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2020-04-13 10:18 |
芯片失效分析样品准备
]fJ9.Js 失效分析样品准备: 7$Lt5rn"} 失效分析是芯片测试重要环节,无论对于量产样品还是设计环节亦或是客退品,失效分析可以帮助降低成本,缩短周期。 &0SgEUZr 常见的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,FIB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因为失效分析设备昂贵,大部分需求单位配不了或配不齐需要的设备,因此借用外力,使用对外开放的资源,来完成自己的分析也是一种很好的选择。我们选择去外面测试时需要准备的信息有哪些呢?下面为大家整理一下: E=t^I/f)E 一、decap:写清样品尺寸,数量,封装形式,材质,开封要求(若在pcb板上,最好提前拆下,pcb板子面较大有突起,会影响对芯片的保护)后续试验。 `:
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]xP 1.IC开封(正面/背面) QFP, QFN, SOT,TO, DIP,BGA,COB等 Vn?|\3KY 2.样品减薄(陶瓷,金属除外) lKV7IoJ&; 3.激光打标 aMaqlqf 4.芯片开封(正面/背面) !r4B1fX 5.IC蚀刻,塑封体去除 `bW0Va
N 二、X-RAY:写清样品尺寸,数量,材质(密度大的可以看到,密度小的直接穿透),重点观察区域,精度。 rS_pv=0S 1.观测DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封装的半导体、电阻、电容等电子元器件以及小型PCB印刷电路板 3W}qNY;J 2.观测器件内部芯片大小、数量、叠die、绑线情况 ek` 6 Uf 3.观测芯片crack、点胶不均、断线、搭线、内部气泡等封装 m.c2y6<= 缺陷,以及焊锡球冷焊、虚焊等焊接缺陷 1l\.>H\E 三、IV:写清管脚数量,封装形式,加电方式,电压电流限制范围。实验人员需要提前确认搭建适合的分析环境,若样品不适合就不用白跑一趟了。 :b<< 1.Open/Short Test P7*?E* 2.I/V Curve Analysis @^nE^; 3.Idd Measuring ;R^=($ X 4.Powered Leakage(漏电)Test }UqL2KXi4 四、EMMI:写清样品加电方式,电压电流,是否是裸die,是否已经开封,特殊要求等,EMMI是加电测试,可以连接各种源表,确认加电要求,若实验室没有适合的源表,可以自带,避免做无用功。 =m
U</ F) 1.P-N接面漏电;P-N接面崩溃 $"fO/8Ex 2.饱和区晶体管的热电子 Za7!n{?0 3.氧化层漏电流产生的光子激发 ?6 "B4%7b 4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、 T 2Gscey Hot Carriers Effect、ESD等问题 51`*VR]`K 五、FIB:写清样品尺寸,材质,导电性是否良好,若尺寸较大需要事先裁剪。一般样品台1-3cm左右,太大的样品放不进去,也影像定位,导电性好的样品分析较快,导电性不好的,需要辅助措施才能较好的分析。切点观察的,标清切点要求。切线连线写清方案,发定位文件。 XF?"G<2 |j}%"wOh 1.芯片电路修改和布局验证 >z k6{kC 2.Cross-Section截面分析 #|F5Kh" 3.Probing Pad @Op7OFY% 4.定点切割 T*](oA@ 六、SEM:写清样品尺寸,材质,导电性是否良好,若尺寸较大需要事先裁剪。一般样品台1-3cm左右,太大的样品放不进去,也影像定位,导电性好的样品分析较快,导电性不好的,需要辅助措施才能较好的分析。 o(g}eP,g} 1.材料表面形貌分析,微区形貌观察 CW?R7A/ 2.材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 B0,C!??5
3.薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 IQ5'4zQg= 4.纳米尺寸量测及标示 a~F\2`Q 七、EDX:写清样品尺寸,材质,EDX是定性分析,能看到样品的材质和大概比例,适合金属元素分析。 Os1=V 1.微区成分定性分析 QaSRD/,M 八、Probe:写清样品测试环境要求,需要搭配什么源表,使用什么探针,一般有硬针和软针,软针较细,不易对样品造成二次损伤。 Xe@:Aun 1.微小连接点信号引出 `}~NZ 2.失效分析失效确认 y(Tb=: 3.FIB电路修改后电学特性确认 o=
&/;X 4.晶圆可靠性验证 3($tD*!o 九、OM:写清样品情况,对放大倍率要求。OM属于表面观察,看不到内部情况。 AP0z~e 1.样品外观、形貌检测 ^-%O 2.制备样片的金相显微分析 ij02J`w:Ra 3.各种缺陷的查找 PF0AU T 4.晶体管点焊、检查 sNsWz.DLT# 十、RIE:写清样品材质,需要看到的区域。 3Cg0^~?6- 1.用于对使用氟基化学的材料进行各向同性和各向异性蚀刻,其中包括碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、光阻剂、聚酰亚胺、石英、硅、氧化物、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨钛以及钨 ~!"z`& 2.器件表面图形的刻蚀
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