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2020-02-14 12:13 |
微电子中英文对照词典（一）
^cYB.oeu
微电子中英文对照词典 F@u7Oel@m
Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 s(=wG|
k_7m[o
{o a'@2|tN5Qi)PAcceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 ?P'$ Vxl
.^Y.oN2T*mAccumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 SboHo({5VA
:N"F3Z,W[Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 |T|m5V'l
Xaz\SpR ha(g)s半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAActive region 有源区 Active component 有源元 n_x0007_Z,|8QFi,C/l,V 0SI@`C*1o
Active device 有源器件 Activation 激活 z,Ac_x0019_]&Wi 4 H#-2LV`
Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区 love.2icMV hTtn
/j
f j}^w :W76
Admittance 导纳 Allowed band 允带 8`+? J5i_x001D_| { S ~Gse+*
Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 A<+Dx
6X}H}-Y"B0Plove.2ic.cnAluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 e9C +HS]kF H
Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 5I/P v$y&b-l 1p}Wj*mc
Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器 love. ;:6\w!fc
N ir\Ql7R f7x2"&?vg
Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 }p ~2lOI
*I.BD8e nQiZ6[L
Sli#qAnneal 退火 Anisotropic 各向异性的 love.2ic.cn*MDlz-V2C}7oM N Gm|-[iUTG]
Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 `WayR^ 9
"["^Dk3d@#|x3c%iAuger 俄歇 Auger process 俄歇过程 .TGw+E1k
;|!\N)q_x0019_Yz半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAAvalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 zS%XmS\
\v)T'f CAvalanche excitation雪崩激发 v6*0@/L
M
9^;wP_x0010__O$B半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FA RCWmdR#}V
v"]-l_/n3Qlove.2ic.cnBackground carrier 本底载流子 &*v\t\]
Background doping 本底掺杂 DG;7+ 2U
Backward 反向 sy"}25s
Backward bias 反向偏置 4V O%EA ,5U.
s'X_x0016_X.zwX#kFm @ wEjinP$2
Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 JXc.?{LL
1P+O3R[ pQiC#4b
7X>IS#W]
$XF$ n#ua
g p [Po*c.b
@su<h\)
~ XOmxz0
u8s!u 1wR[nBg*|
I yNvAT>H
wBand 能带 Band gap 能带间隙 QC+
Z6WS;
-HqERTQrBarrier 势垒 Barrier layer 势垒层 EOB8|:*
)Va6}-AT d c~ R'`Q
A$F*bBarrier width 势垒宽度 Base 基极 *z~,|DQ(A
(G_x0010_z9g(Y*W j;hBase contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 0i*V ?
dA)tT @6_!b {+J{t\`
]'NE.f8NBase transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Dg8@3M ^QS`H@+Z
Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 2z-Nw <bA
7y0Y LUML T0I半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FABias 偏置 Bilateraltch 双向开关 _x001D_{ q)}rq%t.m Jq/itsg
Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 "\_x0010_]8@4r_x001D_] DPI[~
Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 "a_x0016_Bu;y3R)N_x0010_DVu ` s7pM
Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 , jY:@< n
ri#l6Ud^/__x0019_m'{Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 ^^b'tP1>
!qm9n_x0012_|@Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 .k[I/z*ns 4# IT" i
B RcYUO*
Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 ]h S:0QE
7Sr%WOvQ_x0007_{0^%B8nlove.2ic.cnBonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 &O *`H*@2
Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 [_x0016_pn,_h#M&?$v:n 'n'>+W:
Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 VVeJe"!t
T8S8@_x0019_@_x001D_Ep B7alove.2ic.cnBound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 DBreak down 击穿 Break over 转折 "I[ Q!+AiSTU
g}[2v"S s 47R,K$
Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区 b G:\*1T
3Y8Jy4U7L7L Pe@# 6N `
b?}mQ!
$?56 i4
^1[CBuilt-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 16L YVvmW
\Z&s,T/ilove.2ic.cnBulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收 %I'V_x0007_o &>\;4E.O5
n%{_x0012_\ l So 1TH%
Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 *)E${\1' <
_x0012_MRP6Mw&Lz+G `Burn - in 老化 Burn out 烧毁 _x0012_f*Df8YBuried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区 Can 外壳 Capacitance 电容 -R(dF_x001D_xD;H g# $ C8k
Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 半导体技术天地~-[`]Q*S(M'h3ai LzU'6ah';5
Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 ozRO:*51
g_x001D_Zh_x0012_Zp#B_x0007_PjCarry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 n#">k%bD
n;[ YmC}q20;
o|@0.H|
( c s
rS%[_x0007_j_4mCascade 级联 Case 管壳 @vl$[Z|
8D-_ R'K't_x0019_VCathode 阴极 Center 中心 ^77W#{ Zs
9]aw.bH'RX_x001D_~Ceramic 陶瓷（的） Channel 沟道 MH.+pqIv^
2}+F;R4y#S V}s/knd
"u6pl);G
H,% bKl#
ebChannel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 a&%aads
Y z_x0016_`%{ L YZf{."Opj[
,iyy2
Al^t M0T^
g1F a:h半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAChannel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 \foThLx
_x0012_O| sBadiDG~9
F+hV'{|w`
3RtVFDIZA"
P _!o#e{2|Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗 半导体技术天地[S \ x {NBhq(4
Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应 !{-W%=Kf
8S9a-_W W5hQ7N)C.[ ZO%^r%~s
Hlove.2ic.cnCharge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件 TQ(q [:>
TU?/xP_x0019_T#ZyCharge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 "B3jq^
dx\/l.b a} @b2Wc*
g 3=
=["hO
S` LJE0GKChemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光 8!2)=8|f
_x0016_J2HgL6klove.2ic.cnChemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片 2H!uTb(? Ek'j Y(Qb )>K
Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位 love.2ic.cn4O_0P_x0010_fN's cN d&C'/N
Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面 0T`Qoo>u
:I4}#V0m_w,yi半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAClock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器 love.2ic.cn)am9?NC5J q1VKoKb6\:
Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构 +v
B}E
Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极 半;F%fS#@%L "p O
Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放 \Eh5g/,[
$tA Bmi,ztCommon-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接 半导r,chip,ic,process,layout,package,FA"Qm-}2A_x001D_b#V_x0012_NB LLgw1 @-D
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接 >>{):r
Z
_jv(Z#]!Alove.2ic.cnCommon-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入 J9|&p8^"S&ig X;!* D
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 Cus)xV ) f~;P+
Compatibility 兼容性 Compensation 补偿 g kmof^
Compensated impurities 补偿杂质
L gF?1?
Compensated semiconductor 补偿半导体 &w D|5mNX %e
b #m U\8M,
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路 YhH3f VM
X5\]X.e&xn:sO半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAComplementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) V(TtOuv
'X:{U-s9R8x~_x0007_G~互补金属氧化物半导体场效应晶体管 w Qf_N,Bq{a
Complementary error function 余误差函数 lj]M 1zEz&
zN_!c;k ke)hkeComputer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导 +_H6Nsc9z 5, ;\zSz
Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态 fn<dr(D x
,N /H<{p$Wd
P f 6I)c$]Q
zY3x&G4oConductor 导体 Conductivity 电导率 \ iM8Cw/DS
Configuration 组态 Conlomb 库仑 -X j4\u3iq4Cm NV./p `k
Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数 G
`|7NL
lT`QZJ#ZConstant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散 nq_$!aB_K
}aj GYContact 接触 Contamination 治污AH ?[ ;}Jv4Z
Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔 %X_A# 9
g F~ n%Xt9G ;l%xjMcU
D'\ 9Buss+K?/h
p)@%TContact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件
GAfc9
L0W_J_x0010_t_x001D_^半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAContra doping 反掺杂 Controlled 受控的 }C @xl9S "
0M6SaPu}Converter 转换器 Conveyer 传输器 N #v[ YO`.
Z'Dq$~^S9W}O-cY2HCopper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合 ,It0brF
9b3BS"tz;|'qgc cWQJ9.:7
A KCovalent 共阶的 Crossover 跨交 'bc!f#[(z T}!9T!(HdF
Critical 临界的 Crossunder 穿交 r,a#}_x0007_EJ%n;|7j5r L!JC)p.
Crucible坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格 w~6/p
*_3ztd*X;dxZulove.2ic.cnCurrent density 电流密度 Curvature 曲率 6?,q ysm06
N"{ L$Z!
<7y/)b@
gbMA-r:IC
?_x0019_b/?r0UCut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享 { U-z(0
*w$li;lC2xlove.2ic.cn grU\2k+{ w#1BHx
} l1X N%Bl+7,q
Current Sense 电流取样 Curvature 弯曲 ~Y43`@3H:
&JG Zc_x0007_IW gCustom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的 6 KGT?d
5yU'{&X? $x }R2
p$P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FACzochralshicrystal 直立单晶 7Bv!hy;C_x001D_X'Ge oJ M; CN
Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J） PZ/ t kw
"p:q_x0019_@2T_x0019_y"}+a'Klove.2ic.cn T
?Om]:j
$k?WA c]MDangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流 "D_x0007_ii\2^J[Z
2l,>x
Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度 Dt`U2R 3F, M{' q
De.broglie 德布洛意 Decderate 减速 6c+29@
W'p(N_x0019_d7X Y,gDecibel (dB) 分贝 Decode 译码 OR&pGoW
r ay-sf/H(C半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级 4( , .< #
5! ngM
ot7f?tF2<J
MVM Jl ">
K Fh:w#Z ubDeep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱 uNy-r`vg
@6QFF%}$Y y
a$yRsd`
G_x0016_?(j'kDefeat 缺陷 半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAt3XD_x001D_ae)K.a4Y w5q6c%VZ
Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度 e_x0016_H i n$|#y_x0019_u qs Zs^zD;zU
Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度 7z]0}rF\6I_x0019_w UK
OhsE
Delay 延迟 Density 密度 *
0K]/tn<
A:h3V_x0016_P;V_x0007_qv0XDensity of states 态密度 Depletion 耗尽 6MOwn*%5k
\DI_x0012_x h<3bv&oI .
e_x0016_EW{_x001D_L2b7\d{ e| C2/U-
b 3T(f t^~
Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触 }t.G.^)GVA_x0012_[ ]pNM~,
Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应 W+u@UJi
3Q~$K$d \sZDepletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽MOS 1<h@ ^s ;
-t!x_x0019_E x=0Ak'1M
p iJ q h bagw~
B.YsDepletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜 . +2:~%v6
+lA{ Ag_x0019_Z1?P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则 K :XXtG
_x0012_B0SKT%E zx)} XOYf
O*\h,k半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADie 芯片（复数dice） Diode 二极管 (M;d*gN r
3X8?j#{,wNH%^Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离 0F uj-q
7w G8@t)f_x0007_[/D_x001D_M*Rlove.2ic.cnDifference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器 )%/ Ni^
Y#ah,b_x0007_]HuKd%A_x0007_ZDifferential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结 j^/<:e c.
Wv3p!zW3 I
[*K 9V/
$lB!Q8a$
m6Z*^M:XR p2rUDiffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数 iG9z9y v_x001D_F9_"Y "/O07l1Q<
Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率 love.2ic.cn$@7K(V0t$N 1$))@K-I
yY.F*j_x0007_x` 'n{=`e(}cI
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉 7.{+8#~nV
-?2n1H6Xt [半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADigital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴 DFfh!KKR$
wR 2`*.O
e&R6UWc\8?Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合 半导体技术天地[ocess,layout,package,FA)R5K%~_x0010_wj)MEc "pX|?ap
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁 @6_w {6:b
p 6I~M8Lo ;
Discharge 放电 Discrete component 分立元件 `$4wm0G|
:R*j$KYX0L$Z 5 3+C;]J
3s2jl_x001D_F*X8g_x0019_D;?DDissipation 耗散 Distribution 分布 Fbotn( \h@
8^2J
]x1ba_
m k~F@
(CDh,ZN;|
|j1br,i9a WO69Wo\C
k_x0016_rDistributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型 R8.@5g _
Displacement 位移 Dislocation 位错 }K.)yv n
H5vg s2R
^*w#\_x0016_r,t5W v半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADomain 畴 Donor 施主 wPz_x0019_M_x0019_Ju T*k{^= 6"!
Donor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂 love.2ic.cn~3s Il_x0019_I0_9C!`_x0019_{ Yh,, (V6
Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度 &6GW9pl[
_x0012_N&Q_x0010_F)x_x0012_R2a dDouble-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS. v*y,PY1*
$ZN@ % T$!I (L&
B/FG3}!B)X6~Drift 漂移 Drift field 漂移电场 ,layout,package,FA_x0010_mm$o%g7D4|,CNT /.m x\_$
Drift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀 s,\#Qta nh L$Xkx03lz>
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量 +IGSOWL
_x0019_h L.9@rwfI
n!z+v6v.Yd_x001D_Ru8UDuty cycle 工作周期 Dual-in-line package （DIP） 双列直插式封装 {Y+ e|B0
T i} Zz|et206
Dynamics 动态 tR=1.M9 6Y
Dynamic characteristics 动态属性 e5b_x0007_P_x0010_T;}*l~_x0012_`_x001D_p%|#t x;JC{d#
Dynamic impedance 动态阻抗 + w$qdV,s 7
k P~L)x+ BMzS3;1_
'eQ*?a43
北京芯片半导体实验室：北软检测芯片失效分析实验室，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。
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