| 探针台 |
2020-04-02 11:43 |
芯片结节漏电定位技术EMMI
_ ;!$1lM[ EMMI(微光显微镜) _?I6[Mz 对于失效分析而言,微光显微镜是一种相当有用,且效率极高的分析工具,主要侦测IC内部所放出光子。在IC原件中,EHP Recombination会放出光子,例如:在PN Junction加偏压,此时N的电子很容易扩散到P, 而P的空穴也容易扩散至N,然后与P端的空穴做EHP Recombination。 ~VKuRli|m
KHTR oXt 芯片结节漏电定位技术EMMI H#+2l?D:" 侦测到亮点之情况 %(X^GL 会产生亮点的缺陷:1.漏电结;2.解除毛刺;3.热电子效应;4闩锁效应; 5氧化层漏电;6多晶硅须;7衬底损失;8.物理损伤等。 侦测不到亮点之情况 不会出现亮点之故障:1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形(埋入式的接面及 大面积金属线底下的漏电位置);2.欧姆接触;3.金属互联短路;4.表面 反型层;5.硅导电通路等。 w;wgh`ur 点被遮蔽之情况:埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置,这种情 况可采用Backside模式,但是只能探测近红外波段的发光,且需要减薄及 抛光处理。 f;`7}7C [attachment=99483] a
!yBEpMo 测试范围: 6N#0D2~^ 故障点定位、寻找近红外波段发光点 4}r.g0L 测试内容: $ dR@Q?_{ 1.P-N接面漏电;P-N接面崩溃 A=f)ntH~ 2.饱和区晶体管的热电子 W}iDT?Qi 3.氧化层漏电流产生的光子激发 _, r6t 4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题
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