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2020-03-09 15:06 |
芯片失效分析方式总结
HFx"fT 芯片失效分析方式总结,因为技术,经验,设备缺乏等原因,我们经常会遇到需要委托第三方实验室测试的情况,那么第三方实验室测试都是怎么进行的?有哪些分析项目呢?下面小编为大家总结,有没说到的地方,欢迎留言补充,小编会及时加上去,希望能帮到大家。 u r.T YKF 2SPFjpG8n 一、聚焦离子束,Focused Ion beam U:4Og8 服务介绍:FIB(聚焦离子束,Focused Ion beam)是将液态金属离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像,此功能与SEM(扫描电子显微镜)相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工。 +$QL0|RL 服务范围:工业和理论材料研究,半导体,数据存储,自然资源等领域 Q%VR@[`\ 服务内容:1.芯片电路修改和布局验证 qddT9U|8~ 2.Cross-Section截面分析 6BN(^y#-X 3.Probing Pad >fj$wOq 4.定点切割 P ~
pbx ;6 qdOD6 7C?mD75j 二、扫描电镜(SEM) :+^$?[6] 服务介绍:SEM/EDX(形貌观测、成分分析)扫描电镜(SEM)可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像。EDX是借助于分析试样发出的元素特征X射线波长和强度实现的,根据不同元素特征X射线波长的不同来测定试样所含的元素。通过对比不同元素谱线的强度可以测定试样中元素的含量。通常EDX结合电子显微镜(SEM)使用,可以对样品进行微区成分分析。 Cbg#Yz~/ D:vUy* 服务范围:军工,航天,半导体,先进材料等 I+d(r"N1 %PdYv _5 服务内容:1.材料表面形貌分析,微区形貌观察 ^RAFmM#F 2.材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 MHyl=5 3.薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 c2mt<DtWW 4.纳米尺寸量测及标示 ^t
ldm7{_ 5.微区成分定性及定量分析 LP-Q'vb<= HWfX>Vf>}k A}Dpw[Q2@8 三、X-Ray N_k6UA9 服务介绍:X-Ray是利用阴极射线管产生高能量电子与金属靶撞击,在撞击过程中,因电子突然减速,其损失的动能会以X-Ray形式放出。而对于样品无法以外观方式观测的位置,利用X-Ray穿透不同密度物质后其光强度的变化,产生的对比效果可形成影像,即可显示出待测物的内部结构,进而可在不破坏待测物的情况下观察待测物内部有问题的区域。 zomNjy* T_%]#M 服务范围:产品研发,样品试制,失效分析,过程监控和大批量产品观测 )$4DH:WN (4f9wrK 服务内容:1.观测DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封装的半导体、电阻、电容等电子元器件以及小型PCB印刷电路板 N&h!14]{Z 2.观测器件内部芯片大小、数量、叠die、绑线情况 M*6@1.n 3.观测芯片crack、点胶不均、断线、搭线、内部气泡等封装缺陷,以及焊锡球冷焊、虚焊等焊接缺陷 >@Vr'kg+V O Lup`~ 6:tr8 X_ 四、RIE b{>dOI*.} 服务介绍:RIE是干蚀刻的一种,这种蚀刻的原理是,当在平板电极之间施加10~100MHZ的高频电压(RF,radio frequency)时会产生数百微米厚的离子层(ion sheath),在其中放入试样,离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻,此即为RIE(Reactive Ion Etching)。 d@f2Vxe7 [IBk-opap 服务范围:半导体,材料化学等 KmOa^vY1.T V@'S#K# 服务内容:1.用于对使用氟基化学的材料进行各向同性和各向异性蚀刻,其中包括碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、光阻剂、聚酰亚胺、石英、硅、氧化物、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨钛以及钨器件表面图形的刻蚀 eniR} Lbp6I0&n ^|;4/=bbs 五、探针台测试 .%Q Ea_\ 服务介绍:探针台主要应用于半导体行业、光电行业。针对集成电路以及封装的测试。 广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发,旨在确保质量及可靠性,并缩减研发时间和器件制造工艺的成本。 SY)$2RC+} []!r|R3 服务范围:8寸以内Wafer,IC测试,IC设计等 Z|S7", 服务内容:1.微小连接点信号引出 }V;]c~Q/H 2.失效分析失效确认 Py]ci`27 3.FIB电路修改后电学特性确认 emPm^M5/K 4.晶圆可靠性验证 Fh$&puF2 R0< | |