| 探针台 |
2020-03-13 14:20 |
emmi
结节漏电定位分析EMMI（微光显微镜） (Dq3e9fX
对于失效分析而言，微光显微镜是一种相当有用，且效率极高的分析工具，主要侦测IC内部所放出光子。在IC原件中，EHP Recombination会放出光子，例如：在PN Junction加偏压，此时N的电子很容易扩散到P， 而P的空穴也容易扩散至N，然后与P端的空穴做EHP Recombination。 rc 9 \
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侦测到亮点之情况 $*L@ y m
会产生亮点的缺陷：1.漏电结；2.解除毛刺；3.热电子效应；4闩锁效应； 5氧化层漏电；6多晶硅须；7衬底损失；8.物理损伤等。 侦测不到亮点之情况 不会出现亮点之故障：1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形（埋入式的接面及 大面积金属线底下的漏电位置）；2.欧姆接触；3.金属互联短路；4.表面 反型层；5.硅导电通路等。 jJ|u!a
点被遮蔽之情况：埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置，这种情 况可采用Backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及 抛光处理。 )bw^!w)
[attachment=98964] w*$nG$
测试范围： ~U ?cL-`n
故障点定位、寻找近红外波段发光点 hY/SR'8
测试内容： 2vu"PeU9
1.P-N接面漏电；P-N接面崩溃 JU/K\S2%,
2.饱和区晶体管的热电子 %Hw POEJ
3.氧化层漏电流产生的光子激发 X2q$i
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题 ^e<0-uM" s
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