扫描电镜SEM发展史

扫描电镜SEM发展史
1873 Abbe 和Helmholfz 分别提出解像力与照射光的波长成反比。奠定了显微镜的理论基础。
1897 J.J. Thmson 发现电子
1924 Louis de Broglie (1929 年诺贝尔物理奖得主）提出电子本身具有波动的物理特性，进一步提供电子显微镜的理论基础。
1926 Busch 发现电子可像光线经过玻璃透镜偏折，一般由电磁场的改变而偏折。
1931 德国物理学家Knoll 及Ruska 首先发展出穿透式电子显微镜原型机。
1937 首部商业原型机制造成功（Metropolitan Vickers 牌）。
1938 第一部扫描电子显微镜由Von Ardenne 发展成功。
1938～39 穿透式电子显微镜正式上市（西门子公司，50KV~100KV，解像力20~30Å；）。
1940～41 RCA 公司推出美国第一部穿透式电子显微镜（解像力50 nm）。
1941～63 解像力提升至2~3 Å （穿透式）及100Å （扫描式）
1960 Everhart and Thornley 发明二次电子侦测器。
1965 第一部商用SEM出现（Cambridge)
1966 JEOL 发表第一部商用SEM(JSM-1)
1958年中国科学院组织研制
1959年第一台100KV电子显微镜 1975年第一台扫描电子显微镜DX3 在中国科学院科学仪器厂（现北京中科科仪技术发展有限责任公司）研发成功
1980年中科科仪引进美国技术，开发KYKY1000扫描电镜
芯片失效分析实验室介绍，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。

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