二极管参数中文说明

CT---势垒电容 }50s\H._C  
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 I0_>ryA  
Cjv---偏压结电容 =ibKdPtTh^  
Co---零偏压电容 Q6CVMYT  
Cjo---零偏压结电容 MO|8A18B  
Cjo/Cjn---结电容变化 9Wdx"g52_D  
Cs---管壳电容或封装电容 gc W'  
Ct---总电容 [`1@`5SL-  
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 mD,fxm{G  
CTC---电容温度系数  Uf|@h  
Cvn---标称电容 %'Z`425a  
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 ,F=FM>o  
IF（AV）---正向平均电流 t]ID  
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 .nei9Y*  
IH---恒定电流、维持电流。 IG!(q%Gf  
Ii--- 发光二极管起辉电流 ]'0}fuV  
IFRM---正向重复峰值电流 2WB`+oWox  
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） +_
$!9m  
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 N \woFrG  
IF(ov)---正向过载电流 3k:`7E.  
IL---光电流或稳流二极管极限电流 12}!oS~_  
ID---暗电流 w[u>*I  
IB2---单结晶体管中的基极调制电流 (?[%u0%_  
IEM---发射极峰值电流 -E.fo._L5  
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 )J 8mn*  
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 _DYe<f.  
ICM---最大输出平均电流 Bsj^R\  
IFMP---正向脉冲电流 v `;Hd8  
IP---峰点电流 Yd<9Y\W%?  
IV---谷点电流 3E!3kSh|  
IGT---晶闸管控制极触发电流 t* =i8`8  
IGD---晶闸管控制极不触发电流 w$jSlgUHy)  
IGFM---控制极正向峰值电流 tSVS ogGd  
IR（AV）---反向平均电流 4UMOC_  
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 $Q=S`z=  
IRM---反向峰值电流 Y,-!QFS#  
IRR---晶闸管反向重复平均电流 Xj<xen(  
IDR---晶闸管断态平均重复电流 $ou/ Fn  
IRRM---反向重复峰值电流 P6`LUyz3  
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） 2F/oWt|w?  
Irp---反向恢复电流 /Nhc|x6zQ  
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 ~e686L0j  
Izk---稳压管膝点电流 m1RjD$fM
 
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 /lc4oXG8  
IZSM---稳压二极管浪涌电流 |)[&V3+|  
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 %kuUQ%W1  
iF---正向总瞬时电流 AH^ud*3F  
iR---反向总瞬时电流 `6v24?z  
ir---反向恢复电流 cvjZ$Fcc%(  
Iop---工作电流 VwT&A9&{8  
Is---稳流二极管稳定电流 Wp^A.  
f---频率 _:KeSskuO  
n---电容变化指数；电容比 96%N  
Q---优值（品质因素） VL$?vI'  
δvz---稳压管电压漂移 )g
k tI!  
di/dt---通态电流临界上升率 !j9(%,PR  
dv/dt---通态电压临界上升率 N({-&A.N  
PB---承受脉冲烧毁功率 Sd\oL*lN  
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率 A$l  
PFTM---正向峰值耗散功率 yp<)v(8|'  
PFT---正向导通总瞬时耗散功率 ob9=/ R?i  
Pd---耗散功率 >KJE *X@s  
PG---门极平均功率 )IKqO:@  
PGM---门极峰值功率 ;ao <{i?
 
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 J>fq5  
Pi---输入功率 a@!O}f*  
PK---最大开关功率 e+y%
M  
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率 N"zl7.E  
PMP---最大漏过脉冲功率 <,JO  
PMS---最大承受脉冲功率 ?8q4texf[  
Po---输出功率 b\H,+|i
K  
PR---反向浪涌功率 B
+2.:Zn6  
Ptot---总耗散功率 s^/2sjoL  
Pomax---最大输出功率 S
U(J  
Psc---连续输出功率 pAyUQe;X#  
PSM---不重复浪涌功率 8L*#zaSAf  
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 R xc  
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻 -$`q:j  
RBB---双基极晶体管的基极间电阻 Pxgal4{6  
RE---射频电阻 0<nW nD,z  
RL---负载电阻 c&
"1Z/tR  
Rs(rs)----串联电阻 g ~%IA.$c  
Rth----热阻 o}yA{<"  
R(th)ja----结到环境的热阻 a4",BDx  
Rz(ru)---动态电阻 "|/q4JN)7d  
R(th)jc---结到壳的热阻 {T3wOi
  
r δ---衰减电阻 afjEN y1  
r(th)---瞬态电阻 7Kti&T  
Ta---环境温度 LftzW{>gI"  
Tc---壳温 }{.V^;  
td---延迟时间 9 $zx<O  
tf---下降时间 Rj-4K@a8#N  
tfr---正向恢复时间 y4Nam87;/?  
tg---电路换向关断时间 Kp6%
=JjO  
tgt---门极控制极开通时间 %/R[cj8  
Tj---结温 8cj}9}k  
Tjm---最高结温 ZC)m&V1  
ton---开通时间
T )bMHk  
toff---关断时间 U \jFB*U  
tr---上升时间 $Y%,?>AL<  
trr---反向恢复时间 |j4;XaG)  
ts---存储时间 cK'}+  
tstg---温度补偿二极管的贮成温度 'N/u<`)  
a---温度系数
;p:CrFv  
λp---发光峰值波长 N'?#g`*KW  
△ λ---光谱半宽度 }L>0}H  
η---单结晶体管分压比或效率 kuv+TN  
VB---反向峰值击穿电压 4cDe'9 LA  
Vc---整流输入电压 <M\#7.](  
VB2B1---基极间电压 MFqb_q+  
VBE10---发射极与第一基极反向电压 L"( {6H  
VEB---饱和压降 >eX9
dA3X  
VFM---最大正向压降（正向峰值电压） AdRK)L  
VF---正向压降（正向直流电压） :v^OdW  
△VF---正向压降差 I%CrsEo  
VDRM---断态重复峰值电压 8aW<lu  
VGT---门极触发电压 i \@a&tw  
VGD---门极不触发电压 qrcir-+  
VGFM---门极正向峰值电压 D`)K3;h  
VGRM---门极反向峰值电压 P@U2Q%\  
VF（AV）---正向平均电压 n^/)T3mz{  
Vo---交流输入电压 RF'&.RtVa  
VOM---最大输出平均电压 ~FnY'F<35  
Vop---工作电压 c>wne\(5H  
Vn---中心电压 v+'*
.Iv:  
Vp---峰点电压 a!,X@5  
VR---反向工作电压（反向直流电压） ,m5tO  
VRM---反向峰值电压（最高测试电压） RHmT$^=  
V（BR）---击穿电压 n"nfEA3{`  
Vth---阀电压（门限电压） HaQox.v%  
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压） ra^"Vr  
VRWM---反向工作峰值电压 xU |8.,@  
V v---谷点电压 E*QLw*H  
Vz---稳定电压 ME*A6/h  
△Vz---稳压范围电压增量 -6# _t  
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 Eopb##o  
av---电压温度系数

北京芯片半导体实验室：北软检测芯片失效分析实验室，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。

CT---势垒电容 }`]Et99Q5  
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 JG{`tTu  
Cjv---偏压结电容 a&B@F]+  
Co---零偏压电容 t_\&LMD  
Cjo---零偏压结电容 >*$Xbj*  
Cjo/Cjn---结电容变化 XjTu`?Na;  
Cs---管壳电容或封装电容 }w{E<C(M  
Ct---总电容 .L.9e#?3  
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 lF\2a&YRbn  
CTC---电容温度系数 /b410NP5  
Cvn---标称电容 -f"{%<Q  
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 1tlqw  
IF（AV）---正向平均电流 @GF3g=  
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 j k&\{  
IH---恒定电流、维持电流。 br*PB]dU  
Ii--- 发光二极管起辉电流 c,}VC-  
IFRM---正向重复峰值电流 }U|Vpgd!  
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） v(P <_}G  
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 _Zxo<}w}y  
IF(ov)---正向过载电流 TwKi_nh2m  
IL---光电流或稳流二极管极限电流 ,Uy;jk  
ID---暗电流 Us% _'}(/U  
IB2---单结晶体管中的基极调制电流 Op hD_^  
IEM---发射极峰值电流 %I@vMs^  
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 ~iq=J5IN#  
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 #{J+BWP\o  
ICM---最大输出平均电流 K+Pa b ?  
IFMP---正向脉冲电流 =)J<R;  
IP---峰点电流 uYijzHQyD  
IV---谷点电流 ~w}=Oby'y  
IGT---晶闸管控制极触发电流 M*aYcIU((  
IGD---晶闸管控制极不触发电流 w7f)v\p  
IGFM---控制极正向峰值电流 kkXe=f%  
IR（AV）---反向平均电流 {d> 6*b  
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 Ho $+[K  
IRM---反向峰值电流 OXbC\^qo@  
IRR---晶闸管反向重复平均电流 t;_1/mt  
IDR---晶闸管断态平均重复电流 *E-MJCv  
IRRM---反向重复峰值电流 u/FC\xJc  
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） TW=N+ye^1(  
Irp---反向恢复电流 N]&hw&R{Q  
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 Mo4c8wp&SM  
Izk---稳压管膝点电流 7?\r9bD  
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 NWj4U3x  
IZSM---稳压二极管浪涌电流 SBY0L.  
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 y(=0  
iF---正向总瞬时电流 ,_K:DSiB  
iR---反向总瞬时电流 zbfe=J4c  
ir---反向恢复电流 ~w(A3I.  
Iop---工作电流 k7M{+X6[  
Is---稳流二极管稳定电流 ?<^^.Si  
f---频率 P=X)Ktmv  
n---电容变化指数；电容比 m<!CF3g  
Q---优值（品质因素） EF;B)y=  
δvz---稳压管电压漂移 hPUZ{#;n  
di/dt---通态电流临界上升率 jH<,dG:{  
dv/dt---通态电压临界上升率 ,2P/[ :  
PB---承受脉冲烧毁功率 H7f Xg  
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率 ,<[x9 "3\  
PFTM---正向峰值耗散功率 {vur9L  
PFT---正向导通总瞬时耗散功率 ?i}wm`  
Pd---耗散功率 e'
|c59E  
PG---门极平均功率 6mjD@  
PGM---门极峰值功率 b(> G  
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 ^[v>B@p*{  
Pi---输入功率 }MtORqK  
PK---最大开关功率 mFE7#OM  
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率 _,w*Rv5=  
PMP---最大漏过脉冲功率 7r pTk&`  
PMS---最大承受脉冲功率 =.,XJIw&  
Po---输出功率 OOYdrv,  
PR---反向浪涌功率 6L2Wv5C  
Ptot---总耗散功率 1"T&B0G3l  
Pomax---最大输出功率 ?XVox*6K&  
Psc---连续输出功率 UN:cRH{?*  
PSM---不重复浪涌功率 U[:Js@uH_  
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 ZT+{8,  
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻 ~L.5;8a3Pe  
RBB---双基极晶体管的基极间电阻 f?"909&  
RE---射频电阻 h{ eQ\iI  
RL---负载电阻 ""jl  
Rs(rs)----串联电阻  5e2yJ R  
Rth----热阻 P5'VLnE R{  
R(th)ja----结到环境的热阻 M*dou_Q  
Rz(ru)---动态电阻 9W j9=  
R(th)jc---结到壳的热阻 .C1g Dry]  
r δ---衰减电阻 :kXxxS  
r(th)---瞬态电阻 ,f
j~BkW{  
Ta---环境温度 sO)!}#,   
Tc---壳温 YW"nPZNPy~  
td---延迟时间 XOEf,"  
tf---下降时间 vQ[ TcV  
tfr---正向恢复时间 4n%|h-!8  
tg---电路换向关断时间 )F6p+i="  
tgt---门极控制极开通时间 (
dym*_J  
Tj---结温 zZV9`cqZ{  
Tjm---最高结温 XL(2Qk  
ton---开通时间 ZOL#Q+U  
toff---关断时间 ]Yf8  
tr---上升时间 w^S]HzMd  
trr---反向恢复时间 8vUq8[[  
ts---存储时间 &p=(0$0&-  
tstg---温度补偿二极管的贮成温度 @>[3[;  
a---温度系数 s_6Iz^]I  
λp---发光峰值波长 ) 3I|6iS  
△ λ---光谱半宽度 M,SIs 3  
η---单结晶体管分压比或效率  FOqD  
VB---反向峰值击穿电压 dkZ[~hEQG-  
Vc---整流输入电压 t0)hdX  
VB2B1---基极间电压 x8&~  
VBE10---发射极与第一基极反向电压 ^0/!:*?  
VEB---饱和压降 :Z]\2(x  
VFM---最大正向压降（正向峰值电压） Vje LPbk)  
VF---正向压降（正向直流电压） _61tE  
△VF---正向压降差 |tO.@+[uqP  
VDRM---断态重复峰值电压 dV"K
x  
VGT---门极触发电压 --TY[b  
VGD---门极不触发电压 N0fmC*1-  
VGFM---门极正向峰值电压 3 FLht L  
VGRM---门极反向峰值电压 {!"lHM%  
VF（AV）---正向平均电压 Na`vw  
Vo---交流输入电压 "9;Ay@'B  
VOM---最大输出平均电压 $HV`bJ5!L*  
Vop---工作电压 /fxv^C82yv  
Vn---中心电压 r D|Bj(X8  
Vp---峰点电压 \X;)Kt"  
VR---反向工作电压（反向直流电压） ~<=wTns!  
VRM---反向峰值电压（最高测试电压） =`wnng5m  
V（BR）---击穿电压 7[(<t+  
Vth---阀电压（门限电压） {-s7_\|p(  
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压） E\~!E20^  
VRWM---反向工作峰值电压 =z2g}X  
V v---谷点电压 ( z.\,M  
Vz---稳定电压 3yM!BTlX  
△Vz---稳压范围电压增量 $p.0[A(N  
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 \05 n$.  
av---电压温度系数

北京芯片半导体实验室：北软检测芯片失效分析实验室，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。