| 探针台 |
2020-05-13 16:44 |
漏电定位技术微光显微镜EMMI
W>s'4C`
漏电定位技术微光显微镜EMMI 4 _%FSW8-
对于失效分析而言，微光显微镜是一种相当有用，且效率极高的分析工具，主要侦测IC内部所放出光子。在IC原件中，EHP Recombination会放出光子，例如：在PN Junction加偏压，此时N的电子很容易扩散到P， 而P的空穴也容易扩散至N，然后与P端的空穴做EHP Recombination。 Z{
Zox[/
^X;Xti
[attachment=100552] 'B5J.Xe:
侦测到亮点之情况 aF{i
A\
]XG n2U\
会产生亮点的缺陷：1.漏电结；2.解除毛刺；3.热电子效应；4闩锁效应；5氧化层漏电；6多晶硅须；7衬底损失；8.物理损伤等。侦测不到亮点之情况 不会出现亮点之故障：1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形（埋入式的接面及 大面积金属线底下的漏电位置）；2.欧姆接触；3.金属互联短路；4.表面 反型层；5.硅导电通路等。 WJU NJN
I! 7.fuO
点被遮蔽之情况：埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置，这种情 况可采用Backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及 抛光处理。 $ Xs Q e
7 3z
Y^ x
7oe@bS/Z
测试范围： `O=;E`ep
:ZfUjqRE
故障点定位、寻找近红外波段发光点 cNr][AzU@
SfobzX}~Jh
测试内容： E9d i
6>BDA ?
1.P-N接面漏电；P-N接面崩溃 w52HN;Jm
To8v#.i
2.饱和区晶体管的热电子 D'[P,v;Q
}
o"_ #\6
3.氧化层漏电流产生的光子激发 .(dmuV9
C $RAJ
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题
|
|