| 探针台 |
2020-02-14 12:13 |
微电子中英文对照词典（一）
a; /4 ht
微电子中英文对照词典 9OT2yC T
Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 $V`O%Sz
i&.F}bEi
{o a'@2|tN5Qi)PAcceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 $. V(_
.^Y.oN2T*mAccumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 \EB]J\ x<
:N"F3Z,W[Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 hTVN`9h7
Xaz\SpR ha(g)s半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAActive region 有源区 Active component 有源元 n_x0007_Z,|8QFi,C/l,V NF&\<2kX
Active device 有源器件 Activation 激活 z,Ac_x0019_]&Wi _%i|*
Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区 love.2icMV 0SvPyf%AC
f |n U:
Admittance 导纳 Allowed band 允带 8`+? J5i_x001D_| { tGM)"u-
Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 )S8q.h
6X}H}-Y"B0Plove.2ic.cnAluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 e9C l\$_t2U
Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 5I/P v$y&b-l 1`2lTkg
Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器 love. s#*
mn
N ir\Ql7R aoF>{Z4&B
Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 %q ja:'k
*I.BD8e \O7,CxD2
Sli#qAnneal 退火 Anisotropic 各向异性的 love.2ic.cn*MDlz-V2C}7oM N PO)5L
Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 &[RC 4^;\V
"["^Dk3d@#|x3c%iAuger 俄歇 Auger process 俄歇过程 : p8JO:g9
;|!\N)q_x0019_Yz半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAAvalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 qc*+;Wi+5
\v)T'f CAvalanche excitation雪崩激发 #docBsHX&s
9^;wP_x0010__O$B半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FA z^B!-FcIz>
v"]-l_/n3Qlove.2ic.cnBackground carrier 本底载流子 z:< (b
Background doping 本底掺杂 3P-#NL
Backward 反向 66Hu <3X P
Backward bias 反向偏置 4V B LMcvK\9
s'X_x0016_X.zwX#kFm @ GIZNHG
Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 dF1Bo
1P+O3R[ \? qXscq
8
LaZ5
G ROl9xp2
g lD C74g
8|7Tk[X1j
g08 =D$P
u8s!u _MMz x2}
I x Z9y*Gv\=
wBand 能带 Band gap 能带间隙 #o y vsS8
-HqERTQrBarrier 势垒 Barrier layer 势垒层 WWE?U-o
)Va6}-AT d pF"z )E|^
A$F*bBarrier width 势垒宽度 Base 基极 6;(Slkv
(G_x0010_z9g(Y*W j;hBase contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 dWm[#,Q?
dA)tT @6_!b wu
3uu1J
]'NE.f8NBase transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Dg8@3M Pu
axS
Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 %
qAhE TZ%
7y0Y LUML T0I半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FABias 偏置 Bilateraltch 双向开关 _x001D_{ q)}rq%t.m ^ / g&Q
Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 "\_x0010_]8@4r_x001D_] |ZRl.C/e
Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 "a_x0016_Bu;y3R)N_x0010_DVu VK`b'U &l"
Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 R9=,T0Y
p
ri#l6Ud^/__x0019_m'{Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 |c >
!qm9n_x0012_|@Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 .k[I/z*ns 1/1P;8F@G
B OQ[>s(`*{
Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 V?Nl% M[b
7Sr%WOvQ_x0007_{0^%B8nlove.2ic.cnBonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 &O z': >nw
Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 [_x0016_pn,_h#M&?$v:n ]7 xAL7x
Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 (iWNvVGS
T8S8@_x0019_@_x001D_Ep B7alove.2ic.cnBound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 DBreak down 击穿 Break over 转折 "I[ "aa6W
g}[2v"S Bq:@ [pCQ
Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区 UdLC]
3Y8Jy4U7L7L Ho"FB|e
A HZ6
& 6}v vgz
^1[CBuilt-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 x$s #';*
\Z&s,T/ilove.2ic.cnBulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收 %I'V_x0007_o $X\BO&
n%{_x0012_\ l Hs-NP#I
Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 d3n T J X
_x0012_MRP6Mw&Lz+G `Burn - in 老化 Burn out 烧毁 _x0012_f*Df8YBuried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区 Can 外壳 Capacitance 电容 -R(dF_x001D_xD;H Rbr vY
Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 半导体技术天地~-[`]Q*S(M'h3ai }#yR a Ip
Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 \sRRLDj%
g_x001D_Zh_x0012_Zp#B_x0007_PjCarry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 gXH89n
n;[ c~C :"g.y
T>?sPq
;j/ur\37
rS%[_x0007_j_4mCascade 级联 Case 管壳 IndNR:"g
8D-_ R'K't_x0019_VCathode 阴极 Center 中心 8-SVgo(
9]aw.bH'RX_x001D_~Ceramic 陶瓷（的） Channel 沟道 1e b1Lvn
2}+F;R4y#S S2<(n,"
h_CeGl!M}
|f zo$Bq
ebChannel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 : Z< 5iLq
Y z_x0016_`%{ L 5T8 !5EcS*
Dri1A%
]AHi $Xx
g1F a:h半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAChannel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 X=.+XP]
_x0012_O| LRbevpZ,
{{< o1{_H
&.4lhfI+(Q
P _!o#e{2|Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗 半导体技术天地[S \ O-&n5
Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应 + Oyt
8S9a-_W W5hQ7N)C.[ WVo%'DtF`
Hlove.2ic.cnCharge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件 f}+G;a9Nj
TU?/xP_x0019_T#ZyCharge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 ~F' $p
dx\/l.b ) 8Q| y
g >?$Ze @
S` LJE0GKChemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光 ;^
/9sLW?#
_x0016_J2HgL6klove.2ic.cnChemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片 2H!uTb(? Ek'j Ok* :;G @
Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位 love.2ic.cn4O_0P_x0010_fN's 2?}(
Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面 }%jb/@~
:I4}#V0m_w,yi半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAClock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器 love.2ic.cn)am9?NC5J [tBIABr
Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构 MA1,;pv6
Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极 半;F%fS#@%L ,*%8*]<=
Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放 Cu|n?Uk
$tA Bmi,ztCommon-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接 半导r,chip,ic,process,layout,package,FA"Qm-}2A_x001D_b#V_x0012_NB NGxii$F
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接 jf$t
_jv(Z#]!Alove.2ic.cnCommon-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入 J9|&p8^"S&ig \|T0@ V
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 Cus)xV c}{e,t
Compatibility 兼容性 Compensation 补偿 Ar):D#D
Compensated impurities 补偿杂质 YTGup]d
Compensated semiconductor 补偿半导体 &w | z('yy$
b a}Ov @7
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路 }'Z(J)Bg
X5\]X.e&xn:sO半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAComplementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) wvc?2~`
'X:{U-s9R8x~_x0007_G~互补金属氧化物半导体场效应晶体管 w "1[N;|xa
Complementary error function 余误差函数 rg P$\xn-
zN_!c;k ke)hkeComputer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导 +_H6Nsc9z o 86}NqK
Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态 (JM4W
"7'
,N \dfq& oyU\
P fI BLJ53
zY3x&G4oConductor 导体 Conductivity 电导率 \ D<rjxP
Configuration 组态 Conlomb 库仑 -X j4\u3iq4Cm c`t1:%S
Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数 7'&Xg_
lT`QZJ#ZConstant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散 |MBnRR
}aj GYContact 接触 Contamination 治污AH ?[ w1GCjD*y
Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔 O}KT>84M
g F~ n%Xt9G I&cb5j]C
D'\ Dv hK0L*Qr
p)@%TContact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件 =LT( { 8
L0W_J_x0010_t_x001D_^半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAContra doping 反掺杂 Controlled 受控的 3s|tS2^4
0M6SaPu}Converter 转换器 Conveyer 传输器 6}|vfw
Z'Dq$~^S9W}O-cY2HCopper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合 gZPJZN/cpz
9b3BS"tz;|'qgc {2q
A KCovalent 共阶的 Crossover 跨交 'bc!f#[(z OsK=% aDpj
Critical 临界的 Crossunder 穿交 r,a#}_x0007_EJ%n;|7j5r F^a D!O ~
Crucible坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格 ]-AT(L >
*_3ztd*X;dxZulove.2ic.cnCurrent density 电流密度 Curvature 曲率 tRXM8't
N"{ c {852R
$ &^
,(z9
W&*{j;e9%I
?_x0019_b/?r0UCut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享 /g8yc'{p
*w$li;lC2xlove.2ic.cn grU\2k+{ "qDEI}
} l1X bqe;) A7
Current Sense 电流取样 Curvature 弯曲 )pvZM?
&JG Zc_x0007_IW gCustom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的 b ;}MA7=
5yU'{&X? v\HGL56T
p$P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FACzochralshicrystal 直立单晶 7Bv!hy;C_x001D_X'Ge AG9U2x
Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J） 4,aBNuxWd
"p:q_x0019_@2T_x0019_y"}+a'Klove.2ic.cn "Srp/g]a
$k?WA c]MDangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流 "D_x0007_ii\2^J[Z MDB}G
'
Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度 Dt`U2R =-:o?&64
De.broglie 德布洛意 Decderate 减速 ck@[% ?
W'p(N_x0019_d7X Y,gDecibel (dB) 分贝 Decode 译码 R]r~TJ o
r ay-sf/H(C半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级 tb=(L
B;-oa;m:E=
;0BCM(>Wo
<e=0J8V8,i
K Fh:w#Z ubDeep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱 t]vz+VQ
@6QFF%}$Y l,/5$ JGnk
G_x0016_?(j'kDefeat 缺陷 半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAt3XD_x001D_ae)K.a4Y u_[Zu8
Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度 e_x0016_H i n$|#y_x0019_u qs UtWoSFZ'o!
Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度 7z]0}rF\6I_x0019_w .CYq+^
Delay 延迟 Density 密度 iFHVr'Og'
A:h3V_x0016_P;V_x0007_qv0XDensity of states 态密度 Depletion 耗尽 4s"HO/
\DI_x0012_x o/[NUQSI
e_x0016_EW{_x001D_L2b7\d{ 97BL%_^k
b xp39TiXJ*
Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触 }t.G.^)GVA_x0012_[ 1XZ&X]
Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应 zMG4oRPP
3Q~$K$d \sZDepletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽MOS e)iVX<qb
-t!x_x0019_E >a0;|;hp
p iJ Mdy H/.Te
B.YsDepletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜 gz88$BT
+lA{ Ag_x0019_Z1?P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则 =]^* -f}J9
_x0012_B0SKT%E ; w+A38N$J
O*\h,k半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADie 芯片（复数dice） Diode 二极管 y.~ 5n[W
3X8?j#{,wNH%^Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离 H ,?MG
7w G8@t)f_x0007_[/D_x001D_M*Rlove.2ic.cnDifference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器 &{
f5F7E@
Y#ah,b_x0007_]HuKd%A_x0007_ZDifferential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结 ~f@;.
c]n4vhUa5
<h;P<4JX
I m
Tq`
m6Z*^M:XR p2rUDiffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数 iG9z9y v_x001D_F9_"Y L, l+1`Jz
Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率 love.2ic.cn$@7K(V0t$N Fdzd!r1 v
yY.F*j_x0007_x` A1Zu^_y'
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉 *$s)p >
-?2n1H6Xt [半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADigital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴 &zm5s*yNt
0? l
e&R6UWc\8?Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合 半导体技术天地[ocess,layout,package,FA)R5K%~_x0010_wj)MEc H(g&+Wcu=
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁 Na`qA j}
p 2z-&Ya Qu
Discharge 放电 Discrete component 分立元件 16] O^R;r
:R*j$KYX0L$Z +I/P5OGRN
3s2jl_x001D_F*X8g_x0019_D;?DDissipation 耗散 Distribution 分布 `P GWu1/
8^2J \q,w)BE
N-NwGD{
qD9 B[s8
|j1br,i9a UIyOn` d "
k_x0016_rDistributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型 O
,DX%wk,
Displacement 位移 Dislocation 位错 M 35}5 +
QF^An B
^*w#\_x0016_r,t5W v半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADomain 畴 Donor 施主 wPz_x0019_M_x0019_Ju L@+j8[3BX
Donor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂 love.2ic.cn~3s Il_x0019_I0_9C!`_x0019_{ S-L6K A{
Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度 e;gf??8}
_x0012_N&Q_x0010_F)x_x0012_R2a dDouble-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS. Onk~1ks:
$ZN@ NyGF57 v[M
B/FG3}!B)X6~Drift 漂移 Drift field 漂移电场 ,layout,package,FA_x0010_mm$o%g7D4|,CNT m4 %m0"Z
Drift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀 s,\#Qta nh !<~Ig/
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量 ) ejvT-
_x0019_h 0~-+5V
n!z+v6v.Yd_x001D_Ru8UDuty cycle 工作周期 Dual-in-line package （DIP） 双列直插式封装 36j.is
T i} gNO$ WY^
Dynamics 动态 ~ugcfDJ
Dynamic characteristics 动态属性 e5b_x0007_P_x0010_T;}*l~_x0012_`_x001D_p%|#t Mc\lzq8\ 1
Dynamic impedance 动态阻抗 + QKF2_Acc
k P~L)x+ iff U}ce
`|v#x@s
北京芯片半导体实验室：北软检测芯片失效分析实验室，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。
|
|