有其他一些失效分析手段,原子力显微镜AFM ,二次离子质谱 SIMS,飞行时间质谱TOF - SIMS ,透射电镜TEM , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, X 光电子能谱XPS ,L-I-V测试系统,能量损失 X 光微区分析系统等很多手段,不过这些项目不是很常用。 RMs8aZCa  
d}?KPJ{  
芯片失效分析步骤: - ?  i  
    1、非破坏性分析:主要是超声波扫描显微镜(C-SAM)--看有没delamination,xray--看内部结构,等等; nemC-4}  
2 、电测:主要工具,万用表,示波器,sony tek370a +>Y]1IlI  
    3 、破坏性分析:机械decap,化学 decap芯片开封机 ?caHS2%?ae  
半导体器件芯片失效分析 芯片內部分析,孔洞气泡失效分析
查看本帖完整版本: [-- 芯片失效分析方法步骤 --] [-- top --]

Copyright © 2005-2025 光行天下 蜀ICP备06003254号-1 网站统计