| 探针台 |
2020-07-02 13:47 |
FIB技术聚焦离子束显微镜
聚焦离子束显微镜FIB技术 J#7 (]!;F
FIB是利用金属镓(Ga, 原子序31)作为离子源。利用加在Extractor的负电场将镓原子由针尖端牵引出，形成镓离子束。离子束透过电透镜聚焦，经过一连串变化孔径 (Automatic Variable Aperture, AVA)可决定离子束的大小。最后离子束再经过第二次聚焦至试片表面。因为镓原子位于周期表中间的位置，使用它来撞击其它元素原子所造成的移除效果远远大于电子。因此，可以利用离子束对试片表面进行特定图案的加工。一般SB-FIB可以提供材料切割、沉积金属、蚀刻金属和选择性蚀刻氧化层等功能，达到电路修补的需求。藉由气体辅助蚀刻系统的帮助，不但可以提高不同材料的蚀刻选择比与蚀刻速率，并可直接进行特定材料的沉积。目前SB-FIB机台的辅助蚀刻气体可应用于提高聚合物、金属(Al & Cu)与氧化物的蚀刻率。而辅助沉积气体的种类则有铂 (Pt)，钨 (W) 与氧化矽 (TEOS)。北京SB-FIB如果结合场发射式电子显微镜(即Dual Beam FIB, DB-FIB)即可进行即时横截面观测。 b]`^KTYK
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