半导体术语含义（二）

51) Densify密化

CVD沈积后由于所沈积的薄膜(Thin Film)的密度很低，故以高温步骤使薄膜中的分子重新结合以提高其密度，此种高温步骤即称为密化。密化通常以炉管在800℃以上的温度完成，但也可在RTP(Rapid Thermal Process) (快速升降温机台)完成。

52) 空乏型Depletion MOS：

操作性质与增强型MOS相反，它的通道不须要任何闸极的加压（Vg）便已存在，而必须在适当的Vg下才消失。

53) Deposition Rate 沉积速率

表示薄膜成长快慢的参数。一般单位Å/min

54)   Depth of Well 井深

  顾名思义即阱的深度。通过离子植入法植入杂质如磷离子或硼离子，然后通过Drive in将离子往下推所达到的深度。

55)   Design Rule设计规范

由于半导体制程技术，系一门专业、精致又复杂的技术，容易受到不同制造设备制程方法( RECIPE )的影响，故在考虑各项产品如何从事制造技术完善、成功地制造出来时，须有一套规范来做有关技术上的规定，此即"Design Rule"，其系依照各种不同产品的需求、规格，制造设备及制程方法、制程能力，各项相关电性参数规格等考虑，订正了如：

Ø 各制程层次、线路之间距离、线宽等的规格。

Ø 各制程层次厚度、深度等的规格。

Ø 各项电性参数等的规格。  

等规格，以供产品设计者及制程技术工程师等人遵循、参考

56) DHF

Dilute HF，一般用来去除native oxide，稀释的HF( Dilute HF) HF：H2O=1:50

57)   Die 晶粒

一片芯片(OR晶圆，即Wafer)上有许多相同的方形小单位，这些小单位即称为晶粒。

    同一芯片上的每个晶粒都是相同的构造，具有相同的功能，每个晶粒经包装后，可制成一颗颗我们日常生活中常见的IC，故每一芯片所能制造出的IC数量是很可观的。同样地，如果因制造的疏忽而产生的缺点，往住就会波及成百成千个产品。

58) Dielectric 介电材料

介于导电材料之间的绝缘材料。我们常用的介电材料有SiO2,Si3N4，我们需要的介电材料要求：1.良好的stepcoverage ，2.低介电常数， 3.高崩溃电压，4.低应力，5.平坦性好。

介电材料的性质

Ø 良好的Step coverage、低介电常数、平坦性。

Ø 理想保护层的性质

Ø 沉积均匀、抗裂能力、低针孔密度、能抵抗水气及碱金属离子的穿透，硬度佳。

Ø 主要介电材质:SiO2  PSG 与 BPSG  Si3N4  

59) Dielectric Constant 介电常数.

介电常数是表征电容性能的一重要参数，越小越好,它与导电性能成反比。

   ￡=Cd/S ,C=￡S/d

60)   Diffusion 扩散

在一杯很纯的水上点一滴红墨水，不久后可发现水表面颜色渐渐淡去，而水面下渐渐染红，但颜色是愈来愈淡，这即是扩散的一例。在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子植入的方式做扩散源(即红墨水)。因固态扩散比液体慢很多(约数亿年)，故以进炉管加高温的方式，使扩散在数小时内完成

61)   Diffusion Coefficient 扩散系数

扩散系数是描述杂质在晶体中扩散快慢的一个参数。这与扩散条件下的温度，压强，浓度成正比。

       D=D0exp(-Ea/KT)

       D0是外插至无限大温度所得的扩散系数(cm2/s)

       Ea是活化能(ev)

       在低浓度时,扩散系数对温度倒数为线性关系,而与浓度无关

62)   Diffusion Furnace 扩散炉

在半导体工业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子植入的方式做扩散源(即红墨水)。因固态扩散比液体慢很多(约数亿年)，故以进炉管加高温的方式，使扩散在数小时内完成。这样的炉管就叫做扩散炉。

63)   Diffusion Pump 扩散式泵

通过加热油，油气蒸发高速喷射出去，带出气体分子，达到抽气的目的。它可以达到10-5Torr.

64)   Dimple

凹痕表面上轻微的下陷或凹陷。

65) DI Water去离子水

IC制造过程中，常需要用酸碱溶液来蚀刻，清洗芯片。这些步骤之后，又须利用水把芯片表面残留的酸碱清除。而且水的用量是相当大。

        然而IC工业用水，并不是一般的自来水，而是自来水或地下水经过一系列的纯化而成。原来自来水或地下水中，含有大量的细菌，金属离子及Particle，经厂务的设备将之杀菌过滤和纯化后，即可把金属离子等杂质去除，所得的水即称为"去离子水"。专供IC制造的用。

66)   Donor 施体

我们将使原本本征的半导体产生多余电子的杂质，称为施体。如掺入p的情况。

67)   Dopant 掺杂

在原本本征的半导体里主动的植入或通过扩散的方法将其它的原子或离子掺入进去，达到改变其电性能的方法。如离子植入。

68)   Dopant Drive in 杂质的赶入

我们离子植入后，一般植入的离子分布达不到我们的要求，我们通过进炉管加高温的方式将离子进行扩散，以达到我们对离子分布的要求，同时对离子植入造成的缺陷进行修复。

69)   Dopant Source掺杂源

我们将通过扩散的方法进行掺杂的物资叫掺杂源，例如将Poly里掺入P的POCl3我们将其叫

掺杂源。

70) Doping掺入杂质

为使组件运作，芯片必须掺以杂质，一般常用的有：

1.预置:    

     在炉管内通以饱和的杂质蒸气，使芯片表面有一高浓度的杂质层，然后以高温使杂质驱入，扩散;或利用沉积时同时进行预置。  

2.离子植入:    

先使杂质游离，然后加速植入芯片。

71)   Dosage 剂量

表示离子数的一个参数。

72) DRAM, SRAM动态，静态随机存取内存

随机存取记忆器可分动态及静态两种，主要的差异在于动态随机存取内存(DRAM)，在一  段时间(一般是0.5ms~5ms）后，数据会消失，故必须在数据未消失前读取原数据再重写(refresh)，此为其最大缺点，此外速度较慢也是其缺点。而DRAM的最大好处为，其每一记忆单元(bit)只需一个Transistor(晶体管）+一个Capacitor(电容器)，故最省面积，而有最高的密度。而SRAM则有不需重写、速度快的优点，但是密度低，其每一记忆单元(bit)有两类:

1. 需要六个Transistor(晶体管）

2. 2﹒四个Transistor(晶体管）+两个Load resistor(负载电阻)。

由于上述它优缺点，DRAM一般皆用在PC(个人计算机)或其它不需高速且记忆容量大的记忆器，而SRAM则用于高速的中大型计算机或其它只需小记忆容量，如：监视器(Monitor)、打印机(Printer)等周控制或工业控制上。

73) Drain 汲极

通过掺杂，使其电性与底材P-Si相反的，我们将其称为汲极与源极。

74) Drive In 驱入

离子植入(ion implantation)虽然能较精确地选择杂质数量，但受限于离子能量，无法将杂质打入芯片较深(um级)的区域，因此需借着原子有从高浓度往低浓度扩散的性质，在相当高的温度去进行，一方面将杂质扩散到较深的区域，且使杂质原子占据硅原子位置，产生所要的电性，另外也可将植入时产生的缺陷消除。此方法称的驱入。此法不再加入半导体杂质总量，只将表面的杂质往半导体内更深入的推进。

      在驱入时，常通入一些氧气﹒因为硅氧化时，会产生一些缺陷，如空洞(Vacancy)，这些缺陷会有助于杂质原子的扩散速度。另外，由于驱入是藉原子的扩散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能从芯片逸出(out-diffusion)，这是需要注意的

75) Dry Oxidation 干式氧化

在通入的气体中只有氧气与载气，只有氧气与底材发生氧化反应。我们将这种氧化叫干式氧化。

        如我们的Gate-OX，这种方法生成的SiO2质量比较好，但生成速度比较慢。

76) Dry pump

Ø Dry pump是最基本的真空pump,它是利用螺杆原理来工作的，它主要的特点是可以从大气压下直接开始抽气，所以可以单独使用。

Ø 一般真空度要求不高（E-3torr以下）如CVD及furnace仅使用dry pump即可

Ø 特点：Fewer moving parts

                      Higher Reliability

                      Less complexity

                      High speed

77) Dummy Wafer 挡片

对制程起一定辅助作用的硅片，区别于产品、控片，一般对其质量要求不是很高。

1）由于炉管的两端温度不稳定，气体的流量不稳定，所以我们在Boat的两端放入不是产品

          的硅片，我们将这样的硅片叫挡片。

       2）离子植入若产品不足，则需补上非产品的硅片，即挡片

78) Electron/Hole电子/电洞

电子是构成原子的带电粒子，带有一单位的负电荷，环绕在原子核四周，形成原子。

电洞是晶体中，在原子核间的共享电子，因受热干扰或杂质原子取代，电子离开原有的位置所遗留下来的"空缺"  因缺少一个电子，无法维持电中性， 可视为带有一单位的正电荷。

79) Electrical Breakdown 电崩溃

当NMOS的沟道缩短，沟道接近汲极地区的载子将倍增，这些因载子倍增所产生的电子，通常吸往汲极，而增加汲极电流的大小，部分电子则足以射入闸氧化层里，而产生的电洞，将流往低材，而产生底材电流；另一部分的电洞则被源极收集，使npn现象加强，热电子的数量增加，足使更多的载子倍增，当超过闸极氧化层的承受能力时，就击穿闸氧化层，我们将这种现象叫电崩溃。

80) Electromigration电子迁移

所谓电子迁移，乃指在电流作用下的金属。此系电子的动量传给带正电的金属离子所造成的。当组件尺寸愈缩小时，相对地电流密度则愈来愈大;当此大电流经过集成电路中的薄金属层时，某些地方的金属离子会堆积起来，而某些地方则有金属空缺情形，如此一来，堆积金属会使邻近的导体短路，而金属空缺则会引起断路。材料搬动主要原动力为晶界扩散。以溅镀法所沉积的Al，经过适当的Anneal之后，通常是以多晶（Poly-Crystalline）形式存在，当导电时，因为电场的影响，Al原子将沿着晶粒界面（Grain-Boundary）移动。

有些方法可增加铝膜导体对电迁移的抗力，例如:加入抗电移能力较强的金属，如Cu

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82) EM（Electron Migration Test）电子迁移可靠度测试

当电流经过金属导线，使金属原子获得能量，沿区块边界(Grain Boundaries)扩散(Diffusion)，使金属线产生空洞(Void)，甚至断裂，形成失效。

83) Energy能量

        能量是物理学的专有名词。  

84) 增强型Enhance MOS：

|Vg|>|Vt|时，处于“开（ON）”的状态，且当|Vg|<|Vt|时，电晶体则在“关（OFF）”的状态。它的通道必须在闸极处于适当的电压下时才会形成。

85) EPI WAFER磊晶芯片

磊晶系在晶体表面成长一层晶体。

86) Epitaxy 磊晶

外延附生：一种矿物的结晶附于另一矿物结晶表面的生长，这样两种矿物的结晶基层就会有同样的构造来源

87) EPROM （Erasable-Programmable ROM）电子可程序只读存储器

     MASK ROM内所存的数据是在FAB内制造过程中便已设定好，制造完后便无法改变。就

像任天堂游戏卡内的MASK ROM，存的是金牌玛丽，就无法变成双截龙。而EPROM是在ROM内加一特殊结构叫A FAMDS，它可使ROM内的数据保存。但常紫外光照到它时，它会使ROM内的数据消失，每一个记忆单位都归零。然后工程人员再依程序的规范，用30伏左右的电压将0101…数据灌入每一记忆单位。如此就可灌电压，照紫光，重复使用，存入不同的数据。

    也就是说如果任天堂游戏卡内使用的是EPROM，那么您打腻了金牌玛丽，就把卡匣照紫光，然后灌双截龙的程序进去。卡匣就变成双截龙卡，不用去交换店交换了。

88) ESD静电破坏 Electrostatic Damage静电放电Electrostatic Discharge

自然界的物质均由原子组成，而原子又由质子、中子及电子组成，在平常状态下，物质呈中性，而在日常活动中，会使物质失去电子，或得到电子﹒此即产生一静电，得到     电子的物质为带负静电，失去电子即带正静电。静电大小会随着日常的工作环境而有所不同，如下表所示。

91) Exposure曝光

          其意表略同于照相机底片的感光

          在基集成电路的制造过程中，定义出精细的光阻图形为其中重要的步骤，以运用最广的5X Stepper为例，其方式为以对紫外线敏感的光阻膜作为类似照相机底片，光罩上则有我们所设计的各种图形，以特殊波长的光线(G-LINE 436NM)照射光罩后，经过缩小镜片(Reduction Lens)光罩上的图形则呈5倍缩小后，精确地定义在底片上(芯片上的光阻膜)

            经过显影后，即可将照到光(正光阻)的光阻显掉，而得到我们想要的各种精细图形，以作为蚀刻或离子植入用。

  因光阻对于某特定波长的光线特别敏感，故在黄光室中，找将一切照明用光源过滤成黄色，以避免泛白光源中含有对光阻有感光能力的波长成份在，这一点各相关人员应特别注意，否则会发生光线污染现象，而扰乱精细的光阻图形。

92) Extraction Electrode 萃取电极

93) Fab 晶圆厂

Fabrication为"装配"或"制造"之意，与Manufacture意思一样。半导体制造程序，其步骤繁多，且制程复杂，需要有非常精密的设备和细心的作业，才能达到无缺点的品质。FAB系Fabrication的缩写，指的是"工厂"之意。我们常称FAB为"晶圆区"，例如：进去"FAB"之前须穿上防尘衣。

94) Faraday Cup 法拉第杯

是离子植入机中在植入前用来测量离子束电流的装置。

95) Field Oxide 场氧化层

Field直译的意思是“场”。如运动场，足球场和武道场等的场都叫做Field。它的涵义就是一个有专门用途的区域。

     在IC内部结构中，有一区域是隔离电场的地方，通常介于两个MOS晶体管之间，称为场区。场区之上大部份会长一层厚的氧化层

          

96) Filament 灯丝

在离子植入机的离子源反应室里用来产生电子以解离气体用。通常采用钨、钽及钼等高温金属。利用直流电的加热，使灯丝表面释放出所谓“热离化电子”。

97) Filtration过滤

        用过滤器（FILTER,为一半透明膜折迭而成）将液体或气体中的杂质给过滤掉，此称为Filtration（过滤）故IC制造业对洁净度的要求是非常的严，故各种使用的液体或气体（包括大气）必须借着过滤以达到洁净的要求。

待过滤的液体及气体能经过过滤器且成功地将杂质挡下，必须借着一个pump制造压差来完成，如何选择一组恰当的过滤器及PUMP是首要的课题。

98) Fixed Oxide Charge 固定氧化层电荷

位于离Si-SiO2接口30Å的氧化层内，通常为正电荷。与氧化条件、退火条件及硅表面方

向有关。

99) Foundry客户委托加工

客户委托加工主要是接受客户委托，生产客户自有权利的产品，也就是客户提供光罩，由联华来生产制造，在将成品出售给客户，只收取代工费用，这种纯粹代工，不涉及销售的方式在国际间较通常的称呼就叫硅代工（Silicon Foundry）。

100) Four Point Probe四点测针

是量测芯片片阻值(Sheet Resistance)Rs的仪器

pJIE@Q|hi  
上图ABCD四针，A、D间通以电流I，B、C两针量取电压差(ΔV)，则  

   Rs = K．ΔV/ I ．

    K是比例常数，和机台及针尖距离有关