| 探针台 |
2020-04-13 11:53 |
聚焦离子束显微镜FIB/SEM/EDX技术指标
聚焦离子束显微镜FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技术指标 $
/}: P 一、技术指标 04I6-}6 1、电子束电流范围:1 pA - 400 nA; L@)b%Q@a 2、电子束电压:200eV-30 keV,具有减速模式 &&]"Y!r - 3、电子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 8O"x;3I9 4、大束流Sidewinder离子镜筒; ~a|^?7@p 5、离子束加速电压500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 9\AEyaJFZ 6、离子束束流1.5pA-65nA,15孔光阑。 @ChN_gd3! A8_\2'b 二、配置情况 NmH}"ndv+ 1、GIS气体注入:Pt沉积 ZcUh[5:| 2、ETD SE、T1(筒内低位)、T(高位)探头 =XZF.ur 3、Nav-camTM:样品室内光学导航相机
7yMieUF 4、AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自动拼图、NanoBuilder纳米加工软件。 ]&3s6{R WHlD%u 三、适用样品 K[iY{ 半导体、金属、陶瓷材料微纳加工及观察分析,成分分析 g\
8#:@at *6 I =oE 四、检测内容 Ma` 1、IC芯片电路修改 yRgDhA 2、Cross-Section 截面分析 E[SV*1) 3、Probing Pad +Z 93` 4、FIB微纳加工 0C7thl{Dms 5、材料鉴定 W _PM!>8` 6、EDX成分分析 W+#}~2&Dv UPfFT^=y 五、设备简介 qP7&Lt | |