| 探针台 |
2020-02-19 14:40 |
FIB测试，FIB检测，FIB试验
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FIB测试，FIB检测，FIB试验， IwnYJp:9v
FIB含义：FIB 是英文 Focused Ion Beam的缩写,依字面翻译为聚焦离子束.简单的说就是将Ga(镓)元素离子化成Ga+, 然后利用电场加速.再利用静电透镜(electrostatic)聚焦,将高能量(高速)的Ga+打到指定的点. 基本原理与SEM类似,仅是所使用的粒子不同( e- vs. Ga +)FIB聚焦离子束是针对样品进行平面、界面进行微观分析。检测流程包括：样品制定、上机分析、拍照等，提供界面相片等数据。 d^_itC;-,
FIB主要用途： L&rO 6
1、电路修正, 用于验证原型,改善bug，节省开支，增快上市时间。 ju r1!rg%
2、纵面的结构分析可直接于样品上处理,不需额外样品准备。 dvxf lLd @
3、材料分析-TEM样品制备,用于定点试片制作,减低定点试片研磨所需人员经验的依赖。 0A@-9w=u
4、电压对比、用于判定Metal(Via/Contact)是否floating。 P)4x
5、Grain(晶粒)形状大小的判定 Jn60i6/
SEM测试，SEM检测。 e ^-3etx
1. SEM测试，SEM检测原理 l`oT:
SEM的工作原理是用一束极细的电子束扫描样品，在样品表面激发出次级电子，次级电子的多少与电子束入射角有关，也就是说与样品的表面结构有关，次级电子由探测体收集，并在那里被闪烁器转变为光信号，再经光电倍增管和放大器转变为电信号来控制荧光屏上电子束的强度，显示出与电子束同步的扫描图像。图像为立体形象，反映了标本的表面结构。 EqYz,%I%
SEM测试，SEM检测 7kOE/>P?
FIB-SEM-聚焦离子束 | zg =+
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化学吸附(H2-TPR；NH3-TPD；CO2-TPD；O2-TPO)：H2-TPR，程序升温还原；NH3-TPD，程序升温吸脱附；CO2-TPD，程序升温吸脱附；O2-TPO，程序升温氧化。 G)4 ZK# wz
BET-比表面及孔径分析仪 '[ @F%
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ICP-MS-电感耦合等离子体质谱 'nC3:U
IC-离子色谱 ^mS.HT=X
TEM-透射电子显微镜 (9Fabo\SH
SEM&EDS-扫描电子显微镜&能谱 n.=e)*
芯片失效分析实验室介绍，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。 EY,;e\7O,
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国家应用软件产品质量监督检验中心 wp A w/-/
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