| 探针台 |
2020-04-26 15:00 |
FEI Scios 2 DualBeam应用介绍
MhR:c7, 聚焦离子束显微镜FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技术指标 7cTV?nc 一、技术指标 CaL\fZ 1、电子束电流范围:1 pA - 400 nA; D'J0wT# 2、电子束电压:200eV-30 keV,具有减速模式 r7b1- 3、电子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 89o/F+ _b 4、大束流Sidewinder离子镜筒; :.$3vaZ@ 5、离子束加速电压500V-30kV(分辨率:3.0 nm); cUY`97bn 6、离子束束流1.5pA-65nA,15孔光阑。 G&4&-< r]b_@hT', 二、配置情况 P/Q!<I 1、GIS气体注入:Pt沉积 P*I}yPeb 2、ETD SE、T1(筒内低位)、T(高位)探头 jV4\A
3、Nav-camTM:样品室内光学导航相机 =~=*&I4Dp 4、AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自动拼图、NanoBuilder纳米加工软件。 PK0%g$0 ;*:Pw?' 三、适用样品 [[;e)SoA 半导体、金属、陶瓷材料微纳加工及观察分析,成分分析 Kjs.L!W #MRMNL@ 四、检测内容 T3k#VNH 1、IC芯片电路修改 MP!d4 2、Cross-Section 截面分析 aFS,GiB 3、Probing Pad ~])t 6i 4、FIB微纳加工 yF"1#{*y 5、材料鉴定 g7OqX \ 6、EDX成分分析 {\c(ls{ [attachment=100144] >_|O1H./4 五、设备简介 `/EGyN6X FEI Scios 2 DualBeam系统在Scios系统的基础上进行了升级,更加适用于金属、复合材料和涂层,特点是适用磁性样品、借助漂移抑制对不导电的样品可以进行操作、Trinity检测套件可同步检测材料、形态和边缘对比对度,大大提高效率、软件可以实现三维数据立方体分析金属中夹杂物大小和分布、独有的工作流模式,可以设定程序,降低操作员的难度。在超大样品仓中集成了大尺寸的五轴电动样品台,XY轴具有110mm移动范围,Z方向具有85mm升降空间。 .6`9H 1
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