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2020-07-17 09:28 |
芯片封装类型大全整理
_Z2VS"yH 芯片封装类型整理大全 hcM 0?= 1、BGA(ball grid array I:='LH, #XNe4# 球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以 代替引脚,在印刷基板的正面装配 LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也 称为凸 点陈列载体(PAC)。引脚可超过 200,是多引脚 LSI 用的一种封装。 封装本体也可做得比 QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为 1.5mm 的 360 引脚 BGA 仅为 31mm 见方;而引脚中心距为 0.5mm 的 304 引脚 QFP 为 40mm 见方。而且 BGA 不 用担心 QFP 那样的引脚变形问题。 该封装是美国 Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。zui初,BGA 的引脚(凸点)中心距为 1.5mm,引脚数为 225。现在 也有 一些 LSI 厂家正在开发 500 引脚的 BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为 , 由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。 美国 Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为 OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见 OMPAC 和 GPAC)。 .XS rLb? BYwG\2?~ 2、BQFP(quad flat package with bumper) 8qt|2% $] w&`F- 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以 防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和 ASIC 等电路中 采用 此封装。引脚中心距 0.635mm,引脚数从 84 到 196 左右(见 QFP)。 <y~`J`- e8P
|eK 3、碰焊 PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型 PGA)。 !sfUrUu tpA7"JD 4、C-(ceramic) )|\72Z~eq 3/4xP| 表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP 表示的是陶瓷 DIP。是在实际中经常使用的记号。 X%39cXM C (\M&/X~q 5、Cerdip >WG$!o +R |1;0q<Ka 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于 ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的 Cerdip 用于紫外线擦除型 EPROM 以及内部带有 EPROM 的微机电路等。引脚中 心 距 2.54mm,引脚数从 8 到 42。在日本,此封装表示为 DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。 O8n\>p kI 1\_4# @') 6、Cerquad i7*4hYY m<r.sq&; 表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷 QFP,用于封装 DSP 等的逻辑 LSI 电路。带有窗 口的 Cerquad 用于封装 EPROM 电路。散热性比塑料 QFP 好,在自然空冷条件下可容许 1. 5~ 2W 的功率。但封装成本比塑料 QFP 高 3~5 倍。引脚中心距有 1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从 32 到 368。 kg+"Ta[9
aS:17+! 7、CLCC(ceramic leaded chip carrier) >.~^( c_&iGQ 带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型 EPROM 以及带有 EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ-G(见 QFJ)。 8(&C0_yD O!uX:TE|Q 8、COB(chip on board) T4._S:~ K*p^Gs, 板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与 基 板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用 树脂覆 盖以确保可靠性。虽然 COB 是zui简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如 TAB 和 倒片 焊技术。 a\^DthZ!;| tNfku 9、DFP(dual flat package) HL*jRl _ ?=bW 双侧引脚扁平封装。是 SOP 的别称(见 SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。 1+Ja4`o,iS Y~bp:FkS
10、DIC(dual in-line ceramic package) ^yjc"r%B Ewu 7tq Z 陶瓷 DIP(含玻璃密封)的别称(见 DIP) x@ (91f >.QD:_@: 11、DIL(dual in-line) Ca]vK'( +-`Q}~s+ 12、DIP 的别称(见 DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。 t$rWE|+_z L 'H1\'
o DIP(dual in-line package) ~ia#=|1} <86upS6 双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是zui普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑 IC,存贮器 LSI,微机电路等。 引脚中心距2.54mm,引脚数从 6 到 64。封装宽度通常为 15.2mm。有的把宽度为 7.52mm 和 10.16mm 的封装分别称为 skinny DIP 和 slim DIP(窄体型 DIP)。但多数情况下并不加 区分, 只简单地统称为 DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷 DIP 也称为 cerdip(见 cerdip)。 0M-Zp[w\- x~A""*B~ 13、DSO(dual small out-lint) )T
3y ,* \MX>= 双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见 SOP)。部分半导体厂家采用此名称。 ^MDBJ0
I. ogDyrY}]
14、DICP(dual tape carrier package) ($[pCdY _9""3O 双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于 利 用的是 TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动 LSI,但多数为 定制品。 另外,0.5mm 厚的存储器 LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照 EIAJ(日本电子机 械工 业)会标准规定,将 DICP 命名为 DTP。 y}nM'$p Kl\A&O*{ 15、DIP(dual tape carrier package) 6^}GXfJAc 4s.wQ2m 同上。日本电子机械工业会标准对 DTCP 的命名(见 DTCP) Xy=|qu `N
;!=7y7Y 16、FP(flat package) yz,ak+wp (\,mA-%E 扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或 SOP(见 QFP 和 SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。 4?1Ac7bE 23&;28)8 17、flip-chip *+lnAxRa? XOVZ'V 倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在 LSI 芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸 点 与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有 封装技 术中体积zui小、zui薄的一种。 但如果基板的热膨胀系数与 LSI 芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可 靠 性。因此必须用树脂来加固 LSI 芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
UYGl B5P++aQ 18、FQFP(fine pitch quad flat package) ~\Fde^1 |]Pigi7y- 小引脚中心距 QFP。通常指引脚中心距小于 0.65mm 的 QFP(见 QFP)。部分导导体厂家采 用此名称。 U/wY;7{)# )6^b\` 19、CPAC(globe top pad array carrier) p"JITH:G |4x&f!%m 美国 Motorola 公司对 BGA 的别称(见 BGA)。 3zMmpeq qS+'#Sn 20、CQFP(quad fiat package with guard ring) FxD\F rXo,\zI;u^ 带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料 QFP 之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变 形。 在把 LSI 组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。 这种封装 在美国 Motorola 公司已批量生产。引脚中心距 0.5mm,引脚数zui多为 208 左右。 "f3, w N{L ]H_= 芯片失效分析实验室介绍,能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作,开展从底层芯片到实际产品,从物理到逻辑全面的检测工作,提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务,同时可开展模拟重现智能产品失效的现象,找出失效原因的失效分析检测服务,主要包括点针工作站(Probe Station)、反应离子刻蚀(RIE)、微漏电侦测系统(EMMI)、X-Ray检测,缺陷切割观察系统(FIB系统)等 : :e=6i _nOio ? VBBqoyP
h mJ !}!~: XZJ }nXy 21、H-(with heat sink) 3eFD[c%mN
> ")%4@ 表示带散热器的标记。例如,HSOP 表示带散热器的 SOP。 nU||Jg jQ1~B1( 22、pin grid array(surface mount type) 7Ja^d-F7 O/iew3YF 表面贴装型 PGA。通常 PGA 为插装型封装,引脚长约 3.4mm。表面贴装型 PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚,其长度从 1.5mm 到 2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而 也称 为碰焊 PGA。因为引脚中心距只有 1.27mm,比插装型 PGA 小一半,所以封装本体可制作得 不 怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑 LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。 L'z;*N3D HOtays,#<} 23、JLCC(J-leaded chip carrier) ^5QSV\X 4,wdIdSm4 J形引脚芯片载体。指带窗口 CLCC 和带窗口的陶瓷 QFJ 的别称(见 CLCC 和 QFJ)。部分半 导体厂家采用的名称。 ^V_vpr]}P W~Eq_J?I 24、LCC(Leadless chip carrier) rQ@,Y" fb&K.6" 无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是 高 速和高频 IC 用封装,也称为陶瓷 QFN 或 QFN-C(见 QFN)。 _H<ur?G W5EB+b49KM 25、LGA(land grid array) V92e#AR T->O5t c 触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现 已 实用的有 227 触点(1.27mm 中心距)和 447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷 LGA,应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与 QFP 相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻 抗 小,对于高速 LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用 。预计 今后对其需求会有所增加。 !> \Vr(P> 26、LOC(lead on chip) I]jVnQ>& F#O.i, 芯片上引线封装。LSI 封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片 的 中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达 1mm 左右宽度。 71w kc1 *@<L6 27、LQFP(low profile quad flat package) !N?|[n1 {6a";Xj\e 薄型 QFP。指封装本体厚度为 1.4mm 的 QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新 QFP 外形规格所用的名称。 \ bd?
`." SN\;&(?G 28、L-QUAD X;6&:%ZL@^ {SCwi;m 陶瓷 QFP 之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高 7~8 倍,具有较好的散热性。 封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑 LSI 开发的一种 封装, 在自然空冷条件下可容许 W3 的功率。现已开发出了 208 引脚(0.5mm 中心距)和 160 引脚 (0.65mm 中心距)的 LSI 逻辑用封装,并于 1993 年 10 月开始投入批量生产。 JG0TbM1(Bt "((6)U# 29、MCM(multi-chip module) D.)R8X ~^KemwogPN 多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可 分 为 MCM-L,MCM-C 和 MCM-D 三大类。 MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低 。 MCM-C 是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合 IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于 MCM-L。 : ,LX3, L`yS' MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或 Si、Al 作为基板的组 件。 布线密谋在三种组件中是zui高的,但成本也高。 qwiM.b5 ~,m6g&>R 30、MFP(mini flat package) _ N.ZpKVu V:2|l!l* 小形扁平封装。塑料 SOP 或 SSOP 的别称(见 SOP 和 SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。 6*tI~ y~]>J^ 31、MQFP(metric quad flat package) !H~G_?Mf\O $NT{ssh 按照 JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对 QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为 3.8mm~2.0mm 的标准 QFP(见 QFP)。 j""u:l^+x rP^2MH" 32、MQUAD(metal quad) ceyZ4M bUU_NqUf*3 美国 Olin 公司开发的一种 QFP 封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空 冷 条件下可容许 2.5W~2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于 1993 年获得特许开始生产 。 N=)N
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