二极管参数中文说明
b6xz\zCL
v_WF.sb~
二极管参数说明CT---势垒电容 g6+5uvpd
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 );h
Cjv---偏压结电容 Rn`DUYg
Co---零偏压电容 -p%cw0*Y]C
Cjo---零偏压结电容 I2krxLPd
Cjo/Cjn---结电容变化 | #b/E A9
Cs---管壳电容或封装电容 'v@*xF/L6a
Ct---总电容 cltx(C>
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 sy-#Eo#3
CTC---电容温度系数 7{l~\] 6d
Cvn---标称电容 x0%yz+i{:
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 <EdNF&S-
IF（AV）---正向平均电流 _ 2)QL
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 cj^hwtx
IH---恒定电流、维持电流。 k)[c!\a[i
Ii--- 发光二极管起辉电流 6y "]2UgQk
IFRM---正向重复峰值电流 >^IUS8v
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） B~M6l7^?
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 z_=V6MDM
IF(ov)---正向过载电流 g[HuIn/
IL---光电流或稳流二极管极限电流 t BG
9Mn
ID---暗电流 U(Bmffn4Z
IB2---单结晶体管中的基极调制电流 x6$3 KDQm
IEM---发射极峰值电流 bR1Q77<G\
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 Sx (E'?]
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 -% Ce
ICM---最大输出平均电流 eKLE^`2*@
IFMP---正向脉冲电流 gX$gUB) x
IP---峰点电流 $~j9{*]5
IV---谷点电流 N7KG_o%
IGT---晶闸管控制极触发电流 ^.
IGD---晶闸管控制极不触发电流 =q|//*t2
IGFM---控制极正向峰值电流 )=bW\=[8
IR（AV）---反向平均电流 ~w9`l8/0
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 gIIF17|Z
IRM---反向峰值电流 ^t *Ba>A
IRR---晶闸管反向重复平均电流 i) Q
d>(v
IDR---晶闸管断态平均重复电流 ~;YkR'q0_
IRRM---反向重复峰值电流 G1*,~1 i
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） Ed{sC[j=
Irp---反向恢复电流 g$vOWS I +
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 \rO!lvX
Izk---稳压管膝点电流 6#.9T;&
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 ~=t9-AF-
IZSM---稳压二极管浪涌电流 86 !$<!I
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 ]=]MJ3_7
iF---正向总瞬时电流 Z6Z/Y()4Tl
iR---反向总瞬时电流 B2KBJ4rI[1
ir---反向恢复电流 ) :nC%0V
Iop---工作电流 F\ GNLi
Is---稳流二极管稳定电流 H0yM`7[y
f---频率 ^<uQ9p^B
n---电容变化指数；电容比 ba L<|&
c
Q---优值（品质因素） !, rF(pz
δvz---稳压管电压漂移 WS?Y8~+{5
di/dt---通态电流临界上升率 cM4{ e^
dv/dt---通态电压临界上升率 k7L4~W
PB---承受脉冲烧毁功率 ,H<nNBv 3M
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率 c,M"a
PFTM---正向峰值耗散功率 B@*!>R
PFT---正向导通总瞬时耗散功率 hN\sC9a 1
Pd---耗散功率 J8 3C]2~7
PG---门极平均功率 `*`ZgTV
PGM---门极峰值功率 N3a ]!4Y\
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 \ 3%3=:
Pi---输入功率 J!dv"Ww"
PK---最大开关功率 A: (qF.Tm
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率 52,'8`
]
PMP---最大漏过脉冲功率 fY #Y n
PMS---最大承受脉冲功率 lz1cLl
m
Po---输出功率 )q\6pO@
PR---反向浪涌功率 P"t Dq&
Ptot---总耗散功率 AAKc8 {
Pomax---最大输出功率 .3@Pz]\M#>
Psc---连续输出功率 Z! jJ93A"
PSM---不重复浪涌功率 'z)cieFKP
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 ~"4Cz27
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻 ~?)y'?
RBB---双基极晶体管的基极间电阻 ,t9C P
RE---射频电阻 $2blF)uYE
RL---负载电阻 [Ls%nz |
Rs(rs)----串联电阻 8<KC-|y.
Rth----热阻 II[-6\d!
R(th)ja----结到环境的热阻 (v:8p!QN
Rz(ru)---动态电阻 Qw |y%Td8r
R(th)jc---结到壳的热阻 `0w !&
r δ---衰减电阻 0dI7{o;<|
r(th)---瞬态电阻 SJi;_bVf
Ta---环境温度 x&m(h1h
Tc---壳温 Gl 6:2
td---延迟时间 &Fjyi"8(r
tf---下降时间 qg<Y^ y
tfr---正向恢复时间 m5HMtoU
tg---电路换向关断时间 gp
H@F X
tgt---门极控制极开通时间 |
>yc|W
Tj---结温 </SO#g^r<
Tjm---最高结温 s qj Dh
ton---开通时间 jZvIqR /
toff---关断时间 |?MD>Pez
tr---上升时间 9;`hJ!r
trr---反向恢复时间 8,VEuBZ
ts---存储时间 ~XvMiWuo
tstg---温度补偿二极管的贮成温度 FP0GE
a---温度系数 /'_Yct=
λp---发光峰值波长 v |(N
△ λ---光谱半宽度 G
Uh<AG*+
η---单结晶体管分压比或效率 +UTBiB R
VB---反向峰值击穿电压 <'A-9y]-v
Vc---整流输入电压 6@FxPi9|#
VB2B1---基极间电压 fZJM'+J@A
VBE10---发射极与第一基极反向电压 $"}*#<Z
VEB---饱和压降 =KD[#au6a
VFM---最大正向压降（正向峰值电压） +@7c:CAy(
VF---正向压降（正向直流电压） i 1]}Q$
△VF---正向压降差 Z[,,(M
VDRM---断态重复峰值电压 73{<;z}i
VGT---门极触发电压 - ku8n%u
VGD---门极不触发电压 *TCV}=V G
VGFM---门极正向峰值电压 hQNUA|Q=%
VGRM---门极反向峰值电压 o>m*e 7l,
VF（AV）---正向平均电压 1}p :]/;
Vo---交流输入电压 9\kEyb$F=
VOM---最大输出平均电压 lR`.V0xA
Vop---工作电压 }/IP\1bG
Vn---中心电压 nf:wJ-;*
Vp---峰点电压 {?A/1q4rr
VR---反向工作电压（反向直流电压） d?cCSf
VRM---反向峰值电压（最高测试电压） *xKy^f
V（BR）---击穿电压 N
f} ZG
Vth---阀电压（门限电压） C*t0`3g
d
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压） .R@XstQ
VRWM---反向工作峰值电压 V y c
V v---谷点电压 -KG1"g ,2
Vz---稳定电压 !RjC0,
△Vz---稳压范围电压增量 J'L6^-gV
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 \`-xxhb?e
av---电压温度系数 北京芯片半导体实验室：北软检测芯片失效分析实验室，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。 CT---势垒电容 BgB 0
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 gzlR K^5
Cjv---偏压结电容 ] {0OPU
Co---零偏压电容 +vV?[e
Cjo---零偏压结电容 F+W{R+6
Cjo/Cjn---结电容变化 5*Dh#FRp
Cs---管壳电容或封装电容 Wi~?2-!
Ct---总电容 )<e,- XujY
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 GNW.n(a
CTC---电容温度系数 %xp 69
Cvn---标称电容 64^3ve3/a=
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 5 (q4o`
IF（AV）---正向平均电流 '?3(&
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 Z l. ,pcL
IH---恒定电流、维持电流。 >]Dn,* R
Ii--- 发光二极管起辉电流 &7{yk$]*
IFRM---正向重复峰值电流 r V*Ri~Vx
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） U_UN& /f
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 3 [O+wVv
IF(ov)---正向过载电流 R#rfnP >
IL---光电流或稳流二极管极限电流 !?K#f?x<?
ID---暗电流 6;M{ suG|
IB2---单结晶体管中的基极调制电流 e YiqT Wn:
IEM---发射极峰值电流 LF+E5{=:R
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 N7)K\)DS!z
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 $"6Gv
ICM---最大输出平均电流 & ,\my-4c>
IFMP---正向脉冲电流 {qs>yQ6a:-
IP---峰点电流 ~;t/VsgGW
IV---谷点电流 vSCJ xSt#e
IGT---晶闸管控制极触发电流 Dh<}j3]
IGD---晶闸管控制极不触发电流 <uo@k'
IGFM---控制极正向峰值电流 X"jtPYCpV{
IR（AV）---反向平均电流 e=_Ng
j)
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 fd&>p
IRM---反向峰值电流 u! t<2`:h
IRR---晶闸管反向重复平均电流 CWb*bw0
IDR---晶闸管断态平均重复电流 I(z16wQ
IRRM---反向重复峰值电流 #f_.
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） *{O[}
Irp---反向恢复电流 ;RMevV w|
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 o,/w E
Izk---稳压管膝点电流 NuX II-
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 0L d"df*
IZSM---稳压二极管浪涌电流 ,Z8)DC=
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 eEY z A
iF---正向总瞬时电流 VWk{?*Dp
iR---反向总瞬时电流 EQ>@K-R
ir---反向恢复电流 g#G ]}8C
Iop---工作电流 q-/t?m0
Is---稳流二极管稳定电流 s'BlFB n
f---频率 k/) h @K8@
n---电容变化指数；电容比 h:KEhj\d?
Q---优值（品质因素） \4O_@d`A
δvz---稳压管电压漂移 $KS!vS7
di/dt---通态电流临界上升率 %Y9CZRY 9
dv/dt---通态电压临界上升率 YhP+ {Y8t
PB---承受脉冲烧毁功率 nW
oh( a
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率 {/qQ=$t
PFTM---正向峰值耗散功率 StiWa<"c
PFT---正向导通总瞬时耗散功率 oFsV0 {x%)
Pd---耗散功率 ~"8r=8|
PG---门极平均功率 RS nBG"
PGM---门极峰值功率 ((=T E
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 D[Q/:_2l
Pi---输入功率 #K!"/,d@>J
PK---最大开关功率 wEQZ9?\
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率 UtR wZ(09
PMP---最大漏过脉冲功率 , }NTV ~
PMS---最大承受脉冲功率 RNt9Qdr4y
Po---输出功率 3u<
ntx ><
PR---反向浪涌功率 S F da?>
Ptot---总耗散功率 >Sb3]$$
Pomax---最大输出功率 pm[+xM9PB
Psc---连续输出功率 h05<1>?|
PSM---不重复浪涌功率 x0lAJaG
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 PZI6{KOis
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻 RrdLh z2N
RBB---双基极晶体管的基极间电阻 5kojh _\
RE---射频电阻 +zEyCx=8H
RL---负载电阻 hoLA *v2<
Rs(rs)----串联电阻 )_6W@s
Rth----热阻 [GcW *v
R(th)ja----结到环境的热阻 R \]C;@J<
Rz(ru)---动态电阻 xqQK-? k
R(th)jc---结到壳的热阻 Vlge*4q
r δ---衰减电阻 g Mp' S
r(th)---瞬态电阻 k *>"@
Ta---环境温度 D
,[yx='
Tc---壳温 QlS_{XV
td---延迟时间 9Q'[>P=1
tf---下降时间 ,sT5TS
q
tfr---正向恢复时间 Q 9E.AN
tg---电路换向关断时间 Qj$w7*U
tgt---门极控制极开通时间 `>OKV;~{z
Tj---结温 #)3 B
Tjm---最高结温 ?]o(cz
ton---开通时间 v8n^~=SH
toff---关断时间 fB]NEx|o~
tr---上升时间 7k00lKA\w
trr---反向恢复时间 d]MpE 9@'v
ts---存储时间 / rk y
tstg---温度补偿二极管的贮成温度 U+C ^"[B
a---温度系数 #T@k(Bz{L
λp---发光峰值波长 Ul}<@d9: B
△ λ---光谱半宽度 NK'@.= $
η---单结晶体管分压比或效率 $ VhY"<
VB---反向峰值击穿电压 ;lfv.-u:<
Vc---整流输入电压 Nr).*]g@~
VB2B1---基极间电压 ?Iq{6O>D.
VBE10---发射极与第一基极反向电压 ) TRU x
VEB---饱和压降 ? % A 2
VFM---最大正向压降（正向峰值电压） +cKOIMu9
VF---正向压降（正向直流电压） *||Q_tlz
△VF---正向压降差 G6+6u Wvl
VDRM---断态重复峰值电压 9%bErMH L
VGT---门极触发电压 \ A)Pcc}7
VGD---门极不触发电压 oB~V~c}8x
VGFM---门极正向峰值电压 K}2G4*8S_G
VGRM---门极反向峰值电压 Zxozhmg
VF（AV）---正向平均电压 K\59vtga
Vo---交流输入电压 _"*s x-
VOM---最大输出平均电压 XVJ H>Zw
Vop---工作电压 ]Qa|9G,b
Vn---中心电压 _O ;4 >
Vp---峰点电压 <0 qhc$M
VR---反向工作电压（反向直流电压） _pDfP LlY&
VRM---反向峰值电压（最高测试电压） U<E]c 4*
V（BR）---击穿电压 ^@{"a
Vth---阀电压（门限电压） pf%; *
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压） Tu5p`p3-j
VRWM---反向工作峰值电压 =;E0 PB_w
V v---谷点电压 e8#83|h
Vz---稳定电压 M{)&SNI*C
△Vz---稳压范围电压增量 z(EpJK=`_
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 6 jm@`pYbE
av---电压温度系数 北京芯片半导体实验室：北软检测芯片失效分析实验室，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。
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